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41.
Chemical unfolding of bovine testicular hyaluronidase (HAase) has been studied by fluorescence spectroscopy and Fourier transformed
infrared spectroscopy (FTIR). Thermodynamic parameters were determined for unfolding HAase from changes in the intrinsic fluorescence
emission intensity and the formations of several possible unfolding intermediates have been identified. This was further confirmed
by representation of fluorescence data in terms of ‘phase diagram’. The secondary structures of HAase have been assigned and
semiquantitatively estimated from the FTIR. The occurrence of conformational change during chemical unfolding as judged by
fluorescence and FTIR spectroscopy indicated that the unfolding of HAase may not follow the typical two-state model. 相似文献
42.
We present a semimonolithic frequency-doubler from 1080 to 540 nm with 80% doubling efficiency and up to 849-mW output power of green light. 相似文献
43.
本文采用双包层掺镱光纤作为增益介质,用单壁碳纳米管作为饱和吸收体,获得最高输出功率为336 mW的锁模脉冲激光.用飞秒激光诱导水击穿法直接在单模光纤上制备出D形区,通过在D形光纤上滴涂单壁碳纳米管溶液,成功制备出碳纳米管饱和吸收体,并对其饱和吸收特性进行测试,发现其调制深度为27%.利用该饱和吸收体作为锁模器件,制备出具有环形腔结构的锁模光纤激光器.当抽运功率为4W时,获得了脉宽为93.8 fs,中心波长为1083.8 nm,3 dB谱宽为8.6 nm,重复频率为5.59 MHz,平均功率为336 mW的飞秒脉冲激光输出. 相似文献
44.
采用非对称磁镜场电子回旋共振等离子体分别对沉积过程中掺氮和未掺氮的化学气相沉积金刚石膜进行了刻蚀研究, 结果表明: 掺氮制备的金刚石膜的刻蚀主要集中在晶棱处, 经过4h刻蚀后其表面粗糙度由刻蚀前的4.761 μm下降至3.701 μm, 刻蚀对金刚石膜的表面粗糙度的影响较小; 而未掺氮制备的金刚石膜的刻蚀表现为晶面的均匀刻蚀, 晶粒坍塌,刻蚀4h后其表面粗糙度由刻蚀前的3.061 μm下降至1.083 μm. 刻蚀导致表面粗糙度显著降低. 上述差别的主要原因在于金刚石膜沉积过程中掺氮导致氮缺陷在金刚石晶棱处富集, 晶棱处电子发射加强, 引导离子向晶棱运动并产生刻蚀, 从而加剧晶棱的刻蚀. 而未掺氮金刚石膜,其缺陷相对较少且分布较均匀 ,刻蚀时整体呈现为 (111) 晶面被均匀刻蚀继而晶粒坍塌的现象.
关键词:
掺氮
金刚石膜
刻蚀
非对称磁镜场 相似文献
45.
多阶游程存储是一种不改变光学系统而显著提高光存储容量和数据传输率的新方法.介绍了光致变色多阶游程存储原理和实验系统.提出了基于光致变色原理的多阶游程存储数学模型,该模型反映了记录符反射率与曝光功率、曝光时间之间的非线性关系,并在此基础上确定了光致变色多阶游程存储的写策略.基于650nm光致变色材料进行了4阶游程存储的动态实验.结果表明,实验中采用的650nm光致变色材料可用于多阶游程存储,采用的写策略能够有效地使记录信道线性化,利于采用适合线性系统的信号处理方法.
关键词:
多阶游程
光致变色
光存储
写策略 相似文献
46.
把具有宽完全带隙的粗锐复合的周期常数为a的二维正方格子再与周期常数为a2的大周期简单正方格子复合,发现大周期正方格子起缺陷作用.并发现当a2<5a时,缺陷态明显地随入射角度变化.此变化随a2的增大而减少.用FDTD方法计算了其透射和反射谱,结果表明缺陷峰透射率与a2的大小成反比.另外还发现: 缺陷峰结构与大周期正方格子的圆柱直径的关系曲线与a2关系不大.通过调节大周期正方格子的圆柱的直径,可获得单
关键词:
光子晶体
光子能隙
复式结构
缺陷态 相似文献
47.
48.
从系统能量出发,采用Smith和Beljers理论方法研究了铁磁/反铁磁双层膜系统在外应力场下的铁磁共振现象.本模型中铁磁薄层具有单轴磁晶各向异性和立方磁晶各向异性,而反铁磁层非常薄因而其能量可忽略.推导出了该系统的铁磁共振频率和频谱宽度的解析式.结果表明:外应力场仅在低磁场下对具有立方磁晶各向异性系统的铁磁共振有影响,且区分弱磁场和强磁场的临界场依赖于外应力场的方向.
关键词:
铁磁/反铁磁双层膜
交换偏置
铁磁共振
应力场 相似文献
49.
A study of ion sculpting dynamics in SiO2 and SiN using periodically pulsed ion beams reveals material transport that depends strongly on the time structure of the pulsed beams. It is found that significant nanoscale matter transport can occur over second long time scales after the ion beam has been extinguished. A simple phenomenological model described the dynamics of ion beam sculpting in terms of two material time scales. The model accounts for the surprising observation of enhanced matter transport affected by pulsed ion beams over continuous ion beam exposure. 相似文献
50.
J. R. Kempton M. Senba D. J. Arseneau A. C. Gonzalez J. J. Pan A. Tempelmann D. M. Garner D. G. Fleming 《Hyperfine Interactions》1991,65(1-4):801-809
Results of muon polarization studies in xenon and argon up to 60 atm are reported. In argon for pressures up to 10 atm, the
muon polarization is best explained by an epithermalcharge exchange model. Above this pressure, the decrease inP
D and increase inP
L are ascribed to charge neutralization and spin exchange reactions, respectively, in the radiolysis track. Measurements with
Xe/He mixtures with a xenon pressure of 1 atm indicate that the lost polarization in the pure xenon at this pressure is due
to inefficient moderation of the muon. As the pressure in pure xenon is increased above 10 atm, we find thatP
L remains roughly constant andP
D begins to increase. The lost fraction may be due to the formation of a XeMu Van der Waals type complex, whileP
D is ascribed to XeMu+ formation. This suggests that spur processes appear to be less important in xenon than in argon. 相似文献