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111.
聚二甲基二烯丙基氯化铵的合成,表征及抗菌性能 总被引:2,自引:0,他引:2
65%的二甲基二烯丙基氯化铵(DADMAC)单体水溶液通过自由基聚合得到分子量约为5000的聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDADMAC)均聚物。用红外光谱,核磁共振,X射线衍射仪,粘度法和扫描电镜对PDADMAC进行结构分析和表征。合成聚合物的抗霉菌实验表明,PDADMAC对多种霉菌有抑制作用,具有较宽的抑菌谱;抗细菌实验表明,PDADMAC对金黄色葡萄球菌,大肠杆菌,枯草芽孢杆菌具有不同程度的抑制作用。 相似文献
112.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
113.
This paper investigates mutual influence of duct and room acoustics in the whole fan-duct-plenum-room integrations. Applying the parametric design language of finite element software ANSYS (APDL), dimensional and positional influence on system acoustics has been studied. Models with different room dimensions, duct lengths, duct cross-sections, duct locations, duct discharges and duct elbow were constructed, and their characteristics were compared qualitatively. Results show that small rooms, short ducts, large duct cross-sections and bell mouth duct discharges help to increase room sound pressure levels (SPLs); SPLs in ducts and plenums are sensitive to duct dimensions and duct discharge types but insensitive to duct locations and room dimensions; duct elbows have relatively indistinct acoustic influence in each component. Based on the calculation results, a semi-experimental method was proposed for simply and approximately evaluating indoor acoustic spectra of fan-duct-plenum-room integrations, then an example was used to demonstrate the prediction process. Finally, by adopting several ideal models, sound field constitutions, duct and room wall admittances and duct end reflection were explored quantitatively. This study may give a detailed understanding of fan-duct-plenum-room acoustics for researchers, also it might provide a new, simple and approximate prediction method for professionals to evaluate and improve fan-ducted acoustics. 相似文献
114.
Baowei Qiao Jie Feng Yun Ling Ting’ao Tang Bomy Chen 《Applied Surface Science》2006,252(24):8404-8409
The effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 film are studied in detail. Electrical properties and thermal stability can be improved by doping small amount of Si in the Ge2Sb2Te5 film. The addition of Si in the Ge2Sb2Te5 film results in the increase of both crystallization temperature and phase-transition temperature from face-centered cubic (fcc) phase to hexagonal (hex) phase, however, decreases the melting point slightly. The crystallization activation energy reaches a maximum at 4.1 at.% and then decreases with increasing dopant concentration. The electrical conduction activation energy increases with the dopant concentration, which may be attributed to the increase of strong covalent bonds in the film. The resistivity of Ge2Sb2Te5 film shows a significant increase with Si doping. When doping 11.8 at.% of Si in the film, the resistivity after 460 °C annealing increases from 1 to 11 mΩ cm compared to the undoped Ge2Sb2Te5 film. Current-voltage (I-V) characteristics show Si doping may increase the dynamic resistance, which is helpful to writing current reduction of phase-change random access memory. 相似文献
115.
116.
有界连通区域上Dirichlet空间及其算子 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要讨论了有界连通区域Dirichlet空间上Toeplitz算子的Fredholm性质,计算了符号在C1中的Toeplitz算子的本性谱和Fredholm指标. 相似文献
117.
我国医疗费用增长与医疗设备投入的相关性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
近年来我国卫生总费用占GDP的比例增长很快,而在卫生费用结构上则发生政府投入下降和个人支出的上升。本文采集了大量的统计数据,采用统计相关性研究的方法,论证了医疗设备规模的不断扩大是导致医疗费用上升的主要因素之一;医疗设备的快速增长与医院维修费用投入的增长直接相关,而引起医疗设备维修大量投入的主要原因则是故障期内医疗设备的非正常闲置。本文通过对个人卫生费用的上升、医疗设备规模的扩大及其医疗设备维修投入费用增加相关性的分析,说明了在这种关系下,十分有必要研究医院医疗设备维修体系,以在卫生投入和患者权益上达到平衡。 相似文献
118.
119.
120.
X-ray emission spectra for L-shell of Li-like aluminium ions are simulated by using the flexible atomic code based on the collisional radiative model. Atomic processes including radiative recombination, dielectronic recombination, collisional ionization and resonance excitation from the neighbouring ion (Al^9+ and Al^11+ ) charge states of the target ion (Al^10+) are considered in the model. In addition, the contributions of different atomic processes to the x-ray spectrum are analysed. The results show that dielectronic recombination, radiative recombination, collisional ionization and resonance excitation, other than direct collisional excitation, are very important processes. 相似文献