全文获取类型
收费全文 | 785篇 |
免费 | 1篇 |
专业分类
化学 | 428篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 15篇 |
数学 | 61篇 |
物理学 | 280篇 |
出版年
2022年 | 9篇 |
2021年 | 6篇 |
2019年 | 10篇 |
2018年 | 9篇 |
2017年 | 26篇 |
2016年 | 16篇 |
2014年 | 12篇 |
2013年 | 28篇 |
2012年 | 27篇 |
2011年 | 36篇 |
2010年 | 40篇 |
2009年 | 35篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 39篇 |
2006年 | 29篇 |
2005年 | 18篇 |
2004年 | 30篇 |
2003年 | 19篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 10篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 11篇 |
1996年 | 6篇 |
1993年 | 11篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 17篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 10篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 9篇 |
1982年 | 13篇 |
1981年 | 9篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 16篇 |
1977年 | 12篇 |
1976年 | 16篇 |
1975年 | 10篇 |
1974年 | 8篇 |
1973年 | 13篇 |
1972年 | 12篇 |
1971年 | 9篇 |
1970年 | 12篇 |
1969年 | 5篇 |
1968年 | 9篇 |
1967年 | 11篇 |
1966年 | 8篇 |
排序方式: 共有786条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
103.
104.
V. V. Pomazanov Yu. T. Kalinin K. I. Sakodynsky E. N. Khramov O. A. Kononova 《Chromatographia》1982,16(1):364-367
Summary A novel form of liquid chromatography is described which involves the use of multiphase eluents, such as emulsions, for the separation of biopolymers and certain microorganisms.Presented at the 14th International Symposium on Chromatography London, September, 1982 相似文献
105.
106.
A study is made of the volt-ampere and volt-faraday characteristics of metal-semiconductor contacts formed by the deposition of a number of metals (Al, In, Sn, Cu, Au) onto the surface of a semiconductor (GaAs, Si) subjected to preliminary doping by indium from a molecular beam in a vacuum. It is established that surface doping (SD), while considerably altering the charge and the work function of the free surface of the semiconductor, at the same time has hardly any effect on the properties of the contacts investigated. The deposition of a sublayer of SiO with a thickness of 6–30 Å onto the doped surface before the formation of the contact makes it possible to retain the SD effect even after the application of the contact. The disappearance of the SD effect when the metal is deposited in the absence of a sublayer of SiO is explained by the action of mirror-image forces and the field of the contact potential difference.Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 3, pp. 131–134, March, 1977. 相似文献
107.
108.
109.
110.