K5Bi0.9Er0.1(MoO4)4的晶体生长和光学性质

在化学计量的熔料里,用提拉法生长了K₅Bi_0.9Er_0.1(MoO₄)₄单晶。该晶体属于三方晶系,空间群为R3m,z=1.5,晶胞参数为a=6.029?,c=20.823?(六方表示)。晶体具有层状结构,沿着(0001)面容易解理。晶体在室温下的吸收光谱包括有若干条吸收带,它们是稀土离子所特有的。其中三个主要的吸收峰分别相当于从Er³⁺离子的基态 ⁴I_15/2向 ⁴G_11/2, ²H_11/2和 ⁴I_13/2能级的跃迁。本文还给出晶体中相当于 ⁴I_13/2→ ⁴I_15/2跃迁的荧光发射光谱。 关键词：     

彩色莫尔等高术

本文提出了用棱镜色散产生莫尔等高线条纹假彩色编码的方法.研究了单棱镜和互补双棱镜两种典型系统.给出了实验验证.     

Er_xY_(1-x)Al_3(BO_3)_4晶体的生长和光谱性质

采用助熔剂法生长出了掺杂均匀的Er_xY_(1-X)Al_3(BO_3)_4厘米级优质单晶.测定了晶体的吸收、激发光谱.用Judd_Ofelt理论计算了晶体中Er~(3+)的十一条谱带的振子强度(ρ_(ad)和ρ_(md)以及Er~(3+)的强度参数Q_λ(λ-2、4、6).并由此计算了Er~(3+)不同能级之间跃迁的爱因斯坦自发辐射系数A_r、辐射寿命r、荧光分支比β_3以及积分发射截面Σ.根据这些参数讨论了在EYAB晶体中可能实现激光输出的通道.     

HL-1装置杂质控制与补充送气初步实验

将部分真空室内壁蒸钛,使Z_(eff)降低到2左右,电流坪区拉长到近400ms。用多个窄脉冲补充送气,获得了密度较高的等离子体,最大达到3. 7×10~(13)cm。实验结果表明,当前改善HL-1装置放电品质的关键在于控制杂质。     

V(001)表面上(4×1)-O,(2×2)-S两超结构的角分辨光电子谱

用角分辨紫外光电子谱详细研究了V(001)表面上,S和O偏析引起的(4×1)-O,(2×2)-S两超结构,确定了S,O各自引起的吸附态的峰位和对称性;得到了O占据V(001)表面上空位的实验证据。所得实验结果与理论计算相等。 关键词：     

硼离子注入多晶铁薄膜的非晶化作用的研究

不同剂量的硼离子注入的多晶铁薄膜的磁导率随注入剂量增加呈现非单调上升,其⁵⁷Fe转换电子穆斯堡尔谱显示了非晶态合金的生成,结果支持临界缺陷密度非晶化模型。 关键词：     

一维无公度势系统的迁移率边

“相继平均电阻率”局域性判据被用于研究一维无公度势体系Soukoulis-Economou模型的电子态局域性。本文所采取的数值计算方法表明,在波矢Q=0.7时中间三个子带的所有电子态均是扩展态,并未发现所谓的“局部迁移率边”。 关键词：     

退火对W/C周期性多层膜X射线衍射性能的影响

对W/C周期性多层膜的退火行为进行了精密X射线衍射测量,引入折射率修正,准确计算了多层膜的周期。观测到退火过程中多层膜周期变大的现象,同时二、三级Bragg衍射强度增大。用C层的密度下降对这些现象进行了解释。 关键词：     

Sm-Fe和Sm-Co非晶态合金薄膜的高场热磁效应

本文研究了Sm_xT_1-x(T=Fe,Co)非晶态薄膜的磁化强度σ与温度T的关系。发现在磁场H=7T下,对Sm_xCo_1-x样品(x=0.46,0.48,0.54,0.65)的升温过程测得的σ(T)曲线上有极大值,它对应的温度都在25—28K范围内,与成分关系不大。非晶态Sm_xFe_1-x(x=0.46,0.73)的结果与之不同,极大值对应的温度与成分有关。对上述样品,还发现在T≈6K附近σ(T)有极小值(和陡变),在近室温端,出现σ(T)下降缓慢的“拖尾巴”现象。我们认为,Sm-Co非晶态薄膜表现的高场热磁效应可能起源于Sm原子磁矩对磁化的贡献不可忽略,作用在Sm原子上的局域无规各向异性很强;这种各向异性在20—30K变化较大。而Sm-Fe薄膜的高场热磁效应可能起源于Fe原子磁矩的分散。σ(T)在6K附近的极小值(和陡变)及其在室温端变化缓慢的原因,可能是合金成分的涨落所致。 关键词：     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：