聚氧化乙烯介质中的掺杂硫化锌纳米晶的制备及光学性质

简述了聚氧化乙烯介质中的铽、铕、铥、钆、钇、镓、锰掺杂的硫化锌纳米晶的制备方法以及紫外吸收光谱、激发光谱和光激发发射光谱.制成的硫化锌纳米晶直径为3.0～3.5nm.     

偶氮侧基聚合物光致异构动力学研究

本文对偶氮侧基聚合物相位共轭光时间特性进行了研究,得到了相位共扼光产生机制─光致异构过程的时间常数.在相位共轭光上升阶段,其时间常数在0.4～0.5s之间,在相让共轭光的衰减过程,衰减满足双指数关系,分段拟合得到较好的结果,且得到快过程的时间常数为0.27s,慢过程的时间常数为0.78s.     

Research on Raman-scattering and Fabrication of Multilayer Thin Film with Different Structures and Components Based on Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si Substrate

选用三水醋酸铅、乙酰基丙酮酸锆、四异丙氧基钛、乙酰丙酮作初始材料,用同样的方法分别制备了锆钛酸铅(PZT)和钛酸铅(PT)两种固体前驱物. 采用改良型的溶胶-凝胶工艺技术,分别在不同的Pt-Ti-Si₃N₄-SiO₂-Si基底上,按照不同的组合方式,制备了三种多层薄膜：PZT、PT/PZT-PZT/PT、PT/PZT/-/PZT/PT. 较详细地讨论了薄膜制备的工艺技术,发现当凝胶通过烧结和干燥后变成固态物质时,薄膜内部存在着较大的残余应力,当薄膜在600 ºC下退火时其内部残余应力可以被减小. 通过拉曼     

Ca(BH4)2络合物电子结构及热力学稳定性的第一性原理研究

利用第一性原理研究了低温及高温相Ca(BH4)2络合物的电子结构、晶格振动及其反应焓。计算结果表明：低温及高温相Ca(BH4)2中Ca+2与[BH4]－以离子键形式相结合,[BH4]－离子中B原子和H原子以共价键形式相结合,对该共价键有贡献的主要是B原子的2p轨道电子,H原子的1s轨道电子。Ca(BH4)2可能的反应路径为：Ca(BH4)2→2CaH2+CaB6+10H2,该反应在300K下反应焓为43.22 kJ/mol H2。拉伸B—H键所对应的声子频率较高,其值为2360～2500cm-1,这可能是导致B—H键断裂释放氢气需要较高温度的主要原因之一。     

The role of refocusing in dynamic X-wave formation during femtosecond laser filamentation in water

<正>With the evolution of a laser pulse in water,the formation of a nonlinear X wave during femtosecond filamentation is investigated based on numerical simulations.In particular,we analyze the far-field angularly resolved spectra obtained for different temporal portions of the ultrashort pulse during its propagation. Our result shows that the refocusing of ultrashort pulse leads to the formation of dynamic X wave which essentially manifests itself as conical emission.     

LD泵浦Nd:YVO_4双波长运转腔内和频491nm激光器

分析了Nd:YVO4激光器实现双波长运转及腔内和频的条件,利用一种LD泵浦Nd:YVO4晶体产生1 064 nm和914 nm双波长激光束,采用一个线性平凹腔结构,利用腔内Ⅰ类临界相位匹配LBO和频,获得了连续波输出的全固态激光器。实验采用端面结构,在5.0 W的808 nm泵浦功率下,获得了最高功率为2.5 mW连续波TEM00的激光输出,光-光转换效率为0.05%。     

Research on the boron contamination at the p/i interface of microcrystalline silicon solar cells deposited in a single PECVD chamber

This paper studies boron contamination at the interface between the p and i layers of μ c-Si:H solar cells deposited in a single-chamber PECVD system. The boron depth profile in the i layer was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy. It is found that the mixed-phase μ c-Si:H materials with 40% crystalline volume fraction is easy to be affected by the residual boron in the reactor. The experimental results showed that a 500-nm thick μ c-Si:H covering layer or a 30-seconds of hydrogen plasma treatment can effectively reduce the boron contamination at the p/i interface. However, from viewpoint of cost reduction, the hydrogen plasma treatment is desirable for solar cell manufacture because the substrate is not moved during the hydrogen plasma treatment.     

电致发光色纯性增强的硅基有机微腔

报道了硅基有机微腔的电致发光（EL）.该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜（PS DBR）组成.半透明金属膜由Ag（２０nm）构成，充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成，其中的Al/LiF为电子注入层，ITO为正电极，SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的；该PS 关键词： 电化学腐蚀 电致发光 窄峰发射 硅基有机微腔     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

电场催陈米酒核磁共振分析

以自行研制的设备对新产广东玉冰烧米酒进行催陈 (处理条件 :4 0kV·m- 1 的电场强度处理 180min ,5 0Hz) ;然后采用1 HNMR对新酒、电场催陈酒及成品酒进行了分析 ,研究发现新酒中甲基和亚甲基峰出现了 4个杂峰而其他样品没有 ,说明新酒中单分子与各种状态的缔合结构共存 ,其他各主要有机物质亦参与成峰 ;而关于羟基质子峰 ,新酒为平头峰 ,推断出溶液中有 2种羟基质子存在 ,一种参与形成缔合 ,另一种未参与缔合 ;成品酒为单一峰 ,说明溶液中形成了单一稳定的大分子缔合结构 ;电场处理酒样为不规则峰 ,反映出多种缔合状态共存 ,其主要缔合结构接近成品酒缔合结构