一种胶片式的静态光学目标模拟器

光学成像敏感器是卫星姿态控制分系统的重要组成部分,用于月面景象的获取,可为月面着陆器完成障碍识别、路径规划和安全区域选取等功能提供图像信息来源。为实现光学成像敏感器装星后设备功能和性能的检测,需要一种可在室内为光学成像敏感器提供月面场景信息的光学仪器。设计和研制了一种胶片式的静态光学目标模拟器,该目标模拟器以胶片作为图像源,通过积分球均匀照明系统将胶片照亮,并经由光学镜头将胶片图像投射至无穷远处,从而供光学成像敏感器接收。设计完成的静态光学目标模拟器视场≥30°×30°,入瞳直径Φ5 mm,入瞳距离为41 mm,镜头焦距44.78 mm,图像像素分辨率≤1 024×1 024,各项指标均达到了光学成像敏感器装星后光闭路试验的要求。     

虚拟场景中图形化交互组件的深度冲突缓解研究

虚拟场景要求有更自然的交互范式以满足用户需求,图形化范式可作为自然范式的有效补充,目前对图形化范式在虚拟空间中的应用研究较少,在应用时,图形化范式与虚拟场景中的主体物可能存在深度冲突。本文提出一种新的交互范式——SOMRM范式,并以虚拟现实（VR）找不同和增强现实（AR）俄罗斯方块场景为例,对添加光圈模糊和调节组件与被试间距离2种缓解虚拟场景中深度冲突的方式进行了研究。通过分析被试在虚拟场景中执行查看、抓取、滑动等交互任务所需的时间和偏差等数据,从易学性、准确性、易用性、真实性、舒适性等6个维度上比较了2种深度冲突缓解方式。研究结果表明,添加光圈模糊能较好缓解虚拟场景交互中的深度冲突。     

(111)取向0.7PMN-0.3PT薄膜机电耦合性能

铁电薄膜由于其优异物理性能,而被广泛应用于微电子、光电子、微机电领域。在铁电薄膜理论研究方面,热力学理论可以有效地预测铁电薄膜的相结构、极化特性和机电性能等,且已在(001)取向铁电薄膜的研究中取得了较好的应用,而对于(111)取向铁电薄膜的研究报道非常少。因此,本文通过对序参量坐标转换的方法,构建了(111)取向薄膜的热力学势能函数及其机电性能计算方法。基于此,研究了(111)取向0.7PMN-0.3PT铁电薄膜的相结构及其机电性能。研究结果表明,(111)取向0.7PMN-0.3PT铁电薄膜的相结构主要存在沿晶轴方向三个极化可互换的对称相:顺电相PE、菱方相R和单斜相M_A(或M_B)。在应变和外电场的调控下,(111)取向0.7PMN-0.3PT薄膜展现出优良的机电性能,在R和M_A相变点处,介电常数ε11、ε22、ε33和面外压电系数d33取得了极大值。在外电场E₃分别为0、50 kV/cm、100 kV/cm和200 kV/cm时,面外介电常数ε33的峰值分别为4 382、2 646、2 102和1 600,面外压电系数d33的峰值分别为303.8 pm/V、241.9 pm/V、219.7 pm/V和195.1 pm/V。应变和外电场能够较好地调控薄膜的机电耦合性能,可为优异机电耦合性能的器件制备提供参考。     

g-C3N4基异质结的光催化应用研究进展

半导体异质结光催化剂因其在太阳能利用和转化方面广阔的应用前景而备受关注。合理构建两种或两种以上半导体材料的异质结构,可以集成多种组分的优点,改善光生电荷分离,扩大对可见光的吸收范围,保持光催化剂的高氧化还原能力。近年来,由于g-C₃N₄具有合成简单、稳定性高、独特的光学和电学特性等诸多优点,g-C₃N₄基异质结构的构建成为研究热点。本文针对近年来g-C₃N₄基异质结改性的研究现状,依据g-C₃N₄与其他半导体电荷转移路径的不同综述了三种异质结结构(g-C₃N₄基Ⅱ型异质结、g-C₃N₄基Z型异质结和g-C₃N₄基S型异质结),以及其在环境修复和能源方面的应用。最后对g-C₃N₄基异质结光催化剂存在的问题进行总结和展望。     

一种弯曲主导型热膨胀点阵超材料的带隙特性研究

当前科技的发展对材料的多功能性提出了更高的要求.本文利用有限元法针对一种具有三角晶格的弯曲主导型热膨胀点阵超材料(JTCLM)进行了带隙研究,并讨论了几何参数对JTCLM单胞带隙的影响.结果表明,当JTCLM单胞存在弯曲曲率时将会产生带隙,且材料的几何参数对JTCLM点阵复合材料的带隙具有显著的影响.结果为实现热膨胀/带隙双目标的超材料设计提供了理论基础.通过合理的选材和形状设计,有望实现特定膨胀性质和带隙设计的双目标共赢,使材料具有更好的可调谐性和多功能性.     

Four Modes of Droplet Permeation Through a Micro-pore with a T-Shaped Junction During Spreading

Transport in Porous Media - Permeation accompanying droplet spreading is a well-known phenomenon in additive manufacturing, for example in inkjet printing and coating, where the extremely dynamic...     

Ferroelectricity in hBN intercalated double-layer graphene

Van der Waals (vdW) assembly of two-dimensional materials has long been recognized as a powerful tool for creating unique systems with properties that cannot be found in natural compounds [Nature 499, 419 (2013)]. However, among the variety of vdW heterostructures and their various properties, only a few have revealed metallic and ferroelectric behaviour signatures [Sci. Adv. 5, eaax5080 (2019); Nature560, 336 (2018)]. Here we show ferroelectric semimetal made of double-gated double-layer graphene separated by an atomically thin crystal of hexagonal boron nitride. The structure demonstrates high room temperature mobility of the order of 10 m²·V⁻¹·s⁻¹ and exhibits ambipolar switching in response to the external electric field. The observed hysteresis is reversible and persists above room temperature. Our fabrication method expands the family of ferroelectric vdW compounds and offers a promising route for developing novel phase-changing devices. A possible microscopic model of ferroelectricity is discussed.     

铬胁迫对西红花叶片蛋白表达谱的影响

铬是植物的非必需元素，对植物的生长发育具有显著的抑制作用.采用双向电泳和质谱技术，研究了铬胁迫对西红花叶片蛋白表达的影响.通过质谱技术，成功鉴定出9个在铬胁迫后下调表达的蛋白，分别为细胞分裂循环蛋白48、ATP合成酶α亚基、核酮糖二磷酸羧化酶长链（2个）、未知蛋白、核酮糖二磷酸羧化加氧酶、蛋白酶体α亚基、铁蛋白和蛋白酶体β亚基；6个上调表达的蛋白，分别为蔗糖合酶、真核起始因子4A、α-1，4-葡聚糖蛋白合成酶、1-氨基环丙烷-1-羧酸氧化酶、异黄酮还原酶类似物IRL和未知蛋白.以上结果为研究植物响应铬胁迫的分子机制提供了参考.