首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   27515篇
  免费   4730篇
  国内免费   4189篇
化学   20996篇
晶体学   425篇
力学   1452篇
综合类   300篇
数学   2683篇
物理学   10578篇
  2024年   94篇
  2023年   513篇
  2022年   989篇
  2021年   1129篇
  2020年   1196篇
  2019年   1200篇
  2018年   1035篇
  2017年   997篇
  2016年   1418篇
  2015年   1397篇
  2014年   1700篇
  2013年   2233篇
  2012年   2518篇
  2011年   2483篇
  2010年   1841篇
  2009年   1815篇
  2008年   2001篇
  2007年   1770篇
  2006年   1625篇
  2005年   1375篇
  2004年   1083篇
  2003年   888篇
  2002年   908篇
  2001年   690篇
  2000年   512篇
  1999年   489篇
  1998年   421篇
  1997年   342篇
  1996年   300篇
  1995年   251篇
  1994年   210篇
  1993年   167篇
  1992年   156篇
  1991年   146篇
  1990年   111篇
  1989年   90篇
  1988年   58篇
  1987年   41篇
  1986年   51篇
  1985年   46篇
  1984年   23篇
  1983年   22篇
  1982年   17篇
  1981年   19篇
  1980年   10篇
  1976年   5篇
  1975年   8篇
  1974年   7篇
  1973年   5篇
  1936年   6篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
201.
于洁  章东  刘晓宙  龚秀芬  宋富先 《物理学报》2007,56(10):5909-5914
圆锥面聚焦换能器可在超声成像中获得较好径向分辨率的同时提高探测深度.利用高斯声源函数叠加法来近似表示圆锥面聚焦声源的分布函数,结合近轴近似的KZK方程,得到了圆锥面聚焦换能器在损耗媒质中产生的基波、二次谐波声场的解析解.在实验上制作了PVDF圆锥面聚焦换能器,测量了圆锥面聚焦换能器的基波及二次谐波声场,实验结果和理论计算相符.  相似文献   
202.
蒲杰  李平  吴文焘  吕燚 《应用声学》2011,30(2):145-152
本文通过不同方案对比,综合权衡信号质量、功耗、面积和成本等因素,提出并实现了一种数字化便携式B超的收发电路设计。在总体结构的基础上,重点分析、介绍了高压开关、收发隔离选通和控制逻辑部分的设计方案,并给出了初步测试和实验结果。设计及测试结果表明设计的便携式B超前端收发电路具有体积小、结构简单、通道一致性好等优点,具有较高的信号质量及较低的信号失真度,并保持较低的功耗,能够实现编码发射;达到了设计目标。  相似文献   
203.
根据近几年来国内外的有关文献,叙述了ICP光源的激光烧蚀固体进样方法的研究进展及其在物质成分分析中的应用。着重阐述了激光输出特性(输出波长、脉冲宽度、重复频率、能量密度)和环境气氛(氦气、氩气)对样品烧蚀过程的影响,讨论了激光烧蚀室、气溶胶传输管道及样品引入改进装置在蒸发物质被传输到ICP光源过程中的作用。获得较小而均匀的气溶胶颗粒和稳定高效地将烧蚀物质输送到ICP是完善激光烧蚀固体进样技术的关键环节,元素分馏效应及蒸发物沉积是影响分析性能的重要因素。作为实际例子,也讨论了激光烧蚀固体进样电感耦合等离子体发射光谱法/质谱法在金属、玻璃、有机物及其他样品分析方面的应用,对分析方法的准确度、精密度、检出限和灵敏度进行了简要论述。  相似文献   
204.
铜氧化物高温超导体的发现, 打破了基于电声子相互作用BCS理论所预言的超导转变温度极限, 掀开了高温超导材料探索和高温超导机理研究的序幕. 根据掺杂类型的不同, 铜氧化物超导材料可以分为空穴型掺杂和电子型掺杂两类. 受限于样品, 对电子型掺杂铜氧化物的研究工作远少于空穴型掺杂体系. 本文简要回顾有关电子型掺杂铜氧化物超导体近期研究成果, 通过对比电子型掺杂和空穴型掺杂铜氧化物的相图来阐明电子型掺杂铜氧化物的研究对探索高温超导机理的必要性, 并特别针对电子型掺杂样品制备中的关键因素“退火过程”展开讨论. 结合课题组最新实验结果和相关实验报道我们发现电子型掺杂铜氧化物超导体在制备过程中除受到温度和氧分压的影响外, 退火效果还受到界面应力的强烈调制. 在综合考虑样品生长过程中温度、气氛及应力等多种因素的基础上, 探讨了“保护退火”方法导致电子型体系化学掺杂相图变化的起因.  相似文献   
205.
闫博  胡亚欣  谭纯洁  秦鹏 《应用声学》2022,41(5):699-709
声波、血流环境及流动微泡群的稳定性都会影响焦区内瞬态空化强度(ICI)在超声作用时间内的分布,从而影响基于瞬态空化的治疗效率和生物安全性。本文在搭建仿体中流动微泡群瞬态空化发生和实时测量系统的基础上,设计了基于LabView FPGA的比例反馈控制器,在保持脉冲重复频率和脉冲长度不变的条件下,通过选择适当的比例系数,依据当前周期的声波激励下实时测量的ICI,实时调节下一周期声波信号的峰值负压,以调控ICI在时间上的分布。研究表明,在最优比例系数(1 × 107)下,和开环系统相比,ICI的稳定率提升~2.31 倍,ICI的时域下降速率减小~94.41%;在超声作用时间内总ICI也基本达到期望水平。这些结果表明该比例反馈控制器在调控脉冲超声激励下流动微泡群ICI时域分布的有效性,有望改进瞬态空化在相关疾病治疗中的效率和安全性。  相似文献   
206.
四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
卢红亮  徐敏  陈玮  任杰  丁士进  张卫 《物理学报》2006,55(3):1374-1378
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词: 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO2(001) 表面电子结构  相似文献   
207.
An effective and environmentally benign benzylic oxidation for transition of alkylarenes into the corresponding carbonyl compounds was reported.Alkylarenes were mixed and stirred with potassium bromide,m-chloroperbenzoic acid and a catalytic amount of iodobenzene in water at 60 8C for several hours,a series of the corresponding carbonyl compounds was obtained in moderate to good yields.In the reaction,iodobenzene was first oxidized by m-chloroperbenzoic acid into the hypervalent iodine intermediate which then reacted with potassium bromide to form the key radical initiator for the benzylic oxidation.  相似文献   
208.
1,3-Dipolar cycloadditions of methyl 2-perfluoroalkynoates with various azides have been examined, leading to a simple metal-free synthetic protocol for the synthesis of perfluoroalkylated 1,2,3-triazoles. The regiochemical results demonstrated that the cycloaddition was controlled by FMO (the frontier molecular obitals) interaction and steric hindrance in transition states.  相似文献   
209.
210.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号