铜电路板缝腐蚀过程缝隙中pH、Cl-浓度分布的测量

根据铜电路板缝腐蚀特征,研制了阵列式Ag/AgCl、IrO2电极,设计缝隙腐蚀模拟装置,在0.5mol.L-1的NaCl溶液中分别同时原位检测电子线路板缝隙腐蚀过程,缝隙内的氯离子浓度分布、pH分布及其随时间的变化.研究表明,在电子线路板发生缝隙腐蚀的过程中,缝隙内部不同深度的Cl-及H+浓度逐渐增大,且随着与缝口距离的增大而增大,从而导致缝隙腐蚀不断向纵深方向发展.     

自组装单层保护金纳米团簇的量子化电容充电

本文研究自组装单层保护金纳米团簇(C12Au MPC)在常温下二氯甲烷溶液中的量子化电容充电效应.示差脉冲伏安曲线显示金核平均直径为2.0 nm的C12Au MPC在-0.6~0.6 V电位区间内有9个明显的量子化电容充电峰,其双电层电容总的变化趋势为在零电荷电位附近最小,随着电位正移或负移电容变大.而且随着该金核尺寸的增大,MPC双电层电容值也变大.     

一致空间的理想导集映射

本文介绍一致空间的理想导集映射,并对这些映射的像展开研究.同时,介绍I-Hurewicz有界性的概念,研究I-Hurewicz有界性的基础拓扑运算性质.最后,得到一致空间中I-Hurewicz有界性的一个等价刻画.     

期望效用函数理论及其应用

分析了期望效用函数理论,并将其运用于图书馆的管理工作,从中发现其规律性.为图书馆的科学管理提供了一条有效的途径.     

柔性有机电致发光器件导电基板的工艺性能

在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌。结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2。     

BaAl2O4催化同时去除NOx和碳烟的性能研究

BaAl2O4催化同时去除碳烟和NOx具有较高的活性.与非催化燃烧比,在BaAl2O4催化作用下,碳烟的起燃温度(tig)降低了175℃以上,最大燃烧温度(tm)降低了240℃以上.碳烟与BaAl204紧密接触、反应气体中O2含量越高、反应气体的总流量越低越有利于催化反应进行.通过漫反射红外光谱(DRIFTS)分析,证实了以单齿硝酸盐、离子硝酸盐和桥位硝酸盐的形式存在于BaAl2O4表面的NO2(ad)物种与碳烟的反应在同时去除碳烟和NOx的过程中起主要作用.     

HT-7电子加热实验的软X射线能谱诊断

介绍了HT-7装置上软X射线能谱诊断系统,用软X射线能谱对HT-7托卡马克上电子温度进行了测量。在离子伯恩斯坦波和低杂波协同实验中,观察到了对等离子体的较好的加热效果。     

Dynamic Behavior of Lambda-Type Three-Level Atoms and Two-Mode Cavity Field

A system comprising of Lambda-type three-level atoms and the two-mode cavity field is considered in this paper. Under the adiabatical approximation and the large detuning condition, the effective Hamiltonian of the system in the interaction picture can be given out. If the two identical three-level atoms pass through the cavity in turn, the entangled state atoms can be generated. When the interaction time is taken to an appropriate value, the maximally entangled states are created. At the same time, the dynamic behaviors of the system are studied in detail.     

对流扩散方程的QC3无网格法

对流扩散方程作为偏微分运动方程的分支,在流体力学、气体动力学等领域有着重要应用.为解决对流扩散方程难以通过解析法得到解析解的难题,采用二阶一致3点积分(Quadratically Consistent 3-Point Integration,简称QC3)提高无网格法的计算效率,通过对积分点上形函数导数的修正,改善无网格...     

Ru、Rh、Pd掺杂GaSb的电子结构和光学性质

运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM @Ga)缺陷存在,并可增强GaSb半导体材料对红外光区光子的响应,使体系光学吸收谱的吸收边红移;TM@Ga所引入的杂质能级分布于零点费米能级附近,这极大地增强了体系的介电性能,促进了电子-空穴对的产生和迁移,因而提升了掺杂体系的光电转换效率;Ru 掺杂对GaSb光学性质的改善最为明显,当掺杂浓度为6.25%(原子数分数)且均匀掺杂时,Ru掺杂GaSb体系对红外光区光子的吸收幅度最大,有效提升了GaSb光电转换效率和光催化活性。