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101.
基于微波等离子体化学气相淀积生长的单晶金刚石制作了栅长为2μm的耗尽型氢终端金刚石场效应晶体管,并对器件特性进行了分析.器件的饱和漏电流在栅压为-6 V时达到了96 mA/mm,但是在-6 V时栅泄漏电流过大.在-3.5 V的安全工作栅压下,饱和漏电流达到了77 mA/mm.在器件的饱和区,宽5.9 V的栅电压范围内,跨导随着栅电压的增加而近线性增大到30 mS/mm.通过对器件导通电阻和电容-电压特性的分析,氢终端单晶金刚石的二维空穴气浓度达到了1.99×10~(13)cm~(-2),并且迁移率和载流子浓度均随着栅压向正偏方向的移动而逐渐增大.分析认为,沟道中高密度的载流子、大的栅电容以及迁移率的逐渐增加是引起跨导在很大的栅压范围内近线性增加的原因. 相似文献
102.
根据混沌吸引子的自相似分形特性,提出了一种利用协同滤波重构受污染混沌信号的降噪算法.所设计的降噪算法通过对相似片段的分组将一维混沌信号的降噪转化为一个二维联合滤波问题;然后,在二维变换域用阈值法衰减噪声;最后,通过反变换获得原始信号的估计.由于分组中的相似片段具有良好的相关性,与直接在一维变换域做阈值降噪相比,分组的二维变换能获得原信号更稀疏的表示,更好地抑制噪声.仿真结果表明,该算法对原始混沌信号的重构精度和信噪比的提升都优于小波阈值、局部曲线拟合等现有的混沌信号降噪方法,对相图的还原质量也更好. 相似文献
103.
针对寿命服从指数分布的随机截尾样本,研究单元及系统可靠度的评估方法,给出了系统可靠度置信下限估计方法,该方法同样适用于工程中常见的定时截尾样本与定数截尾样本的系统可靠度评估问题。首先通过分位数填充算法将随机截尾数据补充成虚拟完全样本,然后基于信仰推断,给出系统内每个单元失效率的信仰分布,最后根据指数分布的特点,从失效率角度出发,采用蒙特卡罗法对单元失效率进行随机抽样,结合系统可靠性模型得到系统失效率的分布,在给定置信水平下即可得到系统失效率上限,进而得到工程上特别关注的系统可靠度置信下限。 相似文献
104.
Yuan Xu ShiXiang Peng HaiTao Ren JiaMei Wen AiLin Zhang Tao Zhang JingFeng Zhang WenBin Wu ZhiYu Guo JiaEr Chen 《中国科学:物理学 力学 天文学(英文版)》2017,60(6):060021
<正>Multiple charge ions (MCIs) are necessary for increasing the output energy of particles in accelerators. In general, MCI beams are largely produced by electron beam ion source (EBIS) [1], laser ion source (LIS) [2], or high-frequency (mostly 5 GHz) electron cyclotron resonance (ECR) ion source [3]. Among these, only ECR ion source can operate in the continuous wave (CW) mode, while EBIS and LIS only support pulses. In addition, ECR ion source with lower frequency (mostly 2.45 GHz) are required primarily for generating single charge state ions, because the corresponding ECR field (875 Gs) is not sufficiently strong for MCI generation [4]. 相似文献
105.
W. C. Ren B. Liu Z. T. Song X. Z. Jing B. C. Zhang Y. H. Xiang H. B. Xiao J. Xu G. P. Wu R. J. Qi S. Q. Duan Q. Q. Yu S. L. Feng 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2013,112(4):999-1002
The gap filling of phase change material has become a critical module in the fabrication process of phase change random access memory (PCRAM) as the device continues to scale down to 45 nm and below. However, conventional physical vapor deposition process cannot meet the nanoscale gap fill requirement anymore. In this study, we found that the pulsed deposition followed by inductively coupled plasma etching process showed distinctly better gap filling capability and scalability than single-step deposition process. The gap filling mechanism of the deposit–etch–deposit (DED) process was briefly discussed. The film redeposition during etching step was the key ingredient of gap filling improvement. We achieved void free gap filling of phase change material on the 30 nm via with aspect ratio of 1:1 by two-cycle DED process. The results provided a rather comprehensive insight into the mechanism of DED process and proposed a potential gap filling solution for 45 nm and below technology nodes for PCRAM. 相似文献
106.
107.
108.
Utilizing the quantum statistical method and applying the new state density equation motivated by generalized uncertainty principle in quantum gravitaty, we avoid the difficulty in solving wave equation and directly calculate the partition function ofbosonic and fermionic field on the background of rotating and charged black string. Then near the cosmological horizon, entropies of bosonic and fermionic field are calculated on the background of black string. When constant λ introduced ingeneralized uncertainty principle takes a proper value, we derive Bekenstein-Hawking entropy and the correction value corresponding cosmological horizon on the background of rotating and charged black string. Because we use the new state density equation, in our calculation there are not divergent term and small massapproximation in the original brick-wall method. From the view of quantum statistic mechanics, the correction value to Bekenstein-Hawking entropy of the black string is derived. It makes people deeply understand the correction value to the entropyof the black string cosmological horizon in non-spherical coordinate spacetime. 相似文献
109.
根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象,理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质.考虑到有机半导体的具体特性,从自旋扩散理论和欧姆定律出发,得到了系统的电流自旋极化率.假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子.通过计算发现,极化子为实现有机半导体中电流极化注入和输运的有效自旋载流子,即使它只占总载流子很少一部分.还进一步研究了自旋相关界面电阻和电导率匹配以及有机半导体长度等因素对系统电流自旋极化的影响.
关键词:
自旋电子学
自旋注入
有机半导体
极化子 相似文献
110.
加工中心是高效自动化设备,为了充分利用机床的高效率、高精度、高自动化等特点,所以要考虑和了解影响加工中心加工精度的因素。 相似文献