Compton软化过程的扩散方程

本文讨论X射线穿过“冷”等离子体介质时所发生的辐射转移过程,这种由电子-光子散射造成的特殊转移过程被称做Compton软化.文中导出了软化过程的扩散方程式,并指出它在天体物理与辐射物理中的潜在应用.     

烟气中Hg的氧化机理的研究

本文对Ｈｇ与Ｃｌ２在烟气中的氧化反应进行了热力平衡计算和动力学计算。平衡计算的结果表明有ＣＩ元索存在时Ｈｇ的氧化率为１００％，而在相同的条件下动力学计算纺果为Ｈｇ的氧化率在２０％～８０％之间变化，与实验结果吻合。实际的氧化反应是一种超平衡状态，不能达到理想的平衡状态。因此应采用动力学与热力平衡分析相结合的方法研究Ｈｇ在烟气中的反应机理。同时，计算结果显示Ｃｌ含量对Ｈｇ的氧化率的影响很大．     

用Java实现网上结构图实验仿真

基于线性系统仿真的连接矩阵方法，用Java语言开发面向结构图的实验仿真程序，以Applet小应用程序的形式插入网页中运行，实现了信号与系统网上实验教学中的结构图实验仿真。经试用，程序在浏览器中运行正常，可以完成一般线性系统仿真，与以MATLAB，LABView等程序开发的实验仿真程序相比，该程序运行环境简单，几乎所有常用的Web浏览器都支持Java运行，不需另行安装相应组件。对于线性系统结构图，实现了所见即所得的图形化编程环境，具有较好的人机交互性。     

Q过程的不变分布(Ⅱ)

设E为一个可数集,Q=（qi,j;i,j∈E）为E×E上的矩阵,满足m为E上的概率分布满足何时存在Q过程,使得m是它的不变分布? 这个问题由Williams（1979）作为一个开问题提出.文[15]对全稳定情形,解决了这个问题;本文对单瞬时情形,完整地解决了该问题.     

一种新型彩色三维光学成像系统

提出一种新型三维彩色光学数字成像系统。此系统利用投影结构光对现实世界中的物体进行数字化，同时得到对应的彩色纹理。详细介绍了系统的硬件设计和软件体系结构设计，得到物体彩色纹理的两种不同方法；直接获取和从编码条纹中提取，给出了用该系统得到的实验结果并简单评价了系统的性能。此系统在反求工程、影视制作、三维游戏制作、医学应用等方面有远大的应用前景。     

几率量子隐形传态的离子阱方案

本文提出了一个在分别囚禁于不同离子阱中的两个离子间实现几率量子隐形传态的简单方案,Alice对离子1和离子2的内态进行联合测量并通过经典通道告诉Bob测量结果,Bob利用一束经典驻波场激光与离子3相互作用并控制相互作用的时间就能够在离子3上最佳几率地重现离子1的初始内态.     

投资决策分析方法的缺陷及改进

本文指出了传统投资决策方法的缺陷 ,提出了将期权理论应用于投资决策的总体思路 ,突破了传统决策分析的局限性 ,使决策更加科学和合理     

基于同步辐射加速器的康普顿背散射γ射线源(Ⅰ)产生MeV量级γ光子的数值计算

提出在筹建的上海同步辐射装置上建造一条MeV量级γ射线束及应用站,采用μm波长的红外(或远红外)激光与储存环中3.5GeV电子束进行康普顿背散射,从而获得能区为1—25MeV的康普顿背散射γ光子束,该光子束具有高强度、高极化度(线和圆极化)、准单色、方向性好的优点,可以广泛地应用于核物理和核天体物理基础研究及相关的应用研究领域.介绍了康普顿背散射的基本原理,并结合储存环参数给出了光子束性能的数值计算结果.     

一类非线性微分方程的脉冲镇定

针对一般形式的常微分系统提出了脉冲指数镇定的概念，具体研究了一类分离变量型非线性常微分方程的脉冲镇定问题，得到了该方程可脉冲指数镇定的充分判据，全文的概念及结论突出了脉冲在方程稳定性方面的控制效果。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.