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Wu DY Hayes K Perl ML Barklow T Boyarski A Burchat PR Burke DL Dorfan JM Feldman GJ Gladney L Hanson G Hollebeek RJ Innes WR Jaros JA Karlen D Klein SR Lankford AJ Larsen RR LeClaire BW Lockyer NS Lüth V Ong RA Richter B Riles K Yelton JM Abrams G Amidei D Baden AR Boyer J Butler F Gidal G Gold MS Goldhaber G Golding L Haggerty J Herrup D Juricic I Kadyk JA Levi ME Nelson ME Rowson PC Schellman H Schmidke WB Sheldon PD Trilling GH Wood DR Schaad T 《Physical review D: Particles and fields》1990,41(7):2339-2342
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Ong RA Weir AJ Abrams GS Amidei D Baden AR Barklow T Boyarski AM Boyer J Burchat PR Burke DL Butler F Dorfan JM Feldman GJ Gidal G Gladney L Gold MS Goldhaber G Golding L Haggerty J Hanson G Hayes K Herrup D Hollebeek RJ Innes WR Jaros JA Juricic I Kadyk JA Karlen D Klein SR Lankford AJ Larsen RR LeClaire BW Levi M Lockyer NS Lüth V Nelson ME Perl ML Petersen A Richter B Riles K Rowson PC Schaad T Schellman H Schmidke WB Sheldon PD Trilling GH Wood DR Yelton JM 《Physical review letters》1988,60(25):2587-2590
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H. Kittel E. Held W. Klein R. P. Huebener 《Zeitschrift für Physik B Condensed Matter》1989,77(1):79-89
We report experimental observations of the phonon focusing pattern in [100] GaAs using low temperature electron beam scanning for phonon generation. The typical dispersive effects for high-frequency phonons expected from the calculations by Tamura have clearly been observed using PbIn tunnel junctions for phonon detection. The quantitative comparison of our experimental results with the frequency dependent calculations by Tamura allowed to determine the dominant phonon frequencies contributing to the detector signal in our different experiments. Above the temperature of the -point the dominant phonon frequencies appear to be shifted considerably to lower values, which could be explained by a heating effect in the liquid-He layer adjacent to the tunnel junction detector. By comparing the observed magnitude of the detector signal with different theoretical treatments of the detector response, we have found satisfactory agreement for a model where the perturbation due to the high-frequency phonons is restricted to the base electrode of the detector reached first by the phonons following their passage through the crystal. 相似文献