HILBERTIAN INVARIANCE PRINCIPLE FOR EMPIRICAL PROCESS ASSOCIATED WITH A MARKOV PROCESS

The authors establish the Hilbertian invariance principle for the empirical process of a stationary Markov process, by extending the forward-backward martingale decomposition of Lyons-Meyer-Zheng to the Hilbert space valued additive functionals associated with general non-reversible Markov processes.     

STUDIES ON HYPERFINE STRUCTURE AND ISOTOPE SHIFT OF SOME EXCITED STATES IN Yb AND Tm ATOMS

The hyperfine structures and isotope shifts in some excited states of Yb and Tm have been measured using laser-atomic beam interaction, stepwise excitation and fluorescence detection techniques. From the experimental results, magnetic dipole hyperfine constants A and electric quadrupole hyperfine constants B have been derived. So for as we know, the A factor of [4f¹²5d6s6p]9/2 level in Tm is given for the first time.     

等离子体中的迁移系数

从等离子体动力学方程出发,采用玻尔兹曼碰撞项,在粒子分布函数偏离麦克斯韦分布甚小的情况下,作三级矩近似得到了等离子体迁移方程组。迁移方程组中忽略时间微分项后,得出了电子-离子等离子体的张量形式迁移系数,以及与磁场方向成平行(∥)、垂直(⊥)和交叉方向的迁移系数。导出的结果和文献[1]采用朗道碰撞项得出的结果进行了比较。结果表明,迁移系数和等离子体参数的依赖关系是一致的,但对磁场B和离子电荷Z_i值取定时,个别迁移系数要差一倍。此外,导出的迁移系数形式比文献[1]的要简单些。     

特征标高度为0具有例外权的不可约H(2r,n)-模

本文主要利用广义限制李代数的概念研究不可约H(2r,n)-模,确定了特征标高度为0,并且具有例外权(-w)k(k=0,1,2,…,r)的极大向量的不可约H(2r,n)-模.     

造纸污泥与废水污泥流化床焚烧时NO_x和SO_2的排放特性研究

1前言流化床焚烧污犯是近年来发达国家广泛采用的方法，它能很好地实现污泥的稳定化、无害化、减容化和资源化处理。燃煤流化床锅炉污染物排放方面已做了大量的研究工作，由于污泥与煤在结构和性质方面的差异较大，因此有必要对流化床焚烧污泥时污染物排放特性进行研究。本文详细研究了造纸、废水污泥在流化床中焚烧时污泥水份、运行床温及过量空气对NO。和SO。的排放特性及污泥N－＋NO。、S－SO。的转化率的影响，并对这两种性质差异较大的污泥焚烧时的NO。和502的生成特性进行了对比分析，取得了许多有价值的结果，为污泥流化床焚烧…     

硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米

近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100％)已超出摩尔定律的预言．这种惊人的高速增长中，最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构，即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用．事实上，巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化，并且形成大规模产业．这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限，进入纳米科技领域实质性进步．     

高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道分析

对高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道进行了分析．推导出轴向导引磁场与反向传播的激光摇摆场作用下的单粒子电子运动轨道，并对轨道的稳定性进行了分析．发现当瑞利长度较大时，得到的结果与平面电磁波摇摆场的结果相一致．与静磁摇摆场的自由电子激光相似，在激光摇摆场中的电子轨道也存在两类分立轨道，但是，与静磁摇摆场不同的是，这两类轨道都是稳定的 关键词：     

一种计算量子拍讯号强度的新方法

本文运用密度矩阵方程推导了V型三能级系统的荧光量子拍讯号强度,并对其结果进行了分析和讨论。     

氩等离子体物态方程的TF简化模型

对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10～1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景.     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。