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21.
有机化合物电子光谱中的助色基及其作用机理探讨(Ⅰ) 总被引:1,自引:1,他引:0
本文就电子光谱中助色基的作用进行了讨论 ,认为不能一概地认为助色基能使与之相连的生色基最大吸收波长统统发生红移 ,而应具体问题具体分析 :对于n→π 来说 ,一方面助色基的p轨道和生色基的最低π 反键空轨道相互作用 ,使π 反键轨道能量上升 ,另一方面助色基的p轨道和生色基的n轨道正交 ,n轨道能量基本保持不变 ,因此n→π 跃迁能增加 ,吸收波长发生蓝移。对于π→π 跃迁来说 ,助色基的p轨道和生色基的最高π成键轨道相互作用生成的新的最高π成键轨道 ,能量虽然有所升高 ,但升高的程度与π 反键轨道升高的程度相比 ,在一些化合物中π轨道升高程度较大 ,因而π→π 跃迁能减小 ,吸收波长发生红移 ;在另一些化合物中π轨道升高程度较小 ,因而π→π 跃迁能增加 ,吸收波长发生蓝移。 相似文献
22.
23.
本文介绍概率抽样法在钢球生产过程中的应用,通过此法确定钢球生产中各工序质量监测的最佳抽检方案,以确保产品被接受的概率最大。 相似文献
24.
近些年来,许多处理近似问题的方法陆续被提出,其中利用Rough集理论计算两个集合的并和交的Rough隶属函数方法是被用较多的一种方法,但毕竟该方法精度较差。为此,介绍了一种精度较高的计算两个集合的并和交的Rough隶属函数方法,它克服了前者利用Rough集理论计算Rough隶属函数的复杂性,而迎来了简单和高精度的特点。 相似文献
25.
The authors establish the Hilbertian invariance principle for the empirical process of a stationary Markov process, by extending the forward-backward martingale decomposition of Lyons-Meyer-Zheng to the Hilbert space valued additive functionals associated with general non-reversible Markov processes. 相似文献
26.
对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10~1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景. 相似文献
27.
GPS/SINS组合导航系统在运载火箭中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
针对运载火箭特点,着重研究在发射惯性坐标系下,位置、速度组合模式的GPS/SINS组合导航算法,推导了该坐标系下的惯导一阶误差传播方程,建立了该坐标系下GPS/SINS组合导航系统的状态方程和观测方程,并进行了相关数学仿真验证。仿真结果表明,在该坐标系中,GPS/SINS组合导航算法能较准确地给出运载火箭的位置、速度和姿态信息,提高运载火箭制导精度。 相似文献
28.
Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems. 相似文献
29.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
30.
ZHANG Liangmin SHAO Zongshu ZHANG Jingwen MU Xiaodong CHEN Huanchu JIANG Minhua 《Chinese Journal of Lasers》1996,5(3):235-241
Mutually Pumped Phase Conjugation of Three Incoherent Beams with a Novel Photorefractive CrystalMutuallyPumpedPhaseConjugatio... 相似文献