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Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy
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The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献
242.
用多组态自洽场方法,结合作者提出的半经验拟合公式,首先对38≤Z≤42类钴离子3p63d9,3p53d10,3p63d84p组态的能级进行计算,然后根据能级值算出相应的电偶极跃迁的谱线波长,并给出各谱线的HFR振子强度。 相似文献
243.
运用密度泛函理论方法研究了烷基碳链长度对氯化三烷基铵络合氯化汞的影响,计算结果表明,氯化三烷基铵与氯化汞的络合作用随着氯化三烷基铵中烷基碳链的增长而增强.通过对络合物的键长、Mayer键级和Mulliken电荷分析可知,电子富集在氯化三烷基铵的Cl原子上,并和Hg原子之间形成静电吸引作用.当烷基长度小于3时,烷基的电子效应影响较为明显,增强了原子之间的电子转移,使得络合物更稳定;当氯化三烷基铵烷基碳链长度大于3后,烷基链长对络合物中的电子转移不再有影响,络合物的稳定性受到烷基的几何效应影响更为明显. 相似文献
244.
Two soluble isomerized polyimides(PIs)synthesized from 2,2′-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride(6FDA)with either 2,2′-dimethylbenzidine(2,2′-DMB)or 3,3′-DMB were investigated by means... 相似文献
245.
Rod-Pinch二极管(RPD)在小尺度闪光照相方面具有良好的应用前景.根据理论方面的研究结果以及实验室具备的驱动源装置水平,设计了相应结构的RPD,并在1MV工作电压下开展了较为详细的性能实验研究.最终在二极管轴向(0.方向)lm处得到的x光剂量为1.21rad-1.45rad.对于阳极直径为lmm的二极管,其X光焦斑直径仅为0.8mm-1.1mm.X光信号的脉宽为18.1ns-27.5ns.研究表明RPD将是一种用于小尺度闪光照相的理想的X光源. 相似文献
246.
一个跨音风扇级转/静干扰流动的时间精确模拟 总被引:5,自引:1,他引:4
本文采用双时间步法,较为方便地将孤立叶排定常流场求解拓广为转/静干扰非定常流场时间精确求解,而且该流场时间精确求解方法收敛速度较作者最初工作有较大提高.文章通过对一跨音风扇级非定常流场时间精确模拟,对叶轮机非定常流动建立了一定理解. 相似文献
247.
稀土元素在我国有丰富的贮量.近年来,稀土元素在各种新科技领域中得到不断的开发和利用.各类稀土功能材料在发光和光通信领域中正展现巨大的应用潜力[1].稀土磁光薄膜材料是优良的记录介质;稀土Er由于其特殊的电子结构,已用来制造掺铒光纤激光器和光纤放大器[2];掺铒硅还可制造发光谱线单一的发光器件[3],这为实现人们所期待的硅基光电集成提供了有益途径.此外,基于对掺铒硅荧光发射衰减时间的分析,可用于制造温度传感器[4].因此,稀土在共价半导体材料如Si、GaAs中的行为研究日益受到重视.但这些工作主要… 相似文献
248.
用真空葛氏摆,研究了Fe-C+N-P合金系冷加工试样内耗。发现置换式固溶元素磷,强烈减低铁的S-K-K内耗(Q-1)、降低内耗峰温度(Tp)和明显减小其弛豫激活能(H)。在铁中磷的固溶限度以下,内耗峰高度(Qh-1)随合金中磷浓度的三分之二次方(即位错线上磷浓度平方)Cp2/3增加而线性减低。实验结果符合Schoeck理论。本文还讨论了内耗机制,认为它是非螺(包括刃)位错段拖曳Cottrell气团间隙溶质原子移动产生的。位错段运动以弯曲的方式进行。
关键词: 相似文献
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