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201.
202.
分析了利用强流脉冲电子束轫致辐射产生强脉冲超硬X射线的几种主要技术途径的特点,以及提高超硬X射线产额的方法;利用MCNP软件计算了电子能量在0.4~1.4 MeV范围内,超硬X射线产生效率与钽辐射转换靶厚度的关系曲线;介绍了在“强光一号”加速器上开展产生强脉冲超硬X射线实验方法与实验结果,获得了3种强脉冲超硬X射线:脉冲宽度约35 ns,输出窗面积约50 cm2,能量密度为5~7 J/cm2;脉冲宽度约35 ns,输出窗面积约50 cm2,能量密度为12 J/cm2;脉冲宽度约35 ns,输出窗面积约500 cm2,能量密度为1 J/cm2。 相似文献
203.
Ce3+离子激活的SrB4O7的VUV光谱 总被引:1,自引:3,他引:1
Ce3+只有一个4f电子,具有最简单的4f15d0基态结构,其激发光谱直接反映了5d轨道的能量状态。由于同一基质晶格相同格位上不同稀土离子受基质晶体场影响相近,所以根据Ce3+离子的光谱可以推测和分析其他稀土离子的5d轨道能量,是研究其他稀土离子f-d跃迁的基础。采用高温固相法合成了Ce3+离子激活的SrB4O7发光体,测定了样品在130~350nm波长范围的激发光谱和相应的发射光谱。指认了VUV激发光谱上Ce3+离子的5个4f1→4f05d1跃迁激发带,讨论了SrB4O7的基质吸收带和Ce3+的5d轨道在SrB4O7中的晶体场劈裂、5d轨道能级重心及SrB4O7:Ce3+的发射光谱和Stokes位移。 相似文献
204.
205.
206.
本文研究了HL-1M装置运行初期第一壁材料对等离子体删削层杂质流通量及分布的影响,并与HL-1装置的结果进行比较。利用热通量探针测量,给出了HL-1和HL-1M装置删削层的热通量分布。在不同运行状态下,利用马赫探针组,测量了HL-1M装置边缘等离子体流的变化特性。 相似文献
207.
流动注射在线分离富集-火焰原子吸收光谱法测定环境水样中Cr(Ⅲ)和Cr(Ⅵ)的形态 总被引:9,自引:0,他引:9
采用单阀阴离子和阳离子交换树脂微柱并联 ,两柱交替采样逆向洗脱流动注射在线分离富集环境水样中Cr(Ⅲ )和Cr(Ⅵ ) ,分别用 15 %HNO3和 8%NH4 NO3洗脱 ,火焰原子吸收光谱法直接检测。富集 1min时Cr(Ⅲ )和Cr(Ⅵ )的特征浓度分别为 :1 5 0 μg·L- 1 和 1 39μg·L- 1 ,Cr(Ⅲ )和Cr(Ⅵ )检出限 (3σ)分别为 1 0 3μg·L- 1 和 0 5 4 μg·L- 1 ;相对标准偏差 (10 μg·L- 1 )分别为 :3 4 1%和 1 80 % ,分析样品加标回收率在 93 5 %~ 10 7 5 %之间。 相似文献
208.
In this paper, the form invariance and the Lie symmetry of Lagrange's equations for nonconservative system in generalized classical mechanics under the infinitesimal transformations of group are studied, and the Noether's conserved quantity, the new form conserved quantity, and the Hojman's conserved quantity of system are derived from them. Finally, an example is given to illustrate the application of the result. 相似文献
209.
210.
First-principles local density functional calculations are presented for the compounds ZnGa2X4 (X=S,Se). We investigate the bulk moduli and electronic band structures in a defect chalcopyrite structure. The lattice constants and internal parameters are optimized. The electronic structures are analysed with the help of total and partial density of states. The relation between the cohesive energy and the unit cell volume is obtained by fully relaxed structures. We derive the bulk modulus of ZnGa2X4 by fitting the Birch-Murnaghan's equation of state. The extended Cohen's empirical formula agrees well with our ab initio results. 相似文献