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151.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词:  相似文献   
152.
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。  相似文献   
153.
研究了制备的掺钕螯合物Nd(DBM)3Phen材料的吸收光谱、激发光谱、荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了该材料的强度参量.分析了钕离子激发态4F3/2的辐射寿命(631 μs)和4F3/2→4IJ′跃迁的受激发射截面和荧光分支比.  相似文献   
154.
本文对有界变量线性规划的算法进行了研究,得到了一种解此问题的新算法。文中根据基线算法的算法原理,通过对BL表的旋转,在各变量满足界约束的条件下,使目标函数值不断增大,直至得到有界硬上界,从而得到问题的最优解。文中给出了有界变量线性规划基线算法的计算步骤,并给出了一个例子。与单纯形法相比,采用基线算法解有界变量线性规划操作更简单。迭代次数少,解题速度更快。  相似文献   
155.
In this paper, based on the utility preferential attachment, we propose a new unified model to generate different network topologies such as scale-free, small-world and random networks. Moreover, a new network structure named super scale network is found, which has monopoly characteristic in our simulation experiments. Finally, the characteristics ofthis new network are given.  相似文献   
156.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射.  相似文献   
157.
修正了 [4,5]中的 Jabotinsky矩阵,得到并证明了一类无穷下三角矩阵T(f)的一些性质,最后,导出了一些与导数相关的反演关系和组合恒等式.  相似文献   
158.
基因芯片荧光图象采集与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
描述了基因芯片荧光图象的光学共聚焦成象,大范围高速扫描与控制,数据采集的原理和方法.并讨论了基因芯片荧光图象的分析算法,即模板定位与阈值分割相结合的半自动算法,并将其计算结果与完全采用人工分割算法的结果进行了比较.  相似文献   
159.
多相体系中Ni-PMMA纳米复合材料的γ辐射制备   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在多相体系中 ,运用γ射线辐射法 ,在常温常压下成功地一步合成了镍 聚甲基丙烯酸甲酯 (Ni PMMA)纳米复合材料 .XRD、TEM分析和IR光谱表明 ,在此实验条件下 ,镍离子和甲基丙烯酸甲酯已成功地被还原或聚合 ,镍粒子为面心立方 ,尺寸为 7.33nm .研究显示 ,用醋酸钠代替氢氧化钠或氨水作为碱性试剂 ,可以有效地控制体系的pH ,同时不影响单体的聚合 .  相似文献   
160.
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