全文获取类型
收费全文 | 10719篇 |
免费 | 1514篇 |
国内免费 | 1249篇 |
专业分类
化学 | 7579篇 |
晶体学 | 119篇 |
力学 | 682篇 |
综合类 | 67篇 |
数学 | 1284篇 |
物理学 | 3751篇 |
出版年
2024年 | 56篇 |
2023年 | 263篇 |
2022年 | 403篇 |
2021年 | 413篇 |
2020年 | 430篇 |
2019年 | 447篇 |
2018年 | 389篇 |
2017年 | 375篇 |
2016年 | 517篇 |
2015年 | 512篇 |
2014年 | 584篇 |
2013年 | 800篇 |
2012年 | 887篇 |
2011年 | 938篇 |
2010年 | 652篇 |
2009年 | 588篇 |
2008年 | 724篇 |
2007年 | 604篇 |
2006年 | 551篇 |
2005年 | 411篇 |
2004年 | 368篇 |
2003年 | 278篇 |
2002年 | 310篇 |
2001年 | 211篇 |
2000年 | 202篇 |
1999年 | 257篇 |
1998年 | 181篇 |
1997年 | 131篇 |
1996年 | 141篇 |
1995年 | 133篇 |
1994年 | 100篇 |
1993年 | 108篇 |
1992年 | 88篇 |
1991年 | 86篇 |
1990年 | 77篇 |
1989年 | 58篇 |
1988年 | 42篇 |
1987年 | 36篇 |
1986年 | 21篇 |
1985年 | 31篇 |
1984年 | 20篇 |
1983年 | 14篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 5篇 |
1976年 | 3篇 |
1975年 | 3篇 |
1957年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
131.
132.
133.
134.
Tight—binding calculation of the electronic states of bulk—terminated GaAs(311)A and B surfaces 下载免费PDF全文
We have carried out theoretical investigations on the electronic structure of GaAs(311)A and GaAs(311)B surfaces. The bulk electronic structure of GaAs has been described by the second-neighbour tight-binding formalism and the surface electronic structure was evaluated via an analytic Green function method. First, we present the surface band structure together with the projected bulk band of both Ga-terminated and As-terminated for GaAs(311)A and GaAs(311)B surfaces, respectively. In each case, the number of surface states is determined, and the localized surface features and orbital properties of these surface states along Γ-Y-S-X-Γ high symmetry lines of the surface Brillouin zone are discussed. For the Ga-terminated GaAs(311)A (1×1) surface, we have tested two possible structure models, i.e. "the bridge site" and "the hollow site" models. In comparison with the angle-resolved photoelectron spectroscopy studied recently, the results have shown that the surface electronic states of the hollow site model are in good agreement with the experiments, whereas those of the bridge site model are not. So we have concluded that the hollow site model is favourable for the Ga-terminated GaAs(311) (1×1) surface and the bridge site model should be excluded. 相似文献
135.
136.
固体间界面的物理模型和界面对声波的反射 总被引:4,自引:0,他引:4
简要描述了模拟两固体间界面特性的弹簧模型,该模型最早是根据静力学方法提出的,后来用固体间界面薄层的声波反射方法加以改进,从界面弹簧模型可以方便地得到界面外近似边界条件,其中包含界面“弹簧”振子的劲度常数和质量,文章还给出了两相间固体中界面声反射系数的表达式,介绍了测量界面劲度常数的超声反射谱方法。最后讨论了仍关声波与界面相互作用研究领域中最近的一些研究进展。 相似文献
137.
138.
在分析同步动态随机存储器(SDRAM)辐射效应主要失效现象的基础上,研制了具备了读写功能测试、刷新周期测试及功耗电流测试三种功能的SDRAM辐射效应在线测试系统,并开展了SDRAM的总剂量效应实验研究。结果表明,总剂量效应会导致SDRAM器件的数据保持时间不断减小,功耗电流不断增大以及读写功能失效。实验样品MT48LC8M32B2的功能失效主要由外围控制电路造成,而非存储单元翻转。数据保持时间虽然随着辐照剂量的累积不断减小,但不是造成该器件功能失效的直接原因。 相似文献
139.
紧凑型回旋加速器作为重离子医学专用装置同步加速器的注入器,其引出系统设计所用的磁场为TOSCA模型计算磁场。通过单粒子轨道计算确定引出系统的元件类型及基本参数;通过多粒子跟踪确定最终的元件参数和束流参数。为了提高引出效率,改善引出束流品质,在引出位置磁场梯度较大的位置,安放了一块C型磁铁,以改善此处的磁场梯度。同时,为了消除此C型磁铁对主磁场的影响,在此区域安放了一对线圈。计算结果表明引出系统的设计能够保证引出束流的强度和品质符合同步加速器的要求。 相似文献
140.
Shao Su Xinpan Wei Yuanyuan Guo Yiling Zhong Yuanyuan Su Qing Huang Chunhai Fan Yao He 《Particle & Particle Systems Characterization》2013,30(4):326-331
A new kind of silicon nanowire (SiNWs)‐based nanoelectrode assembly, a gold‐nanoparticle‐decorated silicon nanowire array (AuNPs@SiNWsAr), is employed for the construction of high‐performance electrochemical sensors. Significantly, the electrochemical nanosensors are capable of sensitive detection of various electroactive molecules (e.g., dopamine (DA), ascorbic acid (AA), hydrogen peroxide (H2O2), and glucose). Further, DA molecules loaded on the surface of AuNPs@SiNWsAr preserve stable high electroactivity overnight without special protection, while free DA molecules may lose their biological activity due to severe oxidization in ambient environment. These findings may offer new opportunities for the design of high‐performance electrochemical nanosensors with high sensitivity and robust stability. 相似文献