钙钛矿锰氧化物La0.7Sr0.3MxMn1-xO3(M=Cr,Fe)的巨磁电阻效应与磁性

研究了溶胶 -凝胶法制备氧化物巨磁电阻材料的工艺 ,制备了La0 .7Sr0 .3 CrxMn1-xO3 (x =0 ,0 .10 ,0 .15 )和La0 .7Sr0 .3 FexMn1-xO3 (x =0 .0 5 ,0 .10 ,0 .16 )两系列的单相钙钛矿锰氧化物多晶样品 ,并研究了Cr ,Fe替代La0 .7Sr0 .3 MnO3 中部分Mn后对其结构、磁性和巨磁电阻性质的影响 .观察到La0 .7Sr0 .3 Cr0 .15Mn0 .85O3 和La0 .7Sr0 .3 Fe0 .0 5Mn0 .95O3 两个样品的电阻 温度曲线都出现了双峰 .定性讨论了可能产生双峰的机制 .随Cr(或Fe)替代量的增加 ,材料的居里温度很快下降 ,铁磁性减弱 ,导电性降低 ,巨磁电阻效应增强 .但与Fe掺杂相比 ,相同数量的Cr掺杂对材料的影响要小 .     

多重积分Nash平衡点的Lipschitz估计

设F（p，q）和G（p，q）在无穷远点的邻域内是分别关于p和q的近似凸函数，且具有二次增长．考虑由F和G构成的一对定义在Soblev空间中的泛函．本文利用blowup技巧，证明了这样一对泛函的Nash平衡点实际上是Lipschitz连续的．     

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究

使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF₃基团的密度,而使CF₂基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF₂基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×10³—1×10⁶Hz)和损耗频率关系(1×10²—1×10⁵Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化 关键词： 氟化非晶碳薄膜 ECR等离子体沉积 键结构 介电性质     

Sm-Fe和Sm-Co非晶态合金薄膜的高场热磁效应

本文研究了Sm_xT_1-x(T=Fe,Co)非晶态薄膜的磁化强度σ与温度T的关系。发现在磁场H=7T下,对Sm_xCo_1-x样品(x=0.46,0.48,0.54,0.65)的升温过程测得的σ(T)曲线上有极大值,它对应的温度都在25—28K范围内,与成分关系不大。非晶态Sm_xFe_1-x(x=0.46,0.73)的结果与之不同,极大值对应的温度与成分有关。对上述样品,还发现在T≈6K附近σ(T)有极小值(和陡变),在近室温端,出现σ(T)下降缓慢的“拖尾巴”现象。我们认为,Sm-Co非晶态薄膜表现的高场热磁效应可能起源于Sm原子磁矩对磁化的贡献不可忽略,作用在Sm原子上的局域无规各向异性很强;这种各向异性在20—30K变化较大。而Sm-Fe薄膜的高场热磁效应可能起源于Fe原子磁矩的分散。σ(T)在6K附近的极小值(和陡变)及其在室温端变化缓慢的原因,可能是合金成分的涨落所致。 关键词：     

α—LiIO3准一维离子电导空间电荷沉积线的直观显示

为了研究α-LiIO₃在直流电场作用下,离子输运与其光学、电学性质的关系,我们设计并完成了电荷沉积线的静电染色显示和针状电极作用下电荷沉积线的生长与分布情况的光学观测实验。直接显示出间隙Li⁺和Li空位都存在各自的沉积线,证实了我们以前报道的光栅亮线是带电荷的实体;整个生长层为富集Li⁺区;直观地证实了α-LiIO₃离子管道输运与电荷沉积是完全一致的和α-LiIO₃的准一维电导特性。 关键词：     

光栅横向位移遥测中的辨向和移相技术

分析在用光栅多普勒效应实现横向位移遥测过程中利用移相技术和频移技术获得９０°相移的方法以及光栅运动方向的辨别方法,得出相应的实验结果。     

SIZE AND SHAPE DEPENDENCE OF THE LOWEST CONDUCTION BAND STATES IN GaAs QUANTUM DOTS

Using a recently developed new scheme, we investigated the electronic structure of the lowest conduction band states of cuboid GaAs quantum dots with different shapes and sizes in a wide range from 4 to 120a (a is the lattice constant). The critical edge length of the direct/indirect crossover in GaAs cuboid quantum dots depends on the size and shape of the quantum dots. As a deduction we also discussed the critical size of dlrect/indirect transition in GaAs quantum wires and thin films.     

掺Ba对Bi系2212相超导电性的影响

研究了掺Ｂａ对Bi₂Sr_2-xBa_xCaCu₂O_y（０≤ｘ≤０．１５，０．３）单晶和多晶样品超导电性的影响，结果表明，有少量Ｂａ^２＋离子进入了超导相，且有固溶度极限．对于２２１２相单晶，ｃ轴参数和Ｔ_c均随Ｂａ含量增加而增加；对于慢冷多晶样品，掺Ｂａ可明显提高Ｔ_c；然而对于淬大多晶样品，Ｔ_c没有明显变化，用掺Ｂａ 关键词：     

MO磁光薄膜的光致局域热研究

以激光照射下TbFeCo四层结构为例,通过体积功率函数g的纵向分布,分析了MO盘片各层的光能吸收情况.借助有限元方法对热扩散方程进行数值运算,给出了多层膜膜体温度的时空分布,分析了各层中的热扩散情况.通过对影响热磁记录的激光功率、激光照射时间和表面热流速率γ等因素的研究,给出了适合研究体系的激光功率、激光照射时间和表面热流速率.旨在通过TbFeCo这一特例的热学分析,为其它的光盘(如DVD-ROM)的热学研究提供借鉴. 关键词：     

(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3体系的输运性质和反常磁特性研究

本文报告了对Ce掺杂锰氧化物(La1-xCex)2/3Ca1/3MnO3 (x=0～1.0)系列样品的输运特性和反常磁特性的研究结果.实验表明,Ce掺杂对Tc有明显的抑制作用,整体上电阻率随Ce掺杂含量增加而上升,在外加磁场时表现出极大的磁电阻效应.磁化强度随温度变化的曲线出现了两个转变,高温处对应于Mn离子磁矩的铁磁金属转变,低温处的转变则对应于Ce离子磁矩自旋有序排列的形成.表明Ce掺杂引起样品中铁磁双交换作用和反铁磁超交换作用之间的竞争,Ce离子与Mn离子有很强的相互作用.随Ce掺杂含量的增加,铁磁有序转变温度下降,而反铁磁有序转变温度则向高温处移动,铁磁区域明显减小.