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132.
壳聚糖抗庭院植物病原真菌的活性 总被引:1,自引:1,他引:0
分别用过氧化氢和溶菌酶降解壳聚糖,制备得到了系列分子量(3.8×105,7.8×104,4.8×104,1.7×104,2.3×103)的壳聚糖样品.采用平板法研究了壳聚糖系列样品对大叶黄杨炭疽病、沿阶草炭疽病、广玉兰炭疽病和对节白蜡腐烂病等庭院植物病原真菌的体外抗菌性能.结果表明:水不溶性壳聚糖酸溶液均表现出抑菌活性,且随着浓度的增大而抑菌活性增强;中等分子量(7.8×104)壳聚糖比大分子量(3.8×105)壳聚糖和低分子量(1.7×104,2.3×103)壳聚糖抗菌作用强. 相似文献
133.
建立了局部紧Vilenkin群上加权Herz空间上向量值极大函数的Fefferman-Stein型加权不等式. 相似文献
134.
近来,关于无序涡旋物质凝聚体的著名的涡旋玻璃理论受到了来自某些新实验的严重质疑.我们重新审查了高温超导体的临界标度,发现超导混合态的直流伏安特性具有扩展幂律的一般形式.由该扩展幂律型非线性方程模拟的等温线和Strachan等人得到的实验数据[Phys.Rev.Lett.87(2001),067007]符合得很好.文中还讨论了长期以来围绕纵向电阻率和霍尔电阻率的临界指数的某些争议. 相似文献
135.
In this paper, by applying a vector-valued inequality we obtained a decomposition theorem on Herz spaces over locally compact Vilenkin groups with new range 0 < q≤1. 相似文献
136.
StudiesontheCrystallizationBehaviorofPolypropyleneSolidPhaseGraftedMaleicAnhydrideStudiesontheCrystallizationBehaviorofPolypr... 相似文献
137.
Electrical Properties of La-Doped Al2O3 Films on Si (100) Substrates as a High-Dielectric-Constant Gate Material 下载免费PDF全文
Amorphous La-doped Al2O3 (La: Al2O3) thin films are deposited on n-type (100) Si substrates by rf magnetron co-sputterlng. The composition of the deposited films is measured by energy dispersive x-ray spectroscopy: Capacitance-voltage measurement shows that the dielectric constant k of La-doped Al2O3 films ranges from 8.5 to 11.6 with the increasing La content, and the highest k value of 11.6 is obtained for the 20.14% La content film. In the structure of the Al/La:Al2O3/Si metal oxide semiconductor, the dominant conduction stems from the space- charge-limited current at different temperatures. In addition, the wavelength dependence of the transmittance is studied by ultraviolet spectroscopy and the band gap of all the deposited films is above 5.5eV. The results demonstrate that La-doped Al2O3 can meet the requirement of next-generation gate materials. 相似文献
138.
正互反判断矩阵元素与优先权重新的逻辑关系 总被引:3,自引:1,他引:2
揭示了一种含参数的正互反判断矩阵元素与优先权重新的逻辑关系,并对参数的含义作了解释.得出了四个重要结论.通过算例与Saaty提出的层次分析法做了比较,说明了该方法的合理、科学性. 相似文献
139.
一、引言 多年来,从事受控核聚变的研究人员相继对环形磁约束装置的硬X射线辐射做了许多深入的实验研究,因为逃逸电子是高温等离子体的必然产物,通过逃逸电子产物——硬X射线的研究,便可得知等离子体的行为。但是,装置的硬X射线辐射剂量却直接影响到周围环境及工作人员的身体健康。高能X射线通过物质时,主要以光电效应,康普顿散射和电子对效应损失能量,进入生物组织后,X射线能量在其中转移、吸收乃至最终导致组织损伤。随着实验的进展,人们对硬X射线辐射剂量日益关心。为此,1987年,我们在HL-1装置实验运行期间(近旁的电子回旋共振加热系统未投入工作),测量了装置的硬X射线辐射剂量。 相似文献
140.
本文研究了SmxT1-x(T=Fe,Co)非晶态薄膜的磁化强度σ与温度T的关系。发现在磁场H=7T下,对SmxCo1-x样品(x=0.46,0.48,0.54,0.65)的升温过程测得的σ(T)曲线上有极大值,它对应的温度都在25—28K范围内,与成分关系不大。非晶态SmxFe1-x(x=0.46,0.73)的结果与之不同,极大值对应的温度与成分有关。对上述样品,还发现在T≈6K附近σ(T)有极小值(和陡变),在近室温端,出现σ(T)下降缓慢的“拖尾巴”现象。我们认为,Sm-Co非晶态薄膜表现的高场热磁效应可能起源于Sm原子磁矩对磁化的贡献不可忽略,作用在Sm原子上的局域无规各向异性很强;这种各向异性在20—30K变化较大。而Sm-Fe薄膜的高场热磁效应可能起源于Fe原子磁矩的分散。σ(T)在6K附近的极小值(和陡变)及其在室温端变化缓慢的原因,可能是合金成分的涨落所致。
关键词: 相似文献