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991.
992.
993.
采用交错双栅结构,结合带状电子注,研究了一种工作在140 GHz频段的大功率行波管. 本振模数值计算表明该结构具有良好的色散特性和耦合阻抗.针对所采用的慢波结构, 提出了慢波过渡结构、输入输出耦合器和集中衰减器,保证了行波管的良好工作. 利用三维大信号模拟计算的方法得到的结果显示,当电子注直流功率为5.115 kW,输入信号功率为0.1 W时, 所研究的行波管能在132-152 GHz范围内提供大于300 W的峰值功率,其中在138 GHz时得到最大功率546 W, 对应增益为37.37 dB.当在0.027-0.46 W内调节输入信号功率,可以保持该行波管在128-152 GHz 频带内得到大于440 W的峰值功率,对应的电子效率大于8.6%. 结果显示该行波管将在大功率短毫米波领域具有重要意义和潜在应用价值. 相似文献
994.
为了克服共振干涉法在液体的热力学声速和高频声速测量方面精度不高的问题, 本文建立了一种基于自发布里渊散射原理的测定液体声速的实验装置. 利用法布里-珀罗干涉仪对散射光进行扫描滤波, 数据采集卡结合光子计数器对散射光进行探测, 设计了一种散射光信息采集分析方法. 该实验方法有效的解决了传统布里渊散射方法中信号失真的问题, 显著地提升了液体声速测量精度. 对308.6–906.2 MHz内298.15 K饱和液相CCl4声速进行了测量, 测量结果与文献值具有较好一致性. 利用法布里-珀罗干涉仪周期性扫描的滤波原理, 通过在测量得到的布里渊频移上加减整数倍个自由波谱区, 得到了更大频率的波谱信息, 进而设计一种测定介质高频声速的方法. 对CCl4在5406.1–5521.0 MHz频段内的声速进行了测量. 实验结果显示, CCl4的热力学声速随频率无明显变化, 而高频声速随频率的增大呈增大趋势且远大于热力学声速, 证实CCl4具有色散现象. 相似文献
995.
Yuan Kou Wei Xiong Guohong Tao Hui Liu Tao Wang 《天然气化学杂志》2006,15(4):282-286
A reversible storage-release process switched by a temperature difference of 10℃around room temperature can be realized. This fast, recyclable, energy efficient, low cost and green system within a wide range of temperature and pressure is reported here for the first time. The system is believed to open up a new route for the storage and homogeneous utilization of methane. 相似文献
996.
基于Gross-Pitaevskii方程,运用有效化学势概念,研究了囚禁在组合势(由磁阱和三维光 晶格组成)中玻色凝聚气体在三维光晶格中的分布规律,并由此得到玻色凝聚气体的归 一化基态波函数.在取消组合势和仅取消光晶格而保留磁阱的两种情况下,运用传播子方 法求解出玻色凝聚气体密度分布的解析表达式.取消组合势后,理论计算所得到的玻色凝聚 气体聚随时间的演化规律与Greiner等的实验结果相一致.仅取消光晶格而保留磁阱时,研 究表明玻色凝聚气体的干涉模式呈现周期性的振荡行为.此外,在磁阱为各向异性的情况下 ,
关键词:
玻色凝聚气体
磁阱
光晶格
干涉模式 相似文献
997.
采用溶胶凝胶法以及静电纺丝法, 利用热处理工艺, 成功制备出了多晶锐钛矿型TiO2纳米线, 通过两线法在室温下测试单根TiO2纳米线的V-I曲线来研究其电输运性能及磁阻效应. 结果表明: 在无光照环境下其V-I曲线为不过零点的直线, 零场电阻较大, 在磁场作用下电阻下降, 表现出负磁阻效应; 紫外光辐照环境下TiO2纳米线载流子浓度增加使得电阻变小, 然而在磁场作用下电阻增大, 表现为正磁阻效应. 紫外光辐照导致的载流子浓度变化, 使得负磁阻转变为正磁阻, 我们将磁阻变化归结为d电子局域导致的负磁阻与能带劈裂导致的正磁阻两种机理相互竞争的结果. 相似文献
998.
长期观测显示,耀变体S5 0716+714具有复杂的光变行为.本文运用混沌理论,研究了S5 0716+714四个较大爆发阶段的射电、光学和X波段的光变曲线.分别计算了它们的关联维和Lyapunov指数.结果表明:1)光变曲线的关联维和Lyapunov指数都介于纯混沌系统与随机噪声之间;2)相轨迹是一个与Rossler吸引子相似的混沌系统,由于受到各种内在或外在因素的影响产生噪声,导致关联维和Lyapunov指数均比Rossler吸引子大,相轨迹出现紊乱.从这两个混沌判据上看,三个波段均表现出很强的混沌特性,因此推断S50714+716的光变是一个混沌现象. 相似文献
999.
本文通过传统的固相反应法制备了R型六角铁氧体BaFe4-xTi2+xO11 (x= 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1), 并且对它的原子价态以及磁性行为进行了研究. X 射线光电子能谱(XPS)结果显示了随着掺杂含量的增加, 体系中Fe3+离子逐渐减少而Fe2+离子逐渐增加. 由于具有非对称结构的阻挫晶格中存在各种关联作用的竞争, 使得BaFe4-xTi2+xO11体系表现出了复杂的磁有序行为, 在T1~250 K和T2~83 K两处存在磁转变. 对这一系列掺杂样品, 在相变温度T1之上表现顺磁行为, 而在相变温度T2前后的磁化强度都表现出低场下随磁场的增加快速增加, 高场下则线性变化且在5×104 Oe时还未达到饱和的行为, 表明这一系列掺杂样品是典型的倾斜反铁磁态(canted antiferromagnetic) 或者亚铁磁态. 相似文献
1000.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献