新磺酰脲类化合物的合成、结构及构效关系研究(Ⅱ)——N-[2-(4-甲基)嘧啶基]-2-甲酸乙酯-苯磺酰脲的晶体及分子结构

本文报道了标题化合物的合成和晶体结构.该晶体由标题分子与溶剂分子CH_2Cl_2组成,属三斜晶系,空间群为。晶胞参数.晶体结构由直接法解出,进行全矩阵最小二乘法修正,R=0.067.标题分子中存在3个独立的平面共轭体系,还存在N、H原子间的分子内及分子间氢键.     

层状K4Ag2Sn3S9·2H2O的溶剂热合成与表征

用溶剂热法合成了K4Ag2Sn3S9·2H2O,通过单晶X射线衍射、DSC、TG、IR和紫外漫反射光谱等手段对其进行了表征.结果表明,K4Ag2Sn3S9·2H2O属单斜晶系,P21/m空间群,a=0.78071(2)nm,b=2.73508(1)nm,c=1.05008nm,α=90°,β=103.87(6)°,γ=90°,Z=4.其层状结构内具有一维孔道,钾离子分离在层间及层内孔道中.     

Two New Sesquiterpenes from Ligularia macrophylla

Two new eremophilane sesquiterpenes, 15β-formic ether-6-oxo-furanoeremophilane （1） and 6α, 15β-epoxy eremophila-7（11）-en-8α, 12-olide （2） were isolation from the roots of Ligularia macrophylla. Their structures were deduced from spectroscopic methods and 2D NMR experiments.     

氢原子光谱实验的误差及其优化问题研究

主要介绍了利用精密光栅单色仪扫描氢原子光谱获得光谱波长,定性和定量地探究实验最佳条件的选择,对氢原子光谱实验进行误差分析,并提出优化改进方案,从而对学生实验进行指导,加深学生对近代物理的了解。     

顾客部分延期付款下两级商业信用易腐品订货策略

针对易腐品的经济订货批量问题展开研究。在供应商给零售商提供延迟还款的同时,零售商也给顾客提供部分延期还款条件。分五种情况分别讨论零售商的成本构成,并由此建立数学模型以求解最优订货周期使得零售商单位时间总成本最小化。通过数学证明得到了目标函数的解析性质,结果显示每种情况下在可行域范围内至多存在一个极小值点。以此为基础给出了相应的命题以有效地确定零售商的最优决策。最后通过数值算例说明了模型的有效性。     

基金“拥挤交易”对A股股价泡沫的影响研究

随着基金数量的不断增加,多家基金重仓一只股票所呈现的“拥挤交易”现象日渐明显。本文运用面板数据模型,对基金“拥挤交易”与A股股价泡沫之间的关系进行考察。结果表明,当公司超过6只基金重仓持股时,基金拥挤交易会对股价泡沫形成促进作用;当小于6只基金重仓持股时,这一关系则不显著。即:基金拥挤交易需要在“拥挤”到一定程度后才会促进股价泡沫膨胀。因此,管理层应高度重视6家以上基金重仓持股的股票,这类股票往往会形成较大的泡沫,同时也存在较大的崩溃风险。另外,管理层还应审慎研究政策出台时可能带来的预期,最大限度的避免基金经理产生一致的信念和一致行动,降低基金拥挤交易现象的发生。     

需求依赖于库存量的供应链商业信用期问题研究

针对需求依赖于初始存货量的供应链商业信用期问题展开研究,而在供应链内供应商的决策是商业信用期,零售商的决策是库存水平.通过分析与证明,分别给出了分散决策与集中决策两种情况下,最优商业信用期及库存水平的决策步骤.为了达到渠道协调的目标,提出了利润补偿机制以对渠道内增加的利润进行重新分配.同时模型的性质也通过数值算例进行了详细说明.     

