掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er³⁺中⁴I_13/2到⁴I_15/2光跃迁在T_d晶场下的分裂.Er³⁺的第一激发态⁴I_13/2最低能量的两个Stark能级为Γ₈，Γ₆(能量递增)，它们到基态⁴关键词：     

电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率

根据非晶态半导体的能带理论，讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明：在高电场下，由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中，电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导；而在导带扩展态中，电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外，以实验数据为基础，计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度. 关键词：     

高温壁面液体射流冲击瞬态沸腾传热的实验研究

以水作为冷却介质,对高温壁面在射流冲击淬冷时的瞬态换热特性进行了实验研究,获得了介质在不同过冷度、不同射流速度下的完整沸腾曲线。实验结果表明。无论是增大工质过冷度还是提高射流速度,总会使得热壁面的冷却速率加大。在一定的过冷度和射流速度下壁温变化呈现快－慢－快的特点。临界热流密度随平均壁温变化率的增大而增大,二者之间存在线性关系．     

小功率空气-氩气混合气冷却ICP中电子密度的测定

在与小功率全Ａｒ－ＩＣＰ类似的条件下,使用顺序扫描等离子体光谱,用Ｓｔａｒｋ加宽法,选择Ｈβ（４８６．１ｎｍ）谱线,测定了空气－氩气混合气冷却ＩＣＰ中在感应线圈上０、２、５、１０ｍｍ处电子密度的侧向分布并将其中部分侧向分布经Ａｂｅｌ变换为径向分布。     

c(2×2)-(K+CO)在Co{1010}表面吸附的NEXAFS研究

对CO和K共吸附在CO{1010}表面的系统进行了O的1s NEXAFS理论研究,证实吸附分子CO的键长比气体状态时增长约0.01nm.用MSC(多重散射团簇)理论计算谱与实验结果比较发现：在原π峰右侧出现了一个新的弱结构.证明了此结构是由于K通过钴衬底对CO的间接作用造成的,它具有π共振的性质. 关键词：     

文物红色系颜料高光谱识别指数研究

红色系矿物颜料曾被艺术家们大量地使用在古画和古建筑上.正确地识别出不同种类的红色系颜料对于文物监测与修复具有重要意义.传统的颜料识别主要依靠化学分析,不仅识别速度慢、识别范围小,而且对文物进行取样操作会造成文物的永久损伤.高光谱技术对颜料进行无损识别可以很好地解决这些问题.选用辰砂、胭脂、银朱、朱膘、朱砂、赭石、赭粉、...     

沟渠内杨木三合板架空燃烧的火灾行为的研究

建立了缩尺寸沟渠火灾试验模型,测量了沟渠以及平台入口附近的温度分布,研究了沟渠内杨木三合板架空燃烧的位置和沟渠的倾斜角度对火蔓延行为的影响,分析了火焰传播特征和火蔓延速率.试验结果表明:在沟渠效应和烟囱效应的综合作用下,火焰先从杨木三合板与沟渠底板之间的狭长空间传播到沟渠顶部,在入口处形成喷射状火焰;狭长空间内的温度先...     

IMD-MgB2超导线材的研究进展

中心镁扩散技术(IMD)自2003年被Giunchi等人首创以来,国内外学者系统地揭示了Mg与B反应机制,MgB_(2)烧结成相过程及掺杂物的影响;IMD-MgB_(2)线材具有致密的MgB_(2)层,J_(e)远高于同等条件下传统PIT法制备的线材.目前IMD-MgB_(2)百米级线材已被成功制备,为IMD-MgB_(2)超导线材的生产应用奠定了基础.本文首先简要介绍了IMD-MgB_(2)超导线材的发展历程,其次讨论了对线材超导性能影响的相关因素,包括B粉和C掺杂、有效的MgB_(2)层密度、晶粒尺寸、粉末填充系数、线材直径、热处理条件及线材的交流损耗,最后简述了IMD-MgB_(2)超导线材目前存在的技术难题及未来的工作重心.     

Luminescence Properties of Sr2SnO4：Sm^3＋ Afterglow Phosphor

A new long-lasting phosphorescence （LLP） phosphor, Sr2SnO4：Sm3＋ which emits reddish-orange LLP upon UV-excitation, is prepared by a conventional high-temperature solid-state method. After irradiation under 247-nm UV light, Sr2SnO4：Sm3＋ emits an intense reddish-orange emission afterglow from the 4G5/2 to 6HJ （J = 5/2,7/2,9/2） transitions. The afterglow decay curve of the Sm3＋-doped Sr2SnO4 phosphor contains a fast decay component and another slow decay one. Due to the presence of the slow decay component, the afterglow can be seen with the naked eye in the dark clearly for more than 1 h after removal of the excitation source.