基于CARR模型的交易量与股价波动性动态关系的研究

股市交易量与股价变化的关系就一直是学术界与实务界所共同关心的主题。基于Chou(2005)提出的CARR模型对两者的动态关系问题进行了研究。首先分析了作为量价关系理论基础的混合分布假说理论在CARR模型中的适川性,进而基于混合分布假说理论对我国上证综合指数、深证成份指数以及随机抽取的十只个股进行了量价关系的实证检验。研究发现:混合分布假说理论同样适用于CARR模型,这证实了股价波动性的CARR效应的存在。实证的结果也证实了CARR模型无论是对于股票指数还是单只股票交易量都具有了良好的解释作用。因此,CARR模型与GARCH模型相比,在交易量与股价波动关系动态关系的研究领域可以得到更为稳健的结果。     

二氧化碳与环氧化合物合成环状碳酸酯的研究进展

二氧化碳作为温室气体和储量大、无毒且可循环利用的碳资源,其化学利用受到了人们的广泛关注. 二氧化碳与环氧化合物通过环加成反应制备环状碳酸酯是二氧化碳化学法利用最为有效的途径之一. 本文综述了近年来该反应的研究进展,讨论了催化剂作用下的反应机理.     

多溴联苯在聚二甲基硅氧烷与水相间分配系数的固相微萃取技术测定

结合静态固相微萃取与液液萃取方法,采用目标物的同分异构体作一对一的回收率指示物以确保水中目标物定量的准确性,建立了气相色谱-质谱测定6种多溴联苯在聚二甲基硅氧烷和水相间的分配系数(Kf)的方法.本研究选用7μm厚度的固相微萃取头,将所测logKf与logKow(正辛醇-水分配系数)作图,通过比较其相关性来判断固相微萃取头涂层的萃取机理,得到了良好的线性关系(r=0.975 7),表明吸收是聚二甲基硅氧烷涂层与上述6种多溴联苯发生作用的主要机理.然而,该结论对于其它强憎水性有机污染物(VHOCs)是否具有普遍性,仍有待于进一步研究加以证明.     

微波波谱方法与应用研究进展

综述了微波波谱法及其应用研究进展,阐述了微波波谱法的基本原理及仪器构造。对微波波谱法在分子结构及构象分析、弱相互作用体系的研究、分析化学、星际物质的探测等方面的应用进行了综述。并展望了微波波谱方法未来的发展趋势。     

瞬态平面热源法测量硅胶混合吸附剂导热系数

利用瞬态平面热源法对制冷吸附剂的导热性能进行测试.所研究的吸附剂包括:硅胶颗粒、硅胶-水、硅胶-氯化钙混合多孔介质、硅胶-氯化钙-膨胀石墨固化混合吸附剂.实验结果表明:硅胶颗粒的孔隙率对其导热性能的影响比较大;此外,当硅胶的吸水量增大时,导热系数呈线性增大.当氯化钙质量分数大于0.2时,混合多孔介质的导热系数随氯化钙质量分数的增大而显著增加.利用膨胀石墨可以明显地提高硅胶颗粒的导热系数,固化的混合吸附剂的导热系数可以达到2.942W/mK,相对于硅胶颗粒的导热系数提高约30倍.     

HPLC法测定辣椒油中苏丹红染料的测量不确定度评定

建立了HPLC法分析辣椒油中苏丹红染料的不确定度模型,分析了方法中的不确定度分量及其来源,计算了各不确定度分量和合成标准不确定度。     

O-(1,3-二芳硒基)异丙基-O-2-(N3-替加氟)乙基硫代磷酯的合成及其抗癌活性

六乙基亚磷酰三胺依次与羟乙基替加氟、1-芳硒基甘油及硫反应,得到环甘油硫代磷脂替加氟缀合物(2a～2e);通过苯硒化钾对2进行亲核开环,得到O-(1,3-二芳硒基)异丙基-O-2-(N-替加氟)乙基硫代磷酯(3a～3e),其结构经1H NMR,31P NMR,MS及元素分析确证.3对膀胱癌细胞PGA1有一定的抑制作用.     

β-四(对羟甲基苯氧基)酞菁锌的合成及其抗肿瘤活性

以4-硝基邻苯二腈和对羟基苯甲醇为原料,经两步法设计并合成了两亲性β-四(对羟甲基苯氧基)酞菁锌(Ⅱ)光敏剂(1),其结构经UV-vis,1H NMR,IR,激光解吸电离飞行时间质谱(TOF-MS)及元素分析表征.用HE染料法和MTT染色法研究了1对Bel-7402人体肝癌细胞的抑制作用,考察了c(1)对Bel-7402细胞抑制率的影响.实验结果表明,当c(1)为50 mg·L-1时,抑制率达67%,其IC50=30.1 mg·L-1.     

示波极谱法直接快速测定痕量锑的研究

在0.06 mol.L-1硫酸溶液中,Sb(Ⅲ)与焦性没食子酸络合物产生一个灵敏的导数极谱波,峰电位为-0.4 V(vs.SCE),有微量Se(Ⅳ)存在下,灵敏度大为提高,锑浓度在0.03~1.2 mg.L-1范围内峰高与浓度呈线性关系,应用于锌电解液中痕量锑的测定。检出限为0.004 mg.L-1,RSD为1.8%~2.2%,回收率为95.0%~105.0%。     

GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究

氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势,但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题,特别是对电子器件会带来沟道效应,对激光器应用会影响谐振腔中的光场分布。本文通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)生长的原位处理,实现了界面杂质聚集的有效抑制。研究发现,界面上的主要杂质是C、H、O和Si,其中C、H、O可以通过原位热清洗去除;界面Si聚集的问题主要是由衬底外延片保存过程中暴露空气带来的,其次是氮化镓衬底中Si背底浓度,在外延过程中,生长载气对氮化镓单晶衬底不稳定的N面造成刻蚀,释放的杂质元素会对二次生长界面产生影响,本文较系统地阐明了界面杂质的形成机制,并提出了解决方案。