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11.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
12.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
13.
14.
两种拔尿管方法对膀胱功能损伤的临床观察 总被引:2,自引:0,他引:2
为观察两种不同的拔尿管方法对膀胱功能损伤的差异,将80例患者随机分成两组,分别采用改良法(40例)和常规法(40例)拔除留置尿管,分析比较了两组患者排尿顺利率、逼尿肌功能恢复率及尿道刺激症、尿失禁、尿潴留。结果表明,两组患者拔管后上述指标与情况有显著性差异,P<0.05。提示改良组膀胱功能损伤明显低于对照组。改良的拔管方法是一种值得护理推广应用的好方法。 相似文献
15.
16.
研究了不同比例的PVK与齐聚PPV衍生物DBVP掺杂体系的能量转移和发光特性.通过对PVK,DBVP及PVK:DBVP掺杂体系的UV-vis,PL和PLE光谱的研究,分析了PVK与DBVP之间的能量转移过程.利用PVK在体系中类似于溶剂的分散作用,制备了结构为ITO/PEDOT/PVK:DBVP/LiF/Al的电致发光器件,研究了掺杂体系的电致发光性能.结果表明,在掺杂体系的光致发光和电致发光中,PVK的发射被有效地抑制,PVK与DBVP之间发生了非常有效的能量转移,通过调节PVK与DBVP的比例,可以获得蓝色和绿色发光,同时可以改善器件的发光性能,当PVK与DBVP的重量比为1∶2时,器件的绿色发光效率达到1·06cd/A,此时发光亮度为52cd/m2. 相似文献
17.
AAS测定纸巾中的铅和镉 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用原子吸收光谱法测定纸巾中铅、镉的含量。结果表明,不同纸巾中的污染元素铅、镉的含量不同。同时还对一种纸巾的铅、镉元素进行了回收实验,回收率在92%-104%之间。 相似文献
18.
On Best Approximations from RS-sets in Complex Banach Spaces 总被引:2,自引:0,他引:2
ChongLI 《数学学报(英文版)》2005,21(1):31-38
The concept of an RS-set in a complex Banach space is introduced and the problem of best approximation from an RS-set in a complex space is investigated. Results consisting of characterizations, uniqueness and strong uniqueness are established, 相似文献
19.
This paper proposes a new two-stage two-phase VPP charge pump configured in such a manner that the body effect and the threshold voltage loss are eliminated. The newly proposed circuit is fabricated using 0.18 μm triple-well CMOS process and the measurement result shows that the VPP level tracks 3VDD when VDD is above the threshold voltage. 相似文献
20.
文章简要地叙述了法国著名物理学家路易·奈尔的成长历程与生平业绩,其中包括他在磁学领域的诸多重大贡献、成功地创立和领导了一个富有成就的科学研究团体以及他堪称为一位出色的科技开发企业家的风范. 相似文献