STUDY OF MICROSTRUCTURE AND ELECTROLUMINESCENCE OF ZINC SULFIDE THIN FILM

The electroluminscent zinc sulfide thin film doped with erbium, fabri cated by thermal evaporation with two boats, are examined. The surface and internal electronic states of ZnS thin film are measured by means of X-ray diffracti on and X-ray photoemission spectroscopy. The information on the relations between electroluminescent characteristics and internal electronic states of the film is obtained. And the effects of the microstructure of thin film doped with rare earth erbium on electroluminescence are discussed as well.     

GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合

采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，观察到GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气第零子能带的N＝1 Landau能级与高达第五子能带的N＝0 Landau能级的共振耦合现象，由此精确测量了各子能带能量间距，并与自洽的理论计算结果相比较.同时，讨论了共振子能带-Landau能级耦合所引起的Landau能级分裂大小与子能带量子数的关系.     

A Novel Fabrication Technique of Long Period Fiber Gratings

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｉｎｃｅｔｈｅｄｉｓｃｏｖｅｒｙｏｆｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙｉｎｇｅｒｍａｎｏｓｉｌｉｃａｔｅｏｐｔｉｃａｌｆｉｂｅｒｓｂｙＨｉｌｅｔａｌ．ｉｎ１９７８［１］，ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｐｒｏｇｒｅｓｈａｓｂｅｅｎｍａ...     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2中Ce3+和Eu2+的光谱性质和能量传递

首次合成了Ｃｅ＾３＋和Ｅｕ＾２＋共激活氯硅酸镁钙Ｃａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｃｅ＾３＋，Ｅｕ＾２＋高效绿色荧光粉，报道了它们的漫反射光谱、激发和发射光，观察到氯硅酸镁钙中Ｃｅ＾３＋ Ｅｕ＾２＋     

锡(Ⅳ)-偶氮邻苯二酚苯基荧光酮-吐温-80体系分光光度法测定岩石中微量锡

pH值在7.0-8.5的范围内，锡与偶氮邻苯二酚苯基荧光酮、吐温－80形成络合物，其最大吸收峰556nm，摩尔吸光系数2.9×10^5L·mol^-1·cm^-1，锡的含量在0－6μg/25mL范围内遵守比耳定律，本方法对干扰离子的影响和消除进行了研究，本方法已被用于岩石样中锡的测定，结果满意。     

非谐振子势的精确解和双波函数描述

求解了非谐振子势V(x)=x²/2+g/2x²的本征方程，给出了精确的能谱方程和归一化波函数.应用双波函数理论，得到了在非谐振子势场中单粒子运动状态的力学量的时间演化方程. 关键词：     

半经典Brans-Dicke理论中的闭合宇宙解

在计及真空涨落的半经典Brans-Dicke理论中，找到了一个小尺度因子时的闭合宇宙解.它存在一个初始类空的曲率奇点. 关键词：     

光在按特殊准晶方式排列的媒质中的传播

简单介绍Fibonacci-class准晶(FC(n))的结构特性，利用电场理论和二阶单位模矩阵的特殊性质，研究了光在按FC(n)准晶链排列的多层介质膜中传播时的光透射性质，发现FC(2m)的透射系数具有开关性质，FC(2m+1)的透射系数具有六循环性质，它们的最大值在π(1/2±k)附近具有有趣的性质. 关键词：     

纳米硅薄膜的光致发光特性

用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si∶H)薄膜.讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响.用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si∶H的PL.研究了PL谱的温度特性.温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级. 关键词：     

赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In_0.80Ga_0.20As/In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应，以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词：