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91.
Characterization by Auger electron spectroscopy (AES) and Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR) confirms (Ta2O5)x(Al2O3)1−x alloys are homogeneous pseudo-binary alloys with increased thermal stability with respect to end member oxides, Ta2O5 and Al2O3. Capacitance–voltage (CV) and current density–voltage (JV) data as a function of temperate show that the Ta d-states of the alloys act as localized electron traps, and are at an energy approximately equal to the conduction band offset of Ta2O5 with respect to Si.  相似文献   
92.
We describe three mechanisms for the anomalous voltage reversals which are occasionally observed during four contact current-voltage measurements on the high temperature superconductors. Voltage reversals have been frequently observed for whiskers of the bismuth strontium calcium copper oxide (BSSCO) compounds, and we describe measurements made on high quality whiskers of the 2:2:1:2 and 2:2:2:3 phases. A simple model based on extreme anisotropy plus offset contacts can explain the gross features of four contact measurements in the ohmic flux-flow regime, but not the wealth of reversal phenomena found for the IVVI configuration in the lower temperature irreversibility region.  相似文献   
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100.
We study the concentration of adatoms on GaAs(001) during annealing under MBE conditions. By rapidly cooling the sample from typical growth temperatures and typical As overpressures, the thermal concentration of adatoms can be frozen into small islands on the terraces. The area of the resulting islands is measured with STM far from terrace steps, giving an estimate of the concentration of adatoms during equilibrium. We find that a surprisingly large concentration of adatoms is present for typical growth temperatures, e.g. 0.18 monolayer at 600°C. Possible consequences for current growth models are discussed.  相似文献   
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