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根据物理量的可测实在性,应用二次型理论,一般地解决了3个质量与3个频率均不相同、坐标和动量各自具有全耦合谐振子系统的哈密顿量的可对角化问题,并具体给出了哈密顿量对角化的标准形. 相似文献
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利用径向可移动朗缪尔三探针和马赫探针对HT-7超导托卡马克边界等离子体参量及其涨落进行了空时空分辨测量.给出了欧姆放电及其与低杂波电流驱动共同作用下边界等离子体电位φp、电子温度Te和电子密度ne及其涨落的径向分布.实验表明,在限制器附近,存在一由Er×B确定的极向旋转速度剪切层.在剪切层内,Te和ne分布较陡,且φp,Te和ne的相对涨落水平下降明显.这说明剪切层对边界区的等离子体涨落具有抑制作用.低杂波驱动使径向电场梯度变陡,从而使剪切程度加深但对剪切层宽度无影响.此外,测量表明等离子体环向速度马赫数Mφ存在径向梯度.环向流的这种径向梯度可能是形成径向电场所需的平均极向流的一种重要驱动源
关键词:
托卡马克
边界涨落
低杂波驱动 相似文献
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水溶性量子点荧光探针用于帕珠沙星的含量测定 总被引:5,自引:0,他引:5
文章采用荧光光谱和紫外光谱研究了CdTe量子点(CdTe QDs)与广谱抗菌药物帕珠沙星的相互作用。结果表明,随着帕珠沙星浓度的增加,CdTe QDs荧光强度有规律的降低,但通过透射电镜图对QDs及加入帕珠沙星后的QDs进行比较,发现QDs仍然均一单分散,表明反应的作用机理可能是帕珠沙星促使QDs表面键合的有机分子发生变化,在Cd空位表现出的表面缺损上形成了碲氧复合物,致使荧光猝灭。因此该反应可作为一种新颖的快速检测帕珠沙星含量的方法。在一定条件下,帕珠沙星溶液的浓度与量子点荧光强度成线性关系,线性范围为10.0~850 μg·mL-1,相关系数r为0.995 4,检测限(S/N=3)为3.254×10-3 μg·mL-1。药物对量子点的猝灭常数为2.188×104 L·mol-1。应用到冻干粉针剂和氯化钠注射液中帕珠沙星的含量测定,所得结果与标示量一致。该方法较常用检测方法具有简便、快捷、灵敏、线性范围宽的优点,并有望进一步开展发药物体内显像及作用机理的研究。 相似文献
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Compact Single-Stage Femtosecond Multipass Ti:Sapphire Amplifier at 1 kHz with High Beam Quality 下载免费PDF全文
A compact femtosecond Ti:sapphire amplifier system is reported using single-stage multipass configuration with high beam quality. A high dispersion glass stretcher and a pair of double prisms for compression are introduced based on broadband femtosecond seed pulses. The non-grating-based pulse stretcher and compressor are advantageous to increase high beam quality and to reduce the high-order dispersion. A Gaussian filter is used to reduce the gain narrowing effect in amplification. The compact femtosecond Ti:sapphire nine-pass amplifier delivers pulses with a duration of 26 fs and an energy of 800μJ at 7mJ pumping pulses energy at I kHz. The 1-kHz femtosecond amplifier with high beam quality and high stability is very suitable for ultrafast physics research applications, such as attosecond science, ultra-precision micromachining, and THz wave generation. 相似文献
29.
Simulation of Phase-Change Random Access Memory with Ring-Type Contactor for Low Reset Current by Finite Element Modelling 下载免费PDF全文
A three-dimensional finite element models for phase change random access memory (PCRAM) is established to simulate thermal and electrical behaviours during RESET operation. The RESET behaviours of the conventional structure (CS) and the ring-type contact in bottom electrode (RIB) are compared with each other. The simulation results indicate that the RIB cell has advantages of high heat efficiency for melting phase change material in cell, reduction of contact area and lower RESET current with maintaining good resistance contrast. The RESET current decreases from 1.26mA to 1.2mA and the heat consumption in CST material during programming increases from 12% to 37% in RIB structure. Thus the RIB structure PCRAM cell is suitable for future device with high heat efficiency and smaller RESET current. 相似文献
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In the comparison of damage modifications, absorption measurement and energy dispersive x-ray analysis, the effect of vacuum on the laser-induced damage of anti-reflection coatings is analyzed. It is found that vacuum decreases the laser-induced damage threshold of the films. The low laser-induced damage threshold in vacuum environments as opposed to air environments is attributed to water absorption and the formation of the O/Si, O/Zr sub-stoichiometry in the course of laser irradiation. 相似文献