Analytical Results of Eigenstates and Eigenenergies for Three Kinds of Models Describing N-mode Multiphoton Process

We obtain the exact analytical results of all the eigenvalues and eigenstates for three kinds of models describing N-mode multiphoton process without using the assumption of the Bethe ansatz. The exact analytical results of all the eigenstates and eigenvalues are in terms of a parameter λ for three kinds of models describing N-mode multiphoton process. The parameter is shown to be determined by the roots of a polynomial and is solvable analytically or numerically. Moreover, these three kinds of models can be processed with the same procedure.     

Trace Distance of Remote State Preparation Through Noisy Channels

In this paper, we study remote state preparation (RSP) by w state through noisy channels. The trace distance is used to describe how close the original state is to the output state. Studies show the trace distance is a function of decohenrence rates and angles of the state to be prepared. At the same time, we investigate the influence of different types of noises on the trace distance and find the various types of noises have different degrees of influence on the trace distance for a definite qubit. We also study changes of the trace distance against polar and azimuthal angles.     

一类流体动力方程周期解的存在性和唯一性

研究了一类非齐次流体动力方程的周期解的存在性和唯一性.首先采用Galerkin方法构造近似时间周期解序列,然后利用先验估计和Leray-Schauder不动点定理,证明近似时间周期解序列的收敛性,从而得到了该问题时间周期解的存在性,并且证明在一定条件下该解的唯一性.     

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.     

薄膜结构性能变化中的"温度临界点"

本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在"温度临界点",然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的"温度临界点".结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在"温度临界点";在"温度临界点"前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中"温度临界点"可能不止一个.     

MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料.由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率.将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测.根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11;.我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征.结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料.反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27;.     

沿Z型光传输管道轴向吹气对激光传输的影响

针对在Z型管道中传输的高能量密度激光束受到的气体热效应问题,采用光波标量衍射方程计算光传输、N-S方程计算管道内流场,仿真计算了以不同的速度沿管道轴向吹入对激光能量无吸收的气体时,由于气流扰动对出射光束远场光斑质量的影响。结果表明,在采用纵向吹气减小气体热效应对光束传输的影响时,应尽可能采用大气量、低流速的方案,既有利于排空管道中的杂质气体,减小气体热效应,又有利于减小管道中流场密度分布的不均匀性,从而保证出射光束的质量。     

垃圾焚烧炉飞灰熔融特性及重金属的分布

对垃圾焚烧炉飞灰进行了差热分析及熔融实验,探讨了不同熔融温度对试样的灼烧减量及重金属分布特性的影响。结果表明,飞灰试样在1132℃时熔融,在1252℃～1290℃发生二次熔融。灼烧减量在1200℃达到最低值27.5％; Cr、Ni、Cu在熔融体中的固溶率随着沸点的升高而依次升高。重金属Pb、Cd、As、Hg挥发率均超过95％,挥发性依次为Pb>Cd>As>Hg;飞灰中Zn的氧化物熔融后转化为Zn2SiO4、ZnSiO3和ZnAl2O4等不易挥发的化合物,且Zn在1200℃时挥发率最低仅有66.7％。     

质子滴线核8B的实验研究进展

质子滴线核8B的最后一个质子的分离能只有0.137 5 MeV,被认为是最有可能具有质子晕结构的候选核之一,对其反应机制和奇特结构的研究吸引了人们的关注。针对8B的奇特结构和反应机制研究是一个非常有趣的课题,研究人员在包括反应截面、碎裂产物动量分布宽度、电四极矩、熔合截面及弹性散射等方面开展了大量的工作。但是8B的研究至今仍不够充分,需要从理论和实验上对其进行更深入的研究。     

珍稀特有植物华顶杜鹃的种群结构和种间联结

华顶杜鹃（Rhododendron huadingense）因分布地域的局限和资源量的稀少,被列为浙江省珍稀濒危植物。基于珍稀特有植物华顶杜鹃主要分布区的样地调查数据,通过分析群落相似性、种群结构,并基于2×2联列表,应用共同出现百分率PC、联结系数AC、Pearson积矩相关系数r_p和Spearman秩相关系数r_s等方法对华顶杜鹃乔木层22个主要物种、灌木层24个主要物种的种间联结的显著性和关联强度进行了定量测定,以揭示华顶杜鹃群落不同结构层次中主要物种的种间关系及其种群濒危的原因。结果显示：（1）华顶杜鹃生长在光照较强的阳坡,不同产地所处群落物种组成差异较大。（2）种群结构显示,各群落均处于不同程度的衰退阶段,幼苗和幼树储备不足,种群呈衰退趋势;各样地的龄级结构不完整,普遍出现断代现象。（3）方差比率VR和统计量W表明,华顶杜鹃群落中物种整体关联性不显著;PC值显示乔木层和灌木层共507个种对,有183个相互独立,其余大部分PC值小于0.6,联结性较弱;AC值显示,乔木层和灌木层中除25个种对具有显著的联结性外,其余AC值的绝对值小于0.6;r_p值和r_s值正负关联比在0.36~0.85,显著检验率在0.06~0.08。表明华顶杜鹃所在群落种间关系较为松散,整体关联性弱;大部分物种生态习性差异较大,在共存时无法达到资源的最佳分配和利用状态,群落尚处不稳定阶段。为抑制其种群的衰退趋势,应加强对华顶杜鹃个体和群落生境的保护,需要适当的人为干预。