Study on optical and electrical properties of gold-doped silicon fabricated by femtosecond laser

Microstructured silicon (Si) materials have been fabricated by femtosecond (fs) laser ablation and have been hyperdoped with gold (Au) impurities. The ablated Si materials showed large and thermostable infrared absorption at 1.1–2.5 μm wavelengths, which was contributed by sub-band absorption and laser-induced defects absorption. The Au–Si alloy was formed after laser irradiation onto the Au-coated Si surface, which was determined by XRD characterization. Using N-type Si substrate, the fabricated Au-doped Si performed lower sheet carrier density due to the self-compensation effect between deep donor and acceptor energy lever of Au in bulk Si material. From Hall measurement, both the p- and n- types of Au-doped Si samples can be obtained by controlling the type of Si substrate.     

带宽调制型单光纤光栅温变无补偿位移传感

报道了利用反射谱带宽调制和光强差分探测技术实现单一光纤光栅温变无补偿位移精确测量的新方法。设计了一种结构新颖的曲臂梁位移传感装置,结合光波导理论与材料力学原理分析了光纤光栅在高斯应变作用下光栅反射谱侧向梯度展宽的成因,理论推导了特殊结构梁在外力作用下光栅反射谱带宽/反射光强与压力之间的响应关系。光栅反射谱侧向梯度展宽的同时反射光强线性增加,利用光强差分检测方法消除光源出光抖动的影响,提高了位移测量精度。基于带宽调制的光纤光栅位移传感方法免受温度变化的影响,在-10℃~80℃的温度变化范围内,测量误差小于1.2%,实现了单光纤光栅温变无补偿位移测量。     

多色矢量高斯-谢尔模型光束的焦移和焦开关

从交叉谱密度矩阵的传输公式出发,对多色矢量高斯-谢尔模型（GSM）光束的焦移和焦开关作了详细的研究.插入偏振片之前,多色矢量高斯-谢尔模型（GSM）光束通过硬边光阑透镜分离光学系统后,有焦移,但无焦开关;而插入偏振片之后,会出现焦开关.改变偏振片的旋转角度可以控制焦开关的特性.     

Sagnac棱镜角公差与干涉光谱仪光谱分辨率的关系分析

根据干涉成像光谱仪光谱分辨率对角向差的要求,通过对实体Sagnac干涉仪结构和光路进行分析,从三个相互垂直的方向出发,研究了光谱分辨率和棱镜角公差之间存在的关系;并推导了满足光谱仪光谱分辨率要求的实体Sagnac干涉棱镜的角公差公式;用实例说明了关系式的应用方法,如果不考虑棱镜变形引起的色散及棱镜的面型误差和付氏镜的残余像差的影响,而只考虑棱镜的角误差对光谱分辨率的影响,则通常情况下干涉棱镜的角公差要求较严,约20″以内.     

精心设计网络教学创造新的课程教学能力

1977年，马文蔚教授主编工科院校使用的《物理学》教材从第一版起至今历经近30个年头，1995年获国家教委优秀教材一等奖．第四版教材又在深入教学研究的基础上，内容有了进一步更新，吸收了物理教学改革成功的经验，作为“面向21世纪课程教材”和“九五”国家级重点教材出版．     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T₀=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. 关键词： MOCVD InGaAs/InGaAsP 应变量子阱 分布反馈激光器     

丙烯腈γ辐射聚合的NMR研究

用¹H NMR、¹³C NMR谱、自旋-晶格弛豫时间（T₁）和自旋-自旋弛豫时间（T₂）研究了丙烯腈在⁶⁰Co γ射线辐射聚合后的大分子结构变化与大分子链的运动. 结果表明随着辐射剂量增大，在单体形成聚合物的过程中，聚合物主链上出现了少量的-OH基团，继续增大辐射剂量， -OH部分被氧化. 对聚合物溶液的变温氢谱的研究表明，溶剂中的残余水与上述-OH形成氢键，且随着温度升高氢键被破坏，同时H₂O与-OH之间还存在着质子交换. 利用¹³C NMR谱对丙烯腈辐射聚合的产物进行了序列结构分析. 对T₁和T₂的研究表明，辐射剂量的增大并未影响到聚丙烯腈的链运动，证明了在丙烯腈的辐射聚合过程交联反应未发生.     

麦克斯韦等面积法则在范氏气体中的应用

对与范德瓦耳斯气体状态方程有关的几个问题作了进一步分析,给出了一种证明麦克斯韦等面积法则的方法,并指出了有关文献的不妥之处.     

16O+115In反应的全熔合与非完全熔合

在92和71MeV ¹⁶O离子与¹¹⁵In的相互作用中,用核化学技术测量了20个反应余核的角分布和微分射程分布.分析了这些余核的生成特征,指出随着碰撞参数的增加,反应机制从全熔合经过质量和动量转移逐渐减小的非完全熔合向直接反应连续演变.与¹⁶O+⁶⁵Cu反应相比,¹⁶O+¹¹⁵In反应中非完全熔合的贡献显著增加.