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气冷电流引线被广泛的应用于许多大型超导磁体及其它一些超导装置中.由于引线实际制作过程中的差异或者超导装置本身的一些问题,正负两个引线之间或者同一引线的不同流道之间都存在着冷却气流分配上的不均衡.超导装置中除电流引线外的其他低温热源也可能使流经引线的冷却气流处于非正常状态.所有这些都会使电流引线的实际工作状况偏离最优化设计.本文用数值模拟的方法对非最优化冷却气流条件下的电流引线运行状况进行了研究,分析了冷却气流偏离最优化程度与引线实际运行参数之间的影响关系. 相似文献
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采用Nd0 .7Sr0 .3MnO3/SrTiO3/YBa2 Cu3O7-δ的异质结构 ,研究了自旋极化准粒子的注入效应 .在 5 6 μm宽的YBCO膜条上成功地制备了与超导膜条同样宽度但不同长度的六个注入结区 ,长度L分别为 80 μm ,4 0 μm ,2 0 μm ,10 μm ,5 μm和 2 μm .80nm厚的YBCO薄膜在 16K温度下Jc 为 2× 10 5A/cm2 .Iin=0 .5mA的自旋电流注入下 ,随L从 80 μm逐渐顺次减小时 ,注入效率 η =ΔJc/ΔJin逐渐增大 .而当L≤ 2 0 μm后 ,η不再增加 ,达到几乎相同的值 (~ 6 ) .初步分析认为这与自旋极化准粒子在超导膜内的有效自旋扩散长度有关 .异质结构中YBCO薄膜的超导电性以及注入窗口的尺寸对获得大的自旋注入效率十分重要 . 相似文献
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在正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/自旋三重态p波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了铁磁绝缘层对隧道结微分电导的影响.研究表明:(1)对于px波,粗糙界面散射和磁散射都能使零偏压电导峰变低,能隙处凹陷升高;随着磁散射的增强,谱线的尖锐峰消失,宽峰逐渐变为凹陷;(2)对于py波,粗糙界面散射和磁散射都能使零能凹陷上移,能隙峰变低,随着粗糙界面散射的增强,两能隙峰间距减小;随着中间正常金属层厚度的增加,能隙内电导随外加偏压呈现振荡行为,能隙外电导仅与普通势垒有关;(3)对于px+ipy波,随着粗糙界面散射的增强,零偏压电导峰被压低,双凹陷处的值逐渐增大为小的能隙峰,而磁散射并不改变谱线中各凹陷处的电导值. 相似文献
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Simulation of Phase-Change Random Access Memory with Ring-Type Contactor for Low Reset Current by Finite Element Modelling 下载免费PDF全文
A three-dimensional finite element models for phase change random access memory (PCRAM) is established to simulate thermal and electrical behaviours during RESET operation. The RESET behaviours of the conventional structure (CS) and the ring-type contact in bottom electrode (RIB) are compared with each other. The simulation results indicate that the RIB cell has advantages of high heat efficiency for melting phase change material in cell, reduction of contact area and lower RESET current with maintaining good resistance contrast. The RESET current decreases from 1.26mA to 1.2mA and the heat consumption in CST material during programming increases from 12% to 37% in RIB structure. Thus the RIB structure PCRAM cell is suitable for future device with high heat efficiency and smaller RESET current. 相似文献
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Compact Single-Stage Femtosecond Multipass Ti:Sapphire Amplifier at 1 kHz with High Beam Quality 下载免费PDF全文
A compact femtosecond Ti:sapphire amplifier system is reported using single-stage multipass configuration with high beam quality. A high dispersion glass stretcher and a pair of double prisms for compression are introduced based on broadband femtosecond seed pulses. The non-grating-based pulse stretcher and compressor are advantageous to increase high beam quality and to reduce the high-order dispersion. A Gaussian filter is used to reduce the gain narrowing effect in amplification. The compact femtosecond Ti:sapphire nine-pass amplifier delivers pulses with a duration of 26 fs and an energy of 800μJ at 7mJ pumping pulses energy at I kHz. The 1-kHz femtosecond amplifier with high beam quality and high stability is very suitable for ultrafast physics research applications, such as attosecond science, ultra-precision micromachining, and THz wave generation. 相似文献
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在HL-2A装置上发展了一套撕裂模实时主动控制系统。该系统在放电期间用电子回旋发射/软X射线诊断实时确定撕裂模的几何位置,结合实时剖面重建和电子回旋波沉积计算,得到电子回旋波反射镜的控制角度值。通过电机实时驱动电子回旋波反射镜到达指定角度,使得电子回旋波功率沉积在撕裂模的有理磁面附近,改变当地局部的电流剖面,从而控制撕裂模,改善等离子体约束。该系统已经在2015年以后的实验中投入使用,并取得了良好的控制效果。它不仅能够实时发现并控制经典撕裂模,并且具有控制新经典撕裂模的潜力。 相似文献
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