V(001)表面上(4×1)-O,(2×2)-S两超结构的角分辨光电子谱

用角分辨紫外光电子谱详细研究了V(001)表面上,S和O偏析引起的(4×1)-O,(2×2)-S两超结构,确定了S,O各自引起的吸附态的峰位和对称性;得到了O占据V(001)表面上空位的实验证据。所得实验结果与理论计算相等。 关键词：     

用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷

对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。 关键词：     

铁磷合金中的Snoek-Kê-K?ster峰

用真空葛氏摆,研究了Fe-C+N-P合金系冷加工试样内耗。发现置换式固溶元素磷,强烈减低铁的S-K-K内耗(Q^-1)、降低内耗峰温度(T_p)和明显减小其弛豫激活能(H)。在铁中磷的固溶限度以下,内耗峰高度(Q_h^-1)随合金中磷浓度的三分之二次方(即位错线上磷浓度平方)C_p^2/3增加而线性减低。实验结果符合Schoeck理论。本文还讨论了内耗机制,认为它是非螺(包括刃)位错段拖曳Cottrell气团间隙溶质原子移动产生的。位错段运动以弯曲的方式进行。 关键词：     

超导临界温度理论(Ⅲ)

本文定出超导临界温度T_c级数公式(1)的前几项系数。对于形式为α²F(ω)=(λω)/2[a₁δ(ω-ω₁)+(1-a₁)δ(ω-ω₂)]的双δ型有效声子谱及若干具体材料的谱,将级数公式计算的T_c与Allen-Dynes公式(以下简称A-D公式)及Eliashberg方程的数值解作了比较。计算表明,当级数(1)收敛时,级数公式计算的结果较A-D公式更接近于数值解。此外,本文还给出了一个近似的T_c级数公式,得到了估计该T_c级数收敛半径的方法,并计算了若干材料的收敛半径值。因此,可估计级数公式(1)的适用范围。 关键词：     

Conditional Symmetries and Solutions to a Class of Nonlinear Diffusion-Convection Equations

The present paper discusses a class of nonlinear diffusion-convection equations with source. The method that we use is the conditional symmetry method. It is shown that the equation admits certain conditional symmetries for coefficient functions of the equations. As a consequence, solutions to the resulting equations are obtained.     

平台石墨炉原子吸收测磷的方法研究

研究了平台石墨炉原子吸收测定磷的方法,表明以氯化钯和硝酸钙的混合液作为基体改进剂测定生物样品中的磷效果最好,方法特征量为8×10~(-9)g,工作曲线线性范围为0～0.400吸光度,精密度好,抗干扰能力强,方法简单,利用标准曲线即可测定生物样品中磷。     

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度J_c和零电阻温度T_c0都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。 关键词：     

三维随机点阵三态矢量Potts模型Monte Carlo模拟

在三维随机格点阵上对三态矢量Potts模型进行了Monte Carlo数值模拟,构造了N×N×N(N=8,10,12)三种不同大小点阵,分别计算了该自旋系统的能量密度、磁化强度、比热和磁化率等的温度曲线。结果表明该自旋系统在β₆≈0.16处存在着能表征一阶Z(3)对称破缺相变的能量热滞图和比热陡峰,磁化强度的跃变规律亦支持该结论,从而显示出该模型在随机点阵上的相变行为与正方点阵的已有结果的相似性。     

新鞣花酸衍生物的NMR归属

从鞣花酸(1)合成二个新的多取代的联苯化合物3和4,利用HMQC,HMBC和一维NOE谱技术确定了它们的¹³C和¹H NMR归属.     

YBCO涂层导体用Ni5W基带的制备和立方织构的发展

为了制作能满足YBCO涂层导体（coated conductor）所需要的高强度、低磁性的立方织构基带，本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at％W合金基带．为评估基带中立方织构的发展，用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究，结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致．研究结果表明，在实验中所用的工艺参数范围内，随总加工率和热处理温度的提高，基带中立方织构百分数明显增高．提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量．实验中得到了较好的和实用的工艺制度，用这种工艺可以制作出具有99％～100％立方织构百分数，并具有很好一致取向度的Ni5W基带．