O′-β′复相Sialon陶瓷中相组成的控制

用Si₃N₄,SiO₂和Al₂O_?作原料,以Y₂O_?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si₃N₄-O’(x=0.3)-Y₂Si₂O₇-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。     

对求解非线性方程方法的探索

BaiCL在2001年提出了双曲函数法，并把解设成具体的双曲函数，即sinhw和coshw的线性组合．本文把解设成是由2个函数f(ξ)和g(ξ)组成的线性组合，它们可以有多种取法，从而使方程更直接、更有效．借助数学软件Maple，用改进后的方法和吴文俊消元法，求解Bai C L文中的一个例子，获得了包含Bai文结果在内的更为丰富、精确的行波解．     

一种小波域音频信息隐藏方法

提出了一种基于量化的小波域音频隐藏算法，将保密语音隐藏到载体音频中．为提高隐藏重和保密语音传输的安全性，对保密语音进行了小波域压缩编码和m序列的扩频调制，生成待隐藏的比特序列；通过量化方法，将编码和调制后的保密语音隐藏到载体音频的小波系数中；保密语音的恢复过程不需要使用原始音频、仿真结果表明，隐藏有保密语音的载体音频听觉质量没有明显下降，提取的保密语音感知质量较好；该算法对重量化、加噪、低通滤波等攻击均有良好的鲁棒性．     

单光子态的产生与测量

报道了通过自发参量下转换产生单光子态的实验研究,使用中心波长425 nm的飞秒脉冲泵浦Ⅰ类非共线相位匹配的BBO晶体,在实验上得到单光子计数率为2.978×10-4,并分析了实验中的相关问题.     

用于激光推进的高功率激光器的选择

 从激光推进的要求出发，阐述了用于激光推进的高功率激光器的选择原则，即激光器必须满足：（1）高的平均功率和峰值功率；（2）高的单脉冲能量；（3）高的重复频率；（4）优良的大气传输特性。主要分析了目前YAG固体激光器、自由电子激光器和TEA脉冲CO₂激光器的特点，通过上述4个方面性能的比较，认为在目前水平下，TEA脉冲CO₂激光器是进行激光推进的首选强激光源，其优点表现在：功率可达10kW量级，单脉冲能量可达0.5~1kJ，重复频率为20~40Hz；激光波长处于大气传输窗口，对大气变化不敏感；工作物质快速流动，不存在热透镜效应和破坏阈值；相关光学元件易于制造；光束质量较好；运行成本低。     

行波管内不连续性的简易模型分析

 根据行波管内微波信号在输能装置和切断衰减器处两个不连续性之间来回反射的物理现象，建立行波管输出段的简易网络串模型，并对行波管输出段传输特性参数的幅频特性、相频特性进行计算分析。结果表明：输能装置和切断衰减器的不连续性是造成幅相一致性行波管相位不可补偿的重要因素之一。     

乳糖修饰壳聚糖微载体的制备及对培养肝细胞代谢活性的影响

液体石蜡作分散介质。戊二醛作交联刑，通过反相悬浮聚合制备了微米级的壳聚糖微载体．环氧氟丙烷活化后，乳糖进行修饰．用孔糖修饰的微载体进行原代大鼠肝细胞培养，利用相差显微镜对培养细胞进行形态观察，并测定肝细胞的代谢活性，结果显示，乳糖修饰壳聚糖微载体是一种优良的肝细胞培养支架．     

函数模拟法求解锥形模超塑挤压的力学场——超塑挤压解析理论之一

本文首次用模拟位移函数的方法,给出锥形模超塑挤压力学场的解析式以及应变、应变速率和应力的约束方程。由于实验选用的是典型超塑性合金ZnAl₅,所以结果有相当的包络性。即使对于非典型超塑性材料,这种方法亦有普遍意义。     

The Exact Solutions of Some (2 + 1)-Dimensional Integrable Systems

The equivalence of three (2 1)-dimensional soliton equations is proved, and the quite generalsolutionswitha some arbitrary functions of x, t and y respectively are obtained. By selecting the arbitrary functions, many specialtypes of the localized excitations like the solitoff solitons, multi-dromion solutions, lump, and multi-ring soliton solutionsare obtained.     

Analytic Solution of Charge Density of Single Wall Carbon Nanotube under Conditions of Field Electron Emission

We derive the analytic solution of induced electrostatic potential along single wall carbon nanotubes. Under the hypothesis of constant density of states in the charge-neutral level, we are able to obtain the linear density of excess charge in an external field parallel to the tube axis.