首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4116篇
  免费   790篇
  国内免费   532篇
化学   2918篇
晶体学   56篇
力学   288篇
综合类   17篇
数学   403篇
物理学   1756篇
  2024年   10篇
  2023年   108篇
  2022年   120篇
  2021年   168篇
  2020年   163篇
  2019年   158篇
  2018年   157篇
  2017年   129篇
  2016年   217篇
  2015年   200篇
  2014年   232篇
  2013年   325篇
  2012年   420篇
  2011年   414篇
  2010年   280篇
  2009年   245篇
  2008年   280篇
  2007年   250篇
  2006年   244篇
  2005年   210篇
  2004年   148篇
  2003年   123篇
  2002年   99篇
  2001年   77篇
  2000年   91篇
  1999年   80篇
  1998年   69篇
  1997年   57篇
  1996年   63篇
  1995年   61篇
  1994年   34篇
  1993年   43篇
  1992年   43篇
  1991年   24篇
  1990年   23篇
  1989年   18篇
  1988年   13篇
  1987年   8篇
  1986年   8篇
  1985年   12篇
  1984年   1篇
  1983年   6篇
  1981年   2篇
  1980年   2篇
  1979年   1篇
  1978年   1篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有5438条查询结果,搜索用时 15 毫秒
181.
Meng  X.  Duan  X.  Zhang  L.  Zhang  D.  Yang  P.  Qin  H.  Zhang  Y.  Xiao  Sh.  Duan  L.  Zhou  R. 《Kinetics and Catalysis》2022,62(1):S30-S37
Kinetics and Catalysis - Hierarchically porous γ-Al2O3, TiO2–Al2O3 composite supports, and Pt–Sn–K/Al2O3 and Pt–Sn–K/TiO2–Al2O3 catalysts were prepared...  相似文献   
182.
段传璞  利静 《化学通报》2022,85(1):59-63
铋基钙钛矿由于稳定性强及毒性低,被认为是未来极具发展潜力的环保型钙钛矿材料。(CH3NH3)3Bi2I9(MBI)因具有优异的光吸收性能而引起人们的普遍关注。本文介绍了MBI钙钛矿晶体的结构及性能,总结了其薄膜的制备方法,并重点叙述了不同方法制备的MBI钙钛矿薄膜在光伏电池中的应用情况。MBI钙钛矿与铅基钙钛矿的效率相比还有很大差距,如何提高其光电转换效率仍是今后研究的主要方向。  相似文献   
183.
本工作设计合成了分别含有B—N键和C=C键的薁基[4]螺烯类分子1a/1b和2, 其中B—N键和C=C键互为等电子体. 紫外-可见吸收光谱、电化学循环伏安测试和理论计算结果表明B—N键可以调控共轭骨架的电子结构及芳香性. 单晶结构表明1a具有螺旋几何构型, 晶体中存在PM两种对映异构体. B—N键具有部分双键性质, 硼氮六元环具有一定的芳香性. 大位阻基团2,4,6-三甲基苯基(Mes)使得1b在三氟乙酸(TFA)作用下不会发生类似于1a的脱硼化, 而是发生和2相似的可逆质子响应, B—N键对薁单元的质子响应性质无明显影响. 三配位的硼原子可以进一步和氟离子配位, 使得1a对氟离子有明显的选择性响应, 而1b则因大位阻的Mes取代基的存在对氟离子无明显的响应性. 本工作报道了新型薁基硼氮杂螺烯及全碳螺烯分子, 为薁基多环芳烃的“自下而上”合成及性质研究提供了参考.  相似文献   
184.
185.
186.
We address the quantum transition of a spin-1/2 antiferromagnetic Kondo lattice model with an easy-axis anisotropy using the extended dynamical mean field theory. We derive results in real frequency by using the bosonic numerical renormalization group (BNRG) method and compare them with quantum Monte Carlo results in Matsubara frequency. The BNRG results show a logarithmic divergence in the critical local spin susceptibility, signaling a destruction of Kondo screening. The T=0 transition is consistent with being second order. The BNRG results also display some subtle features; we identify their origin and suggest means for further microscopic studies.  相似文献   
187.
We present studies of the photoexcited quasiparticle dynamics in Tl(2)Ba(2)Ca(2)Cu(3)O(y) (Tl-2223) using femtosecond optical techniques. Deep into the superconducting state (below 40 K), a dramatic change occurs in the temporal dynamics associated with photoexcited quasiparticles rejoining the condensate. This is suggestive of entry into a coexistence phase which, as our analysis reveals, opens a gap in the density of states (in addition to the superconducting gap), and furthermore, competes with superconductivity resulting in a depression of the superconducting gap.  相似文献   
188.
We have performed first-principles calculations using full-potential augmented-plane-wave method to investigate the fundamental properties of the Cd1–xZnxTe alloys. The composition dependence of the lattice constant and the bulk modulus have been estimated from total energy calculations. By means of the analytical fitting the band structures in the vicinity of the Brillouin center a complete set of effective electron- and hole-masses have also been derived. In order to further understand the effects of the chemical bonding on the above macroscopic properties we then studied the relaxation behaviors and the changes of the electronic states upon alloying for x=0.25 system. The results presented here yield a general understanding of the fundamental properties for the Cd1–xZnxTe crystals studies.  相似文献   
189.
"用普通氧化锌晶须作为原材料, 采用高压釜腐蚀法和高温(600 ℃)裂解结合的方法合成纳米棒构成的氧化锌类椭球结构.XRD、SEM和TEM结果表明这种类椭球结构是单晶的,纳米棒取向一致,自组装生长而成."  相似文献   
190.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号