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11.
Harnack inequality for some classes of Markov processes   总被引:3,自引:0,他引:3  
In this paper we establish a Harnack inequality for nonnegative harmonic functions of some classes of Markov processes with jumps. Mathematics Subject Classification (2000): Primary 60J45, 60J75, Secondary 60J25.This work was completed while the authors were in the Research in Pairs program at the Mathematisches Forschungsinstitut Oberwolfach. We thank the Institute for the hospitality.The research of this author is supported in part by NSF Grant DMS-9803240.The research of this author is supported in part by MZT grant 0037107 of the Republic of Croatia.  相似文献   
12.
The study of the interaction between collisionless plasma flow and stagnant plasma revealed the presence of an outer boundary layer at the border of a geomagnetic trap, where the super-Alfvén subsonic laminar flow changes over to the dynamic regime characterized by the formation of accelerated magnetosonic jets and decelerated Alfvén flows with characteristic relaxation times of 10–20 min. The nonlinear interaction of fluctuations in the initial flow with the waves reflected from an obstacle explains the observed flow chaotization. The Cherenkov resonance of the magnetosonic jet with the fluctuation beats between the boundary layer and the incoming flow is the possible mechanism of its formation. In the flow reference system, the incoming particles are accelerated by the electric fields at the border of boundary layer that arise self-consistently as a result of the preceding wave-particle interactions; the inertial drift of the incoming ions in a transverse electric field increasing toward the border explains quantitatively the observed ion acceleration. The magnetosonic jets may carry away downstream up to a half of the unperturbed flow momentum, and their dynamic pressure is an order of magnitude higher than the magnetic pressure at the obstacle border. The appearance of nonequilibrium jets and the boundary-layer fluctuations are synchronized by the magnetosonic oscillations of the incoming flow at frequencies of 1–2 mHz.  相似文献   
13.
We consider initial boundary value problems for the equations of the one-dimensional motion of a viscous, heat-conducting gas with density-dependent viscosity that decreases (to zero) with decreasing density. We prove that if the viscosity does not decrease to zero too rapidly, then smooth solutions exist globally in time.  相似文献   
14.
一种漂移室定位子性能反常现象的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了一种漂移室定位子性能的反常现象,它关系到定位子的使用寿命.着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系.  相似文献   
15.
该文对Cd-HEDTA(N-(2-羟基乙基)乙二胺-N',N',N'-三乙酸),Cd-PDTA(1,2丙二胺四乙酸)和Cd-DTPA(二乙三胺五乙酸)的113Cd NMR谱和自旋晶格弛豫时间T1,及NOE因子进行了研究.结果表明,Cd-HEDTA和Cd-PDTA结构与Cd-EDTA类似,Cd-PDTA双线归因于其可能的两种异构体.Cd-DTPA大的化学位移表明其具有七配位的五角双锥结构.在这种结构中DTPA可用三个氮原子参加配位.对113Cd自旋晶格弛豫时间分析表明,Cd-DTPA配合物中质子偶极作用机理的贡献较大,这归因于Cd DTPA有更多的乙酸根亚甲基质子参与偶极作用.  相似文献   
16.
Browder-Petryshyn 型的严格伪压缩映射的粘滞迭代逼近方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要研究Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的粘滞迭代逼近过程,证明了Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的不动点集F(T)是闭凸集.在q-一致光滑且一致凸的Banach空间中,对于严格伪压缩映射T,利用徐洪坤在2004年引进的粘滞迭代得到的序列弱收敛于T的某个不动点.同时证明了Hilbert空间中Browder-Petryshyn型的严格伪压缩映射的相应迭代序列强收敛到T的某个不动点,其结果推广与改进了徐洪坤2004年的相应结果.  相似文献   
17.
18.
19.
应用七级目测法对浙江中部地区27个夏熟作物田样点的杂草进行了优势等级调查,将所得数据转换成重要值,以杂草在27个样点中的重要值为运算指标,应用主成分分析法和图论聚类中的最小生成树法,对24种杂草的生态学相似性进行了比较,指出了长期使用单一的除草剂导致农田杂草种群迅速更迭的原因:杂草对除草剂的敏感性差异及不同杂草间的生态学特性的差异。  相似文献   
20.
The dry etching characteristics of transparent and conductive indium-zinc oxide (IZO) films have been investigated using an inductively coupled high-density plasma. While the Cl2-based plasma mixture showed little enhancement over physical sputtering in a pure argon atmosphere, the CH4/H2/Ar chemistry produced an increase of the IZO etch rate. On the other hand, the surface morphology of IZO films after etching in Ar and Ar/Cl2 discharges is smooth, whereas that after etching in CH4/H2/Ar presents particle-like features resulting from the preferential desorption of In- and O-containing products. Etching in CH4/H2/Ar also produces formation of a Zn-rich surface layer, whose thickness (∼40 nm) is well-above the expected range of incident ions in the material (∼1 nm). Such alteration of the IZO layer after etching in CH4/H2/Ar plasmas is expected to have a significant impact on the transparent electrode properties in optoelectronic device fabrication.  相似文献   
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