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101.
在本文中引入了泛代数的二次扩张的概念,解决了TU-EC(A)和UT-EC(A)的存在、真类和基数问题,范畴TU-EC(A)(及UT-EC(A)),并得到了有关二次扩张的几个同构定理,还对一点二次扩张作了讨论。 相似文献
102.
Hua Jin Zhuangqi Hu Qingmin Liu Yunlong Ge Changxu Shi 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》1992,54(5):399-403
A crystallization study has been carried out for rapidly solidified Bi2Pb0.5Sr2Ca4Cu5Ox glass. Glass transition temperature T
g, crystallized superconducting phases and microstructural changes were measured and analysed by differential thermal analysis (DTA), X-ray diffraction (XRD), and scanning electron microscopy (SEM). The crystallization mechanism of the three superconducting phases — (2201) 20 K phase, (2212) 80 K phase, and (2223) 110 K phase — has been discussed, and a time-temperature-transformation diagram for the glass has been constructed. 相似文献
103.
本文采用了一种简单的功率监测法,观察了KrF准分子激光对掺锗光纤折射率影响的非线性过程。观察到子纤芯折射率扰动过程中非稳定现象、饱和现象和折射率扰动的非线性。 相似文献
104.
Traveling wave Ti:LiNbO3 Mach-Zehnder optical modulators with buried electrodes and etched grooves in the SiO2 buffer layer are analyzed by the finite element method. The tradeoff between the bandwidth BW and the half-wave voltage Vπ is discussed. The value of BW/Vπ is used to weight the total performance of the modulator. Taking a thick buffer layer and etching deep grooves in the buffer layer are demonstrated as two effective methods to improve the performance of the modulator. A 3-dB optical bandwidth of 18 GHz with half-wave voltage 5V at a wavelength of 1.55 pm could be obtained even though the electrode is not very thick. When the requirement of half-wave voltage is not very critical, a bandwidth of more than 100 GHz can be obtained. 相似文献
105.
生物小分子与铜锌超氧化物歧化酶相互作用的波谱学研究及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作以ESR和NMR为主要手段,并结合其它生化方法,考察了氨基酸、核酸碱基、糖等生命基本物质,和抗坏血酸等生命必需物质与钢锌超氧化物歧化酶的相互作用,实验观测到氨基酸、核酸碱基和抗坏血酸在水溶液中可以与酶中的Cu2+作用而使其脱离活性部位,以小分子络合物形式游离在溶液中,同时使酶失活,脱离活性部位的Cu2+的比例和酶的失活程度取决于小分子配体的加入量及其与Cu2+的络合能力。此外,首次尝试使用ESR方法,并借助氨基酸与酶的作用,考察了铜锌超氧化物歧化酶在盐酸胍变性和热变性过程中的构象变化行为,结果表明这一方法是直观而有效的。 相似文献
106.
107.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料. 相似文献
108.
描述了一种延长EPR波谱仪中速调管使用寿命的方法.根据这种方法,只要正确地调谐微波桥的工作状态和适当地调整功率电平器的功率校正电平.即使对于已经严重老化的速调管仍然可以继续使用一段时间,维持仪器的正常运行. 相似文献
109.
讨论了横向位移双曝光散斑图维纳谱的信息分布,并由此导出杨氏纹图的一般表达式。讨论了条纹可见度与应变,面内转动,照明光束直径与条纹图图空间坐标的关系,指出了在条纹可见度影响下最大可见条纹数目。还讨论了散斑衬比与衍射晕的关系。 相似文献
110.