全文获取类型
收费全文 | 22138篇 |
免费 | 3558篇 |
国内免费 | 3007篇 |
专业分类
化学 | 16819篇 |
晶体学 | 353篇 |
力学 | 1195篇 |
综合类 | 265篇 |
数学 | 2450篇 |
物理学 | 7621篇 |
出版年
2024年 | 50篇 |
2023年 | 407篇 |
2022年 | 645篇 |
2021年 | 704篇 |
2020年 | 840篇 |
2019年 | 887篇 |
2018年 | 704篇 |
2017年 | 679篇 |
2016年 | 1029篇 |
2015年 | 1018篇 |
2014年 | 1283篇 |
2013年 | 1712篇 |
2012年 | 1973篇 |
2011年 | 2191篇 |
2010年 | 1564篇 |
2009年 | 1480篇 |
2008年 | 1544篇 |
2007年 | 1524篇 |
2006年 | 1303篇 |
2005年 | 1046篇 |
2004年 | 943篇 |
2003年 | 710篇 |
2002年 | 703篇 |
2001年 | 572篇 |
2000年 | 484篇 |
1999年 | 383篇 |
1998年 | 312篇 |
1997年 | 256篇 |
1996年 | 264篇 |
1995年 | 197篇 |
1994年 | 199篇 |
1993年 | 168篇 |
1992年 | 155篇 |
1991年 | 125篇 |
1990年 | 122篇 |
1989年 | 97篇 |
1988年 | 59篇 |
1987年 | 56篇 |
1986年 | 56篇 |
1985年 | 54篇 |
1984年 | 36篇 |
1983年 | 29篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 15篇 |
1980年 | 13篇 |
1979年 | 12篇 |
1978年 | 10篇 |
1976年 | 11篇 |
1975年 | 7篇 |
1973年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
92.
93.
Liang Zhao 《Tetrahedron letters》2006,47(19):3291-3294
Allylmagnesium, allylindium, and allylbismuth generally showed a preference for axial addition to cyclohexenones. Allylmagnesium was the most stereoselective. Reactions with an α-methylated enone (carvone) were the most selective, except that allylbismuth was unreactive with this substrate. 相似文献
94.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生. 相似文献
95.
采用从头算CCSD(T)/6-311 G(2d,2p)//B3LYP/6-311G(d,p)方法,研究了自由基-分子反应F CH2CHCH3的各种不同的反应通道.该反应主要是通过复合物形成机制进行,即F分别加到碳碳双键的两端形成自由基复合物1和2.这两种亚稳态自由基会解离成三种产物:H C3H5F、CH3 C2H3F和HF C3H5.理论计算结果表明,生成CH3 C2H3F是反应的主要通道,而生成H C3H5F和HF C3H5对产物也有一定的贡献.这一结果和实验符合得很好. 相似文献
96.
97.
98.
用密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法和相对论有效实势(Lanl2dz基组)对VOn±(n=0,1,2)分子离子的势能函数及光谱常数进行了分析. 结果表明它们都能稳定存在, 其基态电子状态分别是:4Σ(VO2-), 3Σ(VO-), 4Σ(VO), 3Σ(VO+)和2Σ(VO2+). 其中VO2-和VO2+的势能函数曲线呈“火山口”型, 属于亚稳态分子离子. 用七参数Murell-Sorbie势拟合VO2-和VO2+分子亚稳态双原子分子离子势能函数, 发现其拟合曲线与势能函数曲线符合得很好. 同时,讨论了电荷对势能函数和能级的影响.
关键词:
分子离子
密度泛函理论
势能函数
能级 相似文献
99.
Wei‐Ling Wang Jian‐Wei Xu Yee‐Hing Lai 《Journal of polymer science. Part A, Polymer chemistry》2006,44(13):4154-4164
Bipyridinophane–fluorene conjugated copolymers have been synthesized via Suzuki and Heck coupling reactions from 5,8‐dibromo‐2,11‐dithia[3]paracyclo[3](4,4′)‐2,2′‐bipyridinophane and suitable fluorene precursors. Poly[2,7‐(9,9‐dihexylfluorene)‐co‐alt‐5,8‐(2,11‐dithia[3]paracyclo[3](4,4′)‐2,2′‐bipyridinophane)] ( P7 ) exhibits large absorption and emission redshifts of 20 and 34 nm, respectively, with respect to its planar reference polymer Poly[2,7‐(9,9‐dihexylfluorene)‐co‐alt‐1,4‐(2,5‐dimethylbenzene)] ( P11 ), which bears the same polymer backbone as P7 . These spectral shifts originate from intramolecular aromatic C? H/π interactions, which are evidenced by ultraviolet–visible and 1H NMR spectra as well as X‐ray single‐crystal structural analysis. However, the effect of the intramolecular aromatic C? H/π interactions on the spectral shift in poly[9,9‐dihexylfluorene‐2,7‐yleneethynylene‐co‐alt‐5,8‐(2,11‐dithia[3]paracyclo[3](4,4′)‐2,2′‐bipyridinophane)] ( P10 ) is much weaker. Most interestingly, the quenching behaviors of these two conjugated polymers are largely dependent on the polymer backbone. For example, the fluorescence of P7 is efficiently quenched by Cu2+, Co2+, Ni2+, Zn2+, Mn2+, and Ag+ ions. In contrast, only Cu2+, Co2+, and Ni2+ ions can partially quench the fluorescence of P10 , but much less efficiently than the fluorescence of P7 . The static Stern–Volmer quenching constants of Cu2+, Co2+, and Ni2+ ions toward P7 are of the order of 106 M?1, being 1300, 2500, and 37,300 times larger than those of P10 , respectively. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 44: 4154–4164, 2006 相似文献
100.
Global Existence and Exponential Stability of Smooth Solutions to a Full Hydrodynamic Model to Semiconductors 总被引:1,自引:0,他引:1
We study a full hydrodynamic semiconductor model in multi-space dimension. The global existence of smooth solutions is established
and the exponential stability of the solutions as is investigated.
Received November 14, 2000; in revised form March 25, 2002 Published online August 5, 2002 相似文献