RV减速器摆线轮组合修形及优化

为提高RV减速器的传动性能, 本文针对摆线轮齿廓的工作区域及组合修形方法等展开研究. 对应用广泛的“等距+移距”修形进行组合比较, 确定“正等距+负移距”的组合方式下初始间隙最小, 即啮合刚度最高; 分析针齿与摆线轮啮合的极限位置, 推导摆线轮的实际工作区域, 并对其采用遗传算法寻找最优修形量, 使组合修形逼近转角修形所得齿廓. 结果显示, 该方法得到的摆线轮齿廓在工作区域内更接近共轭齿廓, 且在齿顶与齿根处有合适的径向间隙, 可在提高摆线轮强度的同时有效补偿制造误差和安装误差, 对摆线轮的修形方式选择及修形量确定具有一定的借鉴意义.     

坛紫菜对干出和酸雨胁迫的生理响应

以坛紫菜为试验材料,研究不同强度酸雨(pH值分别为5.6、4.5、4.0、3.5)对坛紫菜生理特性的影响.试验中测定了坛紫菜细胞膜透性、抗氧化酶活性及叶绿素荧光参数等生理指标,以比较适当干出和完全浸泡、黑暗和光照条件下酸雨胁迫对坛紫菜生理特性的影响.结果表明:(1)经过不同方式处理的模拟酸雨处理后,适当干出处理的坛紫菜...     

半圆形粗糙元壁面颗粒沉积数值模拟研究

为研究半圆形粗糙元壁面对颗粒沉积的影响,分别采用雷诺应力模型（RSM）和离散相模型（DPM）求解流场与颗粒运动轨迹,并结合临界速度判别颗粒沉积的方法。通过构建不同半圆形粗糙元参数（e/D,p/e）的通风管道计算域,研究了1~10 μm颗粒沉积速度变化及沿气流方向颗粒的沉积趋势,分析了流场所引起的湍流变化对颗粒沉积的影响,与相同参数下的方形粗糙元壁面颗粒沉积特性进行了对比。同时,分析了粗糙元参数对颗粒沉积速度的影响。结果发现,半圆形壁面颗粒沉积速度小于同参数下的方形壁面颗粒沉积速度,这是由于半圆形壁面的回流区相对方形粗糙元更小,捕捉颗粒能力差,半圆形粗糙元流体附壁效应导致半圆形粗糙元拦截效率较低。当e/D=0.02,p/e=3时,颗粒沉积速度变化较大,但在其余参数下变化并不大。半圆形粗糙元壁面的迎风面是颗粒沉积的主要区域。     

GC-FTIR和GC-MS联用在环状硫代碳酸酯混合物中的应用

采用GC-FTIR和GC-MS建立环状硫代碳酸酯和环状碳酸酯的分析方法.选用HP-5毛细管色谱柱(30m×320μm×0.25μm),分流比50∶1,进样量1μL,进样口起始温度120C,保持5min,升温速率15℃/min,进样口终止温度270℃.质谱采用EI源,选取Scan模式,扫描范围为50到550m/Z.结果表明GC-FTIR可鉴定出3种环状硫代碳酸酯,而GC-MS可同时鉴定出4种环状硫代碳酸酯.     

Nonlinear Absorption and Dispersion Response in Optically Dense Media Driven by a Single-Mode Laser

Taking the density-dependent near dipole-dipole （NDD） interaction into consideration, we theoretically investigate the response of nonlinear absorption and dispersion in optically dense media of three-level atoms driven by a single-mode probe laser. The influence of the NDD effects on the absorption and dispersion spectra of the probe field is predicted via numerical calculations. It is shown that the NDD effects reduce gradually to transient absorption and amplification with the increase of the strengths of the NDD interaction, but do not change the steady-state behavior. Due to the presence of the NDD effects, steady-state absorption spectra exhibit asymmetric double-peak structure and overall shifts when a continuous-wave （cw） probe field is applied. However, frequency dispersion spectra are insensitive to them near the zero detuning.     

理论研究电流注入对垂直腔面发射激光器多横模行为的影响

从包含时空变量的速率方程出发,针对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs),利用空间积分法分析了典型电注入参数对VCSELs多横模行为的影响,在不降低模型准确性的前提下提高了仿真效率。仿真结果表明,注入盘孔径和注入环越小、注入强度越低以及电流扩散越弱时,VCSELs更易实现单横模工作;反之,VCSELs高阶横模开始出现并呈现较强的模式竞争,引发了载流子空间烧孔效应,并导致基模强度降低。进一步得出,在环形注入方式下,高阶模式更容易出现且彼此间的竞争较盘形注入时强。     

新型L-氨基酸尾式卟啉及其锌(Ⅱ)配合物的合成与光谱性质

用L-氨基酸和5-[邻-(2-溴乙氧基)苯基]-10,15,20-三苯基卟啉为原料合成了三种新型L-氨基酸尾式卟啉及其锌(Ⅱ)配合物,通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、化学分析和质谱等对其进行了结构表征。测试并研究了它们在4 000～400 cm-1范围内的傅里叶变换红外光谱,对主要谱带进行了经验归属。     

NIR光谱的LLE-PLS非线性建模方法及应用

传统的偏最小二乘(PLS)建模方法不能有效反映近红外(NIR)光谱与分析样本的物理化学性质之间存在的非线性关系。局部线性嵌入(LLE)是一种新的非线性降维方法,属于流形学习方法,它能有效地发现高维数据中的本真低维结构。结合LLE和PLS,提出一种近红外光谱非线性建模的新方法,并用于建立丹参多酚酸盐柱层析过程中丹酚酸B含量的回归校正模型。该方法首先用LLE对NIR光谱数据降维,再用PLS建立校正模型。结果表明,与多元散射校正、一阶导等预处理方法结合PLS建模比较,参数优化后的LLE-PLS方法能更准确地预测丹酚酸B的含量,其交叉验证均方根误差为0.128 mg·mL-1、决定系数为0.998 8。基于NIR光谱及LLE-PLS建模,可实现丹参多酚酸盐柱层析过程的在线检测。     

正切平方势阱中线性与非线性光学折射率变化的研究

利用正切平方势把电子的Schrodinger方程化为了超几何方程，并用超几何函数严格求解了电子的本征值和本征函数利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了正切平方势阱中的线性与三阶非线性光学折射率的解析表达式计算了该系统中的线性与非线性光学折射率变化的大小，讨论了影响折射率变化因素文章以典型的GaAs/AlGaAs势阱为例作了数值计算,数值计算结果表明，势阱的形状和入射光强对光学折射率的变化有着重要的影响.     

Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.