γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究

利用激光脉冲沉积(PLD)技术在(302)γ-LiAlO₂衬底上成功生长了非极性的a面(1120) ZnO薄膜. 衬底温度为350℃时，薄膜是混合取向(a向和c向)，以c面ZnO为主，且晶粒尺寸分布很宽；提高温度达500℃，薄膜变为单一的(1120)取向，摇摆曲线半高宽0.65°，晶粒尺寸分布趋窄，利用偏振透射谱可以明显看出其面内的各向异性. 衬底温度650℃下制备的样品晶粒继续长大，虽然摇摆曲线半高宽变大，但光致发光谱(PL)带边发射峰半高宽仅为105meV，比在350℃，500℃下制备的样品小1/5. 关键词： 非极性ZnO 2')" href="#">γ-LiAlO₂ PLD 透射谱     

光注入提高半导体激光器混沌载波发射机的带宽

外光反馈下的半导体激光器可视为混沌载波发射机.数值研究发现，外部强光注入可以显著提高混沌载波发射机的带宽，带宽提高的程度在一定范围内与注入光的强度成正比.当外部光注入系数k_inj=0.39时，混沌载波的带宽由无光注入时的2.7GHz增大到14.5GHz，提高了5倍多.研究还发现，在相同的注入强度条件下，当注入光的频率比半导体激光器的中心频率高2—4GHz时，可实现最大限度的带宽增强.此外，适当提高半导体激光器的偏置电流也可以在一定程度上提高其产生的混沌载波的带宽. 关键词： 半导体激光器 混沌 带宽     

铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质研究

根据有机半导体中的电流自旋极化注入和输运实验现象，理论上研究了铁磁/有机半导体/铁磁系统的电流自旋极化性质.考虑到有机半导体的具体特性，从自旋扩散理论和欧姆定律出发，得到了系统的电流自旋极化率.假设自旋极化子和不带自旋的双极化子为有机半导体中的载流子.通过计算发现，极化子为实现有机半导体中电流极化注入和输运的有效自旋载流子，即使它只占总载流子很少一部分.还进一步研究了自旋相关界面电阻和电导率匹配以及有机半导体长度等因素对系统电流自旋极化的影响. 关键词： 自旋电子学 自旋注入 有机半导体 极化子     

随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌控制

讨论了具有有界随机参数的随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌现象，并利用噪声对其进行控制.首先运用Chebyshev多项式逼近的方法，将随机Bonhoeffer-Van der Pol系统转化为等价的确定性系统，使原系统的随机混沌控制问题转换为等价的确定性系统的确定性混沌控制问题，继而可用Lyapunov指数指标来研究等价确定性系统的确定性混沌现象和控制问题.数值结果表明，随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌现象与相应的确定性Bonhoeffer-Van der Pol系统极为相似.利用噪声控制法可将混沌控制到周期轨道，但是在随机参数及其强度的影响下也呈现出一些特点.     

Mg粉粒度对MgB2超导体宏观特征和显微结构的影响

研究了Mg粉粒度对MgB2超导体宏观特征和显微结构的影响规律。将不同粒度的Mg粉和B粉分别按1.03∶2的比例混合、压制成型后,在流通高纯氩气的条件下于800℃烧结1h,制备出MgB2块材。利用阿基米德方法、X射线衍射仪和扫描电子显微镜等分别测试样品的密度、物相组成和显微结构等。结果表明,Mg粉粒度对MgB2超导体的物相组成没有影响;随着Mg粉粒度的增加,MgB2超导体的最大气孔尺寸、质量损失率、体积膨胀系数都逐渐增大,但其密度逐渐降低。     

利用量子对应态原理预测氦-3 p-v-T性质

利用量子对应态原理与Ne,4He的实验数据预测了3He的p-v-T性质。结果表明,在12-20K温区内,压力的计算值与Gibbons实验数据的平均相对误差是2.008%,最大误差是9.131%;在20-60K温区内,压力的计算值与Gibbons实验数据的平均相对误差是1.692%,最大误差是2.276%。获得了比较满意的预测结果。     

Ku波段微波小功率放大器的设计

文中论述了利用修正的S参数法,设计了Ku波段微波小功率放大器,具有功率增益高和可靠性高的优点。利用这种设计方法,设计并制作了两个实验的功率放大器,并且它们的性能与设计数据很接近     

Study on Dual Bragg Wavelength Fiber Grating and Its Tuning Scheme

Because of package, a single FBG has dual Bragg wavelength. One is sensitive to stress and the other is sensitive to temperature. By using the special mechanism, the wavelengths can be tuned by stress and temperature respectively.     

The Characteristic of Threading Dislocation in Different Structures GaN Films Grown by MOCVD

Three mechanisms to reduce threading dislocations(TDs) in GaN films as the epitaxial films grow thicker are suggested by SEM and TEM     

Study of the electric capacitance spectra on symmetric quantum-dot pattern

We have calculated the ground-state energy of the symmetric quantum-dot pattern by the ab initio calculation method, i.e. unrestricted Hartree-Fock-Roothaan (UHFR) method based on the Gaussian basis, and studied their electric capacitance spectra, assuming each quantum dot of quantum-dot pattern to be confined in a three-dimensional spherical potential well of finite depth. For the systems in question, our results show that our method and theoretical model not only give the electric capacitance peaks similar to s-shell and p-shell atom-like quantum dot, but also show some new fine-structure of electric capacitance in the symmetric quantum-dot pattern system. This method might be a feasible tool to study few-electron problems on the symmetric quantum-dot pattern system.