微弧氧化陶瓷膜封孔后处理及抗高温氧化性能的研究

在铝酸盐体系中,利用微等离体氧化脉冲电源在Ti-6Al-4V合金表面制备了以Al2TiO5为主晶相的陶瓷膜层,然后采用钛酸四丁酯/乙醇和硅酸钠溶液的封孔方法对微弧氧化陶瓷膜进行封孔后处理。通过SEM及高温氧化测试,分析比较了陶瓷膜层在封孔前后的表面形貌以及抗高温氧化性能的变化情况。结果表明:封孔后膜层孔洞明显变小。经700℃高温氧化测试,采用钛酸四丁酯/乙醇溶液封孔方法不仅没有带来抗高温氧化性能的提高反而下降,而硅酸钠溶液的封孔方法提高了抗高温氧化性能。     

掺杂稀土铁磁性纳米复合粉体的制备

采用水热法以FeCl2和KOH为原料制备Fe3 O4粉体,以氧化钇、氧化铕和氧化铽为原料制备Y2 O3:1;Eu3+,5;Tb3+粉体,然后以Fe3 O4粉体,Y2 O3:1;Eu3+,5;Tb3+粉体和三聚氰胺为原料,采用微波烧结法在Ar气气氛下制备FeYO3/Y2 O3:1;Eu3+,5;Tb3+复合粉体,利用XRD衍射仪对各种粉体的结构进行分析,利用扫描电镜对复合粉体的形貌进行观察,并利用振动样品磁强计对复合粉体的磁学性能进行研究.结果表明:复合粉体均呈针状,长度和细度均为纳米级.当Fe3 O4,Y2 O3:1;Eu3+,5;Tb3+和三聚氰胺比例为1:3:4时,所制备的FeYO3/Y2 O3:1;Eu3+,5;Tb3+粉体磁力最强,磁力饱和强度为11.3 emu·g-1.     

A new relaxation framework for quadratic assignment problems based on matrix splitting

Quadratic assignment problems (QAPs) are known to be among the hardest discrete optimization problems. Recent study shows that even obtaining a strong lower bound for QAPs is a computational challenge. In this paper, we first discuss how to construct new simple convex relaxations of QAPs based on various matrix splitting schemes. Then we introduce the so-called symmetric mappings that can be used to derive strong cuts for the proposed relaxation model. We show that the bounds based on the new models are comparable to some strong bounds in the literature. Promising experimental results based on the new relaxations are reported.     

正交各向异性弹性平面应力的近似计算方法

本文在列赫尼茨基方法的基础之上提供一个正交各向异性弹性平面应力的近似计算方法。利用这个方法,我们处理了下面三种问题:(1)具有圆孔梁的纯弯曲;(2)具有圆形空洞的板的拉伸;(3)具有椭圆空洞的无限平面。     

有限存贮空间内可燃多孔介质流动和传热的研究

对通风条件下可燃多孔介质库房内的流动和传热特性进行了数值模拟,得到了库房有限空间内的温度场和速度场.通过比较不同的来流温度和入口流速,得到的结果表明:可燃多孔介质(弹药)内部发生化学反应并产生热量,其温度由中心向四周逐渐降低;来流流速越大,越有利于弹药的冷却;在来流速度相同的情况下,来流温度越低,越有利于散热,对于可燃多孔介质(弹药)的贮存越安全;在左侧进风口的上下两边以及可燃多孔介质(弹药)的上方,会形成漩涡.     

Germanium PMOSFETs with Low-Temperature Si2H6 Passivation Featuring High Hole Mobility and Superior Negative Bias Temperature Instability

We investigate negative bias temperature instability （NBTI） on high performance Ge p-channel metal-oxide- semiconductor field-effect transistors （pMOSFETs） with low-temperature Si2H6 passivation. The Ge pMOSFETs exhibit an effective hole mobility of 311 cm2/V.s at an inversion charge density of 2.5 × 1012 cm^-2. NBTI characterization is performed to investigate the linear transconductance （GM,lin） degradation and threshold voltage shift （△VTH） under NBT stress. Ge pMOSFETs with a lOyr lifetime at an operating voltage of -0.72 V are demonstrated. The impact of the Si2H6 passivation temperature is studied. As the passivation temperature increases from 350℃ to 550℃, the degradation of NBTI characteristics, e.g., GM,lin loss, △VTH and an operating voltage for a lifetime of lOyr, is observed.     

各向异性抛物外问题的自然边界元法

研究一类各向异性抛物外问题的自然边界归化及其自然边界元方法.通过自然边界归化,获得了该问题的自然积分方程和Poisson积分公式,给出了自然积分方程的数值解法,并通过数值例子以示本文方法的可行性与有效性.     

Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响

应用多光子非线性Compton散射模型和有限时域差分法,对Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响进行了理论分析和数值模拟。结果表明,与Compton散射前的情况相比,Compton散射使低温低频处光子禁带中存在缺陷模的明显度降低,缺陷模频率增大,缺陷模和透射率峰值减小;使高温高频处缺陷模和透射率峰值、缺陷模频率显著增大,禁带宽减小,缺陷模位置向高频方向移动。随着电子密度的增大,散射减小了禁带增大效应和缺陷模减小效应,增强了缺陷模频率增大效应;随着电子密度的降低,散射增强了禁带变窄效应、缺陷模峰值增大效应和缺陷模频率减小效应。利用Compton散射,可实现对缺陷模密温特性的有效控制。