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621.
InxGa1-xAs (x = 0.045) ternary bulk crystals were grown on GaAs seeds from an In–Ga–As solution by the temperature-difference method modified to rotate a growth ampoule. The effect of ampoule rotation on the profiles of the composition and the growth rate were investigated. The In compositional profiles were uniform irrespective of the ampoule rotation. On the other hand, the growth rate at the center of the crystal increased from 40 μm/h at 0 rpm to 55 μm/h at 100 rpm. The profile of growth rate changed from concave to convex toward the seed due to the ampoule rotation. Flow patterns and compositional profiles in the solution were simulated by solving four equations: Navier-Stokes, continuity, energy, and solute diffusion. The ampoule rotation enhanced the transportation of As component from the GaAs feed toward the seed at the central region in the solution. This led to the increase of the growth rate.  相似文献   
622.
Capacitive analogues of semiconductor diodes (CAPodes) present a new avenue for energy-efficient and nature-inspired next-generation computing devices. Here, we disclose the generalized concept for bias-direction-adjustable n- and p-CAPodes based on selective ion sieving. Controllable-unidirectional ion flux is realized by blocking electrolyte ions from entering sub-nanometer pores. The resulting CAPodes exhibit charge-storage characteristics with a high rectification ratio (96.29 %). The enhancement of capacitance is attributed to the high surface area and porosity of an omnisorbing carbon as counter electrode. Furthermore, we demonstrate the use of an integrated device in a logic gate circuit architecture to implement logic operations (‘OR’, ‘AND’). This work demonstrates CAPodes as a generalized concept to achieve p-n and n-p analogue junctions based on selective ion electrosorption, provides a comprehensive understanding and highlights applications of ion-based diodes in ionologic architectures.  相似文献   
623.
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