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111.
V.M. Cherkashenko V.E. Dolgih E.Z. Kurmaev A.A. Fotiev 《Journal of solid state chemistry》1977,22(2):217-220
The Lα-emission spectra of vanadium in oxides V2O3, VO2, V2O5, V3O5, V4O7, V6O11, V6O13, and V3O7 are investigated. It is discovered that the charge fluctuations in V3O5, V4O7, and V6O11 have a period greater than the hole life-time (~10?15 sec), while in V6O13 and V3O7 this period is less than 10?15 sec. 相似文献
112.
113.
D. A. Zatsepin I. R. Shein É. Z. Kurmaev V. M. Cherkashenko S. N. Shamin N. A. Skorikov A. D. Yadav S. K. Dubey 《Physics of the Solid State》2008,50(1):146-151
The local electronic structure of 〈111〉 n-silicon single-crystal samples is studied using Si L 2, 3 x-ray emission spectroscopy. The Si x O y N z system is formed by implanting the samples with an 16O 2 + and 14N 2 + ion molecular beam (the oxygen/nitrogen ratio in the molecular beam is 1:1, the implantation energy is 30 keV, the irradiation fluences vary from 2.0 × 1017 to 1.5 × 1018 cm?2, the samples after the implantation are subjected to rapid thermal annealing in nitrogen at 800°C for 5 min). A comparison of the recorded Si L spectra with the spectra of the reference samples reveals clear correlations between the specific features of the electronic structure of the silicon oxynitride formed upon implantation and the ion fluence. It is shown that the implantation at fluences of 2 × 1017 and 1 × 1018 cm?2 results in the predominant formation of Si3N4, whereas the implantation at a fluence of 1.5 × 1018 cm?2 leads primarily to the formation of SiO2 layers in single-crystal silicon. The most probable factors and mechanisms accounting for such implantation of 16O 2 + and 14N 2 + into the samples under study are discussed. The experimental data obtained are compared with ab initio full-potential linearized augmented plane wave calculations of the band structure. 相似文献