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941.
Ge_2Sb_2Te_5 film was deposited by RF magnetron sputtering on Si (100) substrate. The structure of amorphous and crystalline Ge_2Sb_2Te_5 thin films was investigated using XRD, Raman spectra and XPS. XRD measurements revealed the existence of two different crystalline phases, which has a FCC structure and a hexagonal structure, respectively. The broad peak in the Raman spectra of amorphous Ge_2Sb_2Te_5 film is due to the amorphous -Te--Te- stretching. As the annealing temperature increases, the broad peak separates into two peaks, which indicates that the heteropolar bond in GeTe_4 and the Sb-Sb bond are connected with four Te atoms, and other units such as (TeSb) Sb-Sb (Te_2) and (Sb_2) Sb-Sb (Te_2), where some of the four Te atoms in the above formula are replaced by Sb atoms, remain in crystalline Ge_2Sb_2Te_5 thin film. And from the results of Raman spectra and XPS, higher the annealing temperature, more Te atoms bond to Ge atoms and more Sb atoms substitute Te in (Te_2) Sb-Sb (Te_2). 相似文献
942.
A spin-1/2 and spin-3/2 mixed Ising system in a random field is studied by the use of effective-field theory with correlations. The phase diagrams and thermal behaviours of magnetizations are investigated numerically for the honeycomb lattice (z=3) and square lattice (z=4) respectively. The tricritical behaviours for both honeycomb and square lattices, as well as the reentrant behaviour for the square lattice are found. 相似文献
943.
By employing the first-principles pseudopotential plane-wave method, the physical properties of zincblende ZnO are investigated in comparison with those of the common wurtzite structure. Zincblende ZnO is predicted to be a direct gap semiconductor. Compared to the wurtzite structure, the zincblende ZnO is characterized by smaller bandgap and pressure coefficient, larger electron effective mass, increasing static dielectric constants and more covalent bonding. Furthermore, the optical properties including dielectric function and energy loss function of zincblende ZnO were obtained and analysed with some features. These aspects reveal promising applications of zincblende ZnO in optoelectronic devices. 相似文献
944.
Tvaskis V Christy ME Arrington J Asaturyan R Baker OK Blok HP Bosted P Boswell M Bruell A Cochran A Cole L Crowder J Dunne J Ent R Fenker HC Filippone BW Garrow K Gasparian A Gomez J Jackson HE Keppel CE Kinney E Lapikás L Liang Y Lorenzon W Lung A Mack DJ Martin JW McIlhany K Meekins D Milner RG Mitchell JH Mkrtchyan H Moreland B Nazaryan V Niculescu I Opper A Piercey RB Potterveld DH Rose B Sato Y Seo W Smith G Spurlock K van der Steenhoven G Stepanyan S Tadevosian V Uzzle A Vulcan WF Wood SA 《Physical review letters》2007,98(14):142301
We report on a study of the longitudinal to transverse cross section ratio, R=sigmaL/sigmaT, at low values of x and Q2, as determined from inclusive inelastic electron-hydrogen and electron-deuterium scattering data from Jefferson Laboratory Hall C spanning the four-momentum transfer range 0.06相似文献
945.
Aaltonen T Abulencia A Adelman J Affolder T Akimoto T Albrow MG Ambrose D Amerio S Amidei D Anastassov A Anikeev K Annovi A Antos J Aoki M Apollinari G Arguin JF Arisawa T Artikov A Ashmanskas W Attal A Azfar F Azzi-Bacchetta P Azzurri P Bacchetta N Badgett W Barbaro-Galtieri A Barnes VE Barnett BA Baroiant S Bartsch V Bauer G Bedeschi F Behari S Belforte S Bellettini G Bellinger J Belloni A Benjamin D Beretvas A Beringer J Berry T Bhatti A Binkley M Bisello D Blair RE Blocker C Blumenfeld B 《Physical review letters》2007,98(14):142001
We present a measurement of the top-quark mass Mtop in the all-hadronic decay channel tt-->W+bW-b-->q1q2bq3q4b. The analysis is performed using 310 pb-1 of sqrt[s]=1.96 TeV pp[over ] collisions collected with the CDF II detector using a multijet trigger. The mass measurement is based on an event-by-event likelihood which depends on both the sample purity and the value of the top-quark mass, using 90 possible jet-to-parton assignments in the six-jet final state. The joint likelihood of 290 selected events yields a value of Mtop=177.1+/-4.9(stat)+/-4.7(syst) GeV/c2. 相似文献
946.
"使用Brenner-LJ拟合势描述了金刚石与C36团簇原子间的相互作用,并用分子动力学模拟的方法研究单个C36(D6h)在金刚石(100)晶面的沉积机制.通过仿真实验分析了C36团簇的入射能量、入射点位置、入射姿势、入射角度等因素对其成核初期化学吸附过程以及沉积后其稳定性的影响.研究发现:由于C36入射点位置及入射姿势的不同,其在金刚石(100)晶面沉积时的沉积阈值最小值为20 eV,最大值为60 eV;在入射角不超过60o斜射时,由于水平运动分量的存在,C36可能翻滚及平滑至成键能量较小的区域后再成键 相似文献
947.
"采用分子动力学模拟的方法,运用镶嵌原子模型,研究了经过刻划后的单晶铜纳构件在不同拉伸速度条件下的力学行为. 通过原子位图、缺陷原子透视图、径向分布函数及应力-应变关系研究加工后纳构件在拉伸负载作用下的变化特性,并与理想单晶铜纳构件进行对比分析.模拟结果表明,加工后的纳构件的屈服强度较理想纳构件的屈服强度有明显下降,屈服强度随着刻槽深度的增加而下降,而且屈服强度对刻槽方向和拉伸速度敏感;纳结构在拉伸负载作用下,其应力应变关系出现了双峰形式,即工作硬化现象,二次屈服后表现为Z字形逐波下降形式.刻划深度、刻划 相似文献
948.
2-噻吩乙醛酸-邻菲罗啉-铕配合物的合成、结构表征及荧光性能的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
合成了铕与 2 噻吩乙醛酸 (HL)和邻菲罗啉 (phen)的配合物 ,用元素分析、电导率、红外光谱和核磁共振谱测定了配合物的分子式为 [EuL2 phen·(H2 O) 3 ]NO3 ;配合物中的Eu(Ⅲ )离子与 2 噻吩乙醛酸和水分子中的O原子以及邻菲罗啉中的N原子配位。在室温下测定了配合物的激发和发射光谱 ,配合物中Eu(Ⅲ )离子的5D0 7F1和5D0 7F2 跃迁分别位于 5 92和 6 18nm。该固体配合物于室温下被紫外光激发可以发出强的特征红色荧光。IR光谱中 ,2 噻吩乙醛酸的特征吸收峰νCO (1719cm-1) ,νC—O(12 32cm-1) ,δO—H(90 9cm-1)在形成配合物后消失。在配合物中出现—COO-的反对称νas(16 4 2cm-1)和对称νs(14 0 8cm-1)伸缩振动吸收峰。在1HNMR谱图中 ,2 噻吩乙醛酸环上的 3个氢原子的化学位移形成配合物后移向高场 ,邻菲罗啉环上 4种不同环境的质子峰的化学位移形成配合物后向低场移动。从TG曲线可以看出 ,此配合物在常温至 2 5 0℃以下是稳定的。 相似文献
949.
950.