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991.
992.
The second evidence of a pair decay of charmed particles has been obtained in an emulsion chamber exposed to 400 GeVc protons. The life time and production cross section of the charmed particles have been evaluated as several times 10?13 s and several tens of microbarns.  相似文献   
993.
A general, stereoselective approach to vinyl ethers from α-alkoxyaldehydes is described which features a stereocontrolled tri- n-butylstannyl addition/elimination sequence.  相似文献   
994.
995.
In the base-induced Peterson olefination of diastereomerically pure 8-methoxy-7-(trimethylsilyl)-6-tridecanol, anti pathway to eliminate a methoxide ion was found to compete significantly with amply precedented syn-elimination of a trimethylsilanolate ion. On the basis of an extent of the competing reactions which depend markedly on the respective diastereomers (three from four diastereomers) the detailed mechanism of the syn-elimination emerged.  相似文献   
996.
997.
Endocytosis is an important route for the intracellular delivery of biomacromolecules, wherein their inefficient endosomal escape into the cytosol remains a major barrier. Based on the understanding that endosomal membranes are negatively charged, we focused on the potential of cationic lytic peptides for developing endosomolysis agents to release such entrapped molecules. As such, a venom peptide, Mastoparan X, was employed and redesigned to serve as a delivery tool. Appending a tri‐glutamate unit to the N‐terminus attenuates the cytotoxicity of Mastoparan X by about 40 fold, while introduction of a NiII‐dipicolylamine complex enhances cellular uptake of the peptide by about 17 fold. Using the optimized peptide, various fluorescently labeled macromolecules were successfully delivered to the cytosol, enabling live‐cell imaging of acetylated histones.  相似文献   
998.
Carbon (C) doping by combined ion beam and molecular beam epitaxy (CIBMBE) was investigated. In this technique, mass-analyzed C ions (12C+) are accelerated at low energies of 30 to 1000 eV and are irradiated onto growing GaAs substrate. Doping concentration control in CIBMBE can be very stably accomplished by simply adjusting the ion beam current density, which is independent of growth conditions of host materials. Experiments on systematic variation of C+ ion acceleration energy (EC+) indicated that, in the energy range of EC+<170 eV, net hole concentration (|NA-ND|) increases slightly as EC+ increases. The highest |NA-ND| is obtained at EC+ = 170 eV under the constant C+ ion beam current density. For EC+>170 eV, |NA-ND| decreases dramatically with increasing EC+, which can be explained in terms of enhanced sputtering effect. Although no evidence of damages induced by ion irradiation is shown for low EC+ range of ≤170 eV, trace of damages is apparently observed for EC+>170 eV.  相似文献   
999.
1000.
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