Nd,Ce共掺YAG透明陶瓷的制备及其光谱性能研究

采用固相反应真空烧结法首次制备出Nd3+和Ce3+的掺杂浓度分别为1.0 at;和0.3 at;,Nd、Ce共掺YAG透明陶瓷,并对样品的相结构、显微结构、光学透过率和光谱性能进行了表征.结果表明,Nd3+和Ce3+都进入了YAG 晶格,样品的平均晶粒尺寸约为5 μm,1.5 mm样品的光学透过率除吸收带外基本都在75 at;以上.采用 467 nm 的激发源对样品Ce3+的5d能级进行激发,Ce3+通过对Nd3+的能量转移,实现了Nd3+的近红外发射,主荧光发射峰位于在1064 nm处,荧光寿命为256 μs.     

MeV能量的重离子辐照GaN的HRXRD研究

分别进行了2.3 MeV20 Ne8+ 离子和5.0 MeV84 Kr19+ 离子辐照GaN样品的实验, 并对实验样品进行了HRXRD的分析。结果发现, 随着这两种离子辐照剂量的增大, GaN的HRXRD谱（0002）衍射峰的峰位出现了向小角侧有规律的移动, 并在较高剂量时衍射峰发生分裂。同时, 对衍射峰的峰位的移动和峰形的变化等现象反映的辐照损伤机制进行了研究, 并探讨了电子能损与核能损各自在晶格损伤中的作用。Irradiation experiments of gallium nitride (GaN) with 2.3 MeV20 Ne8+ and 5.0 MeV84 Kr19+ respectively were performed. The irradiated samples were analyzed using the high\|resolution X\|ray diffraction (HRXRD) spectrometry. It was found that the diffraction peak of GaN (0001) exhibited regular shift to smaller diffraction angles with the increase of ion fluence for the both ions, and the diffraction peak split into a few sub\|peaks at higher irradiation dose. Underlying mechanisms of the observed peak shift and split were investigated, the contributions of different energy losses to the damage accumulation in the irradiated GaN were discussed.     

Kr离子注入SiC的拉曼光谱研究

应用拉曼光谱研究了5 MeV Kr离子（注量分别为5×1013,2×1014,1×1015 ions/cm2）室温注入6H SiC单晶及其高温退火处理后结构的变化。 研究表明, 注入样品的拉曼光谱中不仅出现了Si—C振动的散射峰, 还产生了同核Si—Si键和C—C键散射峰。 Si—C散射峰强度随退火温度升高而增强, 当退火温度高达1000 ℃时, 已接近未辐照SiC的散射峰强度。晶体Si—Si键散射峰强度随退火温度变化不大, 而非晶Si—Si键散射峰强度随退火温度的增加逐渐消失。相对拉曼强度（Relative Raman Intensity, 简称RRI）随注量的增加逐渐减小并趋于饱和, 且不同退火温度样品的饱和注量不相同; RRI随退火温度的增加逐渐升高, 这在低注量样品中表现得尤为明显。 低、中、高3种注量样品的RRI随退火温度的增加从重合逐渐分离, 并且退火温度越高, 分离越大。 Raman spectroscopy was used to study the structure changes of 6H SiC single crystal implanted with 5 MeV Kr (Krypton) at room temperature and subsequently annealed at high temperature. The Raman spectrum of the implanted SiC displays not only Si—C bonds vibration peaks, but also homonuclear Si—Si and C—C bond vibration peaks. Si—C bond vibration peaks gradually strengthen with increasing temperature. When annealing at 1000 ℃, the peak intensity of Raman spectrum is close to that of virgin specimen. It is found that crystal Si—Si bond vibration peaks do not change when annealing, but amorphous Si—Si bond vibration peaks disappear with increasing annealing temperature. The Relative Raman Intensity (RRI) values decrease with increasing fluence and tend to saturate, but the saturation fluences is different for various anneal temperature. The RRI values increases with raising annealing temperature, which is more obvious in low implanted specimens. At the same time, the RRI values separate gradually with increasing temperature and this phenomenon is strengthened by annealing temperature.