Theoretical studies on the structural, electronic, and optical properties of Ag2HgSnSe4

We investigate the electronic structure of Ag₂HgSnSe₄ in a wurtzite-stannite structure with the first principles method. This crystal is a direct band-gap compound. In addition the dielectric function, absorption coefficient, reflectivity, and energy-loss function are studied using the density functional theory in the generalized gradient approximation. We discuss the optical transitions between the valence bands and the conduction bands in the spectrum of the imaginary part of the dielectric function at length. We also find a very high absorption coefficient and a wide absorption band for this material. The prominent structures in the spectra of reflectivity and the energy-loss function are discussed in detail.     

GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性

本文用分数维方法研究Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性, 提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法, 解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难, 得到了Al_xGa_1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能. 关键词： 分数维方法 极化子 GaAs薄膜     

玻璃基底Wolter-1型X射线聚焦镜研制及测试

Wolter-1型X射线聚焦镜可将掠入射的X射线反射至焦平面处,具有较强的成像探测能力,在天文探测等领域中具有重要作用.通过建立几何模型对反射镜面及反射光线方程进行理论计算,推导出了适用于以玻璃为基底材料的聚焦镜设计参数方程,可用于对此类聚焦镜进行理论设计,依据理论设计,采用具有极高表面光洁度的超薄肖特D263T玻璃经热弯成型后作为反射镜基底,在反射镜表面制备金属铱薄膜作为反射膜研制了Wolter-1型反射镜组,并使用激光三维扫描仪对所研制的聚焦镜片面型进行了测试.测试结果显示,实际镜片面型与理想镜片面型公差在10 μm以内的测试点占总测试点的50%.通过搭建可见光条件下的焦斑测试系统,使用图像采集相机采集焦斑的灰度图像,通过图像分析软件分析计算该灰度图像的灰度分布来定量分析焦斑的能量分布情况,从而确定焦斑特性参数.实验结果显示：研制出的聚焦镜片焦距为1.6 m,焦斑的半能量包围直径为0.33 mm,对应角分辨率为0.7角分.     

Solvent Reorganization Energy and Electronic Coupling for Intramolecular Electron Transfer in Biphenyl-Acceptor Anion Radicals

基于非平衡溶剂化理论和连续介质模型修改了GAMESS中的相关程序,实现了电子转移溶剂重组能的数值计算. 采用修改后的程序计算得到了联苯-雄甾烷-萘和联苯-雄甾烷-菲这两个体系电子转移的溶剂重组能约为60 kJ/mol. 这个结果与实验拟合值符合的很好. 利用线性反应坐标与Koopmans定理计算了电子转移耦合矩阵元,结果与实验拟合值有可比性.     

液芯光纤中溶液吸收和荧光的性质对CS2受激拉曼散射阈值的影响

利用液芯光纤技术研究了不同浓度的β-Carotene的CS₂溶液的吸收与荧光的特性对CS₂的一、二阶Stokes谱线阈值的影响.实验发现随溶液浓度(10^-8—10^-6 mol/L)增加，CS₂的一阶Stokes谱线的激发阈值相对变高；并且与纯CS₂芯液的受激拉曼散射相比较，在低抽运能量激发下，就观察到CS₂的二阶Stokes谱线.这主要是由于在CS₂的受激拉曼谱线产生的过程中，β-Carotene的CS₂溶液的吸收和荧光共同影响了CS₂的一、二阶Stokes谱线的阈值.我们进行了理论上的拟合与分析，其结果与实验符合很好. 关键词： 2受激拉曼散射阈值')" href="#">CS₂受激拉曼散射阈值 液芯光纤 吸收与荧光     

光电振荡器产生宽带混沌光的时延特征分析

理论分析与数值研究了光电振荡器输出的混沌激光特性, 基于自相关分析方法, 详细研究了光电振荡器的直流偏置相移和反馈强度等工作参数对输出信号时延信息的影响. 数值研究表明: 增加反馈强度可以使时延信息变得更加微弱甚至消除; 相同条件下, 直流偏置相移对应的工作点越接近马赫-曾德尔调制器传输特性曲线的极值点, 时延信息越弱; 直流偏置相移为0时可以有效地抑制时延信息. 研究还发现, 当直流偏置相移和反馈调制产生的相移变化π/2时, 自相关曲线上对应于延迟时间处的相关系数符号发生变化. 关键词： 宽带混沌激光 延迟时间 光电振荡器     

二维可压缩流体Kelvin-Helmholtz不稳定性

利用高精度数值格式,研究了二维可压缩流体中的Kelvin-Helmholtz不稳定性,主要研究了可压缩性对Kelvin-Helmholtz稳定性增长率的影响.模拟定量的给出低Mach和高Mach数两种情况下,初始静压和对流Mach数以及Kelvin-Helmholtz不稳定性线性增长率的关系.模拟结果和自由剪切层以及混合层的实验结果以及理论分析一致.模拟表明,对流Mach数是描述流体可压缩性的合适参数,对流Mach数越小流体越不可压,Kelvin-Helmholtz不稳定性的线性增长率随对流Mach数的增加而减小. 关键词： Kelvin-Helmholtz不稳定性 可压缩流体 Mach数 超音速流体     

The thermal effect in diode-end-pumped continuous-wave 914-nm Nd:YVO4 laser

The thermal effect and the heat generation in diode-end-pumped continuous-wave 914-nm Nd:YVO₄ lasers are investigated in detail. A theoretical model of a diode end-pumped solid-state laser is constructed to analyse the influence of fractional thermal loading on the thermal effect in the Nd:YVO₄ laser based on finite element analysis. The thermal focal lengths and the end-surface deformations of laser rods in Nd:YVO₄ quasi-three-level and four-level lasers are measured and compared with the results obtained by ordinary interferometry for the demonstration of higher thermal loading in 914-nm laser. Finally the fractional thermal loading in the Nd:YVO₄ quasi-three-level laser is calculated by matching the experimental and the simulated end deformations.     

LiAl5O8高压相变研究

 运用金刚石压砧同步辐射X射线衍射,对尖晶石结构的LiAl₅O₈进行了高压原位研究。实验发现：在高压下,一组LiAl₅O₈的新相衍射峰出现,随着压力的增加,其新相衍射峰逐渐增强,当压力增加到45.0 GPa时,LiAl₅O₈的低压相衍射峰全部消失,而形成了一组高压新相衍射峰。采用指标化程序对衍射数据进行处理和分析,确定这一高压新相为正交晶系结构,其晶胞参数为a=0.995 9 nm,b=0.644 7 nm,c=0.333 4 nm ,空间群为Pmm2。     

Effect of heat treatment on electronic phase in underdoped La2-xSrxCuO4 single crystal

Superconducting La1.937Sr0.063CuO4 crystals grown by the travelling-solvent floating-zone technique were thermally treated under various temperatures and oxygen pressures for moderately adjusting the oxygen content. The response of intrinsic electronic property of the crystals to the change of hole density in La2-xSrxCuO4 in the vicinity of the magic doping of x= 1/16 （= 0.0625） is studied in detail by magnetic measurements under various fields up to 1 T. It is found that when the superconducting critical temperature （Tc） increases with the oxygen content, there appears also a new subtle electronic state that can be detected from the differential curves of diamagnetic susceptibility dx/dT of the crystal sample. In contrast with the intrinsic state, the new subtle electronic state is very fragile under the magnetic fields. Our results indicate that a moderate change in oxygen doping does not significantly modify the intrinsic electronic state originally existing at the magic doping level.