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361.
We investigate surface plasmon waves propagating on planar Goubau lines, so-called Goubau modes, using a guided-wave terahertz spectroscopy system based on a freely positionable electrooptic probe. We show the radial nature of the Goubau mode and its confinement around the Goubau line over a few tenths of microns (??/10).  相似文献   
362.
Mathematical morphology started as a set of tools for analysing images by the use of transformations based on set-theoretical operations which are the Minkowski sum and subtraction. It was first developed for the analysis of binary images. Its extension to grey-level images was a later development with the extension of the Minkowski operations to real-valued functions in terms of sup-convolution and inf-convolution. The purpose of this paper is to define a type of convolution between set-valued maps, to study its properties, and to establish some associated differential relations. This set-convolution map allows us to extend the Minkowski sum and substraction to multivalued functions and to functions with vectorial values.  相似文献   
363.
364.
The process of incorporation of radioactive wastes into a suitable matrix to form a stable product for long term disposal has been studied. The changes, occuring during the thermal treatment with glassy materials, i.e. drying, transformation processes, sintering, melting, etc. have been followed using emanation (radon) thermal analysis. This method was found useful in solving the problems of process development.  相似文献   
365.
Laser-polarized 129Xe and a high-Tcsuperconducting quantum interference device (SQUID) are used to obtain magnetic resonance images in porous materials at a magnetic field of 2.3 mT, corresponding to a Larmor frequency of 27 kHz. Image resolution of 1 mm is obtained with gradients of only 1 mT/m. The resolution of xenon chemical shifts in different physicochemical environments at ultralow fields is also demonstrated. Details of the circulating flow optical pumping apparatus and the SQUID spectrometer are presented.  相似文献   
366.
The infrared spectrum of C3D4 was measured in the region of the paralled band of the CC stretching vibration ν6 centered at ν0 = 1920.2332 cm?1 on a high-resolution Fourier transform spectrometer and deconvolved to a linewidth of 12 of the Doppler width (~0.0023 cm?1). The high resolution reveals the presence of strong perturbations in the K = 4 and K = 8 to 12 levels of the ν6 upper state. For a quantitative treatment of the observed transitions, a Hamiltonian matrix including six different perturbing states was constructed and used to refine the 6 spectroscopic constants of the ν6 state and 20 of the constants for the perturbing states. Measurement of the hot band ν6 + ν11 ? ν11 whose band center is at 1916.200 cm?1 yielded the anharmonic constant x6,11 = ?4.033 cm?1.  相似文献   
367.
368.
The behavior of the dilation operator in the distant past and future is obtained when it evolves under a unitary group, whose generator is a Schrodinger operator. The total and free evolutions are then compared by their actions on the dilation and position observable. This result is employed to give a simple proof of completeness for scattering by Coulomb-like potentials.  相似文献   
369.
The RECU2Si2(RE=Rare Earth) series shows pronounced anomalies of the lattice parameters. In those stable valent compounds with 4f orbital angular momentumL0 thec/a ratio shows an anomalous temperature dependence due to crystal field effects. The compounds with unstable valence (RE=Ce, Eu, Yb) show less or no such effects but on the other hand show anomalies of the volume which are temperature dependent. Using these volume anomalies of the unstable valent systems and the measured bulk moduli of the reference compounds we have extracted the valence as function of temperature.Between 4K and 300K the valences of CeCu2Si2 and YbCu2Si2 change by only a few percent towards 3, while it changes for EuCu2Si2 by ca. 20% towards 2. A critical discussion of these valences will be given.  相似文献   
370.
Zusammenfassung Als erstes Beispiel der Verteilung von Legierungselementen in technischen Eisenwerkstoffen wurde an Hand eines praktisch manganfreien Gußeisens mit Kugelgraphit, das weitgehend dem System Fe-C-Si entspricht, der Einfluß von Wärmebehandlungen verschiedener Art untersucht. Als wesentliches Ergebnis wurde festgestellt, daß unter den Bedingungen technisch üblicher Wärmebehandlungen eine völlig gleichmäßige Verteilung des Siliciums nicht erreicht werden kann. Anderseits erfolgt die Diffusion des Siliciums in bestimmten Temperatur und Gefügebereichen praktisch mit derselben Geschwindigkeit wie die Diffusion des Kohlenstoffes. Die Siliciumverteilung wurde mit Hilfe einer elektronischen Mikrosonde quantitativ gemessen und durch eine Farbätzung qualitativ nachgewiesen.
Summary The influence of heat treatments of different kinds on the distribution of alloying elements in technical iron industrial materials was studied as a first example in the case of a practically manganese-free cast iron containing nodular graphite, that corresponds very closely to the system Fe-C-Si. The essential finding was that under the conditions of the ordinary technical heat treatments it is not possible to attain a completely uniform distribution of the silicon. On the other hand, the diffusion of the silicon, in certain temperature and structural regions, occurs with practically the same speed as the diffusion of the carbon. The distribution of the silicon was measured quantitatively, with the aid of an electronic microsonde and detected qualitatively through a color etching process.

Résumé Comme premier exemple de partage des éléments alliés dans les matériaux techniques à base de fer, on a étudié l'influence de traitements thermiques variés à l'aide d'une fonte pratiquement exempte de manganèse, à graphite nodulaire, correspondant beaucoup au système Fe-C-Si. On a établi comme résultat important que dans les conditions de traitements thermiques techniquement habituels, une répartition tout à fait régulière du silicium ne peut pas être atteinte. D'un autre côté, il en résulte la diffusion du silicium dans des domaines de température et de texture déterminés, avec pratiquement la même vitesse que la diffusion du carbone. La répartition du silicium a été mesurée quantitativement à l'aide d'une microsonde électronique et établie qualitativement par une attaque avec coloration.


Vortrag anläßlich des Kolloquiums für metallkundliche Analyse mit besonderer Berücksichtigung der Elektronenstrahl-Mikroanalyse, Wien, 22. Oktober 1964.  相似文献   
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