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51.
非傍轴平顶高斯光束M2因子两种定义的比较研究 总被引:1,自引:1,他引:0
基于功率密度的二阶矩方法,推导出了非傍轴平顶高斯(FG)光束束宽和远场发散角的解析表达式.研究表明,当w0/λ→0时,远场发散角趋于渐近值θmax=63.435°,与阶数无关.使用非傍轴高斯光束代替傍轴高斯光束作为理想光束,研究了非傍轴FG光束的M2因子,并与传统定义的M2因子作了比较.在非傍轴范畴,非傍轴FG光束的M2因子不仅与阶数N有关,而且与w0/λ有关.按照定义,当w0/λ→0时,非傍轴FG光束的M2因子不等于0,对阶数N=1, 2, 3时,M2因子分别趋于0.913,0.882和0.886.当N→∞时,M2因子取最小值M2min=0.816. 相似文献
52.
53.
ON THE UNIQUENESS OF THE WEAK SOLUTIONS OF A QUASILINEAR HYPERBOLIC SYSTEM WITH A SINGULAR SOURCE TERM 下载免费PDF全文
This paper is a continuation of the authors'previous paper[1].In this paper the authorsprove,assuming additional conditions on the initial data,some results about the existence anduniqueness of the entropy weak solutions of the Cauchy problem for the singular hyperbolicsystem a_t+(au)_x_2au/x=0,u_t+1/2(a~2+u~2)_x=0,x>0,t≥0. 相似文献
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E. C. Ferreira J. A. P. da Costa J. A. K. Freire G. A. Farias V. N. Freire 《Applied Surface Science》2002,190(1-4):191-194
Confined excitons in non-abrupt GaAs/AlxGa1−xAs single quantum wells are studied. The graded interfaces are described taking into account fluctuations in their thickness a and positioning with respect to the abrupt interface picture. Numerical results for confined (0,0),(1,1) and (0,2) excitons in GaAs/Al0.3Ga0.7As quantum wells show that while the interfacial fluctuations produce small changes (<0.5 meV) in the exciton binding energies, the confined exciton energies can be red- or blue-shifted as much as 25 meV for wells with mean width of 50 Å and 2 ML wide interfaces. 相似文献
55.
56.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
57.
58.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射. 相似文献
59.
60.