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42.
We present a numerical study of lasing modes in diffusive random media with local pumping. The reabsorption of emitted light suppresses the feedback from the unpumped part of the sample and effectively reduces the system size. The lasing modes are dramatically different from the quasi modes of the passive system (without gain or absorption). Even if all the quasi modes of a passive diffusive system are extended across the entire sample, the lasing modes are still confined in the pumped volume with an exponential tail outside it. The reduction of effective system volume by absorption broadens the distribution of decay rates of quasi modes and facilitates the occurrence of discrete lasing peaks. 相似文献
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44.
We investigated the effect of low temperature annealing on magnetic anisotropy in 7-nm ultrathin Ga0.94Mn0.06As devices by measuring the angle-dependent planar Hall resistance(PHR).Obvious hysteresis loops were observed during the magnetization reversal through the clockwise and counterclockwise rotations under low magnetic fields(below 1000 Gs,1 Gs = 10-4 T),which can be explained by competition between Zeeman energy and magnetic anisotropic energy.It is found that the uniaxial anisotropy is dominant in the whole measured ferromagnetic range for both the as-grown ultrathin Ga0.94Mn0.06As and the annealed one.The cubic anisotropy changes more than the uniaxial anisotropy in the measured temperature ranges after annealing.This gives a useful way to tune the magnetic anisotropy of ultrathin(Ga,Mn)As devices. 相似文献
45.
Probabilistic quantum cloning(PQC) cannot copy a set of linearly dependent quantum states.In this paper,we show that if incorrect copies are allowed to be produced,linearly dependent quantum states may also be cloned by the PQC.By exploiting this kind of PQC to clone a special set of three linearly dependent quantum states,we derive the upper bound of the maximum confidence measure of a set.An explicit transformation of the maximum confidence measure is presented. 相似文献
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Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature-dependent photoluminescence 下载免费PDF全文
The effect of bismuth on the optical properties of InGaAsBi/GaAs quantum well structures is investigated using the temperature-dependent photoluminescence from 12 K to 450 K.The incorporation of bismuth in the InGaAsBi quantum well is confirmed and found to result in a red shift of photoluminescence wavelength of 27.3 meV at 300 K.The photoluminescence intensity is significantly enhanced by about 50 times at 12 K with respect to that of the InGaAs quantum well due to the surfactant effect of bismuth.The temperature-dependent integrated photoluminescence intensities of the two samples reveal different behaviors related to various non-radiative recombination processes.The incorporation of bismuth also induces alloy non-uniformity in the quantum well,leading to an increased photoluminescence linewidth. 相似文献
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提出一种基于背景光调制的用于傅里叶变换轮廓术测量范围的复合光栅,该光栅通过调制一正弦条纹和不含任何相位信息的背景光来抑制零频,较基于相移技术的复合光栅有更大的优势:背景光只含直流分量,使得复合光栅的频谱更加简单,有利于滤出载波信息,提高测量精度;对从复合光栅中解调出来的背景光只涉及平均值校准,校准过程更为简单;解调出的背景光与物体表面的反射率成正比,具有潜在的应用价值。采用Matlab程序对该复合光栅进行了数值模拟,并对该光栅实用性进行了实验研究,结果证实了该光栅用于抑制零频、扩大傅里叶变换轮廓术测量范围的有效性,且提高了测量精度。 相似文献
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50.
在低于一个标准大气压的条件下对飞秒激光产生的N2等离子体光谱进行了实验研究.结果表明, 各种样品气压下的激光N2等离子体光谱均表现为连续谱和线状谱的叠加.随着样品气压的降低, 连续谱和原子谱线的强度经历了由缓慢增强发展为缓慢降低再到迅速降低的过程, 而正一价离子谱线强度呈现逐步增强的特征.在气压低于0.3 atm (1 atm=101325 Pa)时, 出现了正二价态的离子谱线. 给出了低压N2等离子体对于飞秒激光传输和能量吸收的物理特性, 并初步讨论了低压等离子体通道特性.这些结果有助于加深了解飞秒激光等离子体的特性和机理, 特别是给出了在实验上测量不同价态离子光谱的条件, 为今后的研究提供了有益的实验依据.
关键词:
飞秒激光
气压
等离子体光谱
激光传输 相似文献