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161.
人顶体酶三维结构的同源模建及其与KF950的分子对接研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用同源模建方法首次构建了人顶体酶的三维结构模型, 模型的可靠性经Ramachandran图和Profile_3D图验证. 采用InsightII/Binding site方法准确定位了人顶体酶的活性位点, 并研究了顶体酶重要功能残基在活性位点的立体分布. 在此基础上, 通过柔性分子对接方法首次阐明了顶体酶高效抑制剂KF950与靶酶活性位点的相互作用模式, 发现特异性的氢键相互作用是KF950产生高抑制活性的重要分子基础. 其研究结果将为合理设计新型顶体酶抑制剂, 寻找男性口服避孕药奠定坚实基础. 相似文献
162.
以β-环糊精(β-CD)为手性添加剂,用毛细管区带电泳法对手性药物佐匹克隆进行了拆分研究.考察了β-环糊精浓度、背景电解质组成、浓度及pH值、分离电压、温度等对对映体分离的影响.结果表明,以pH 2.5的100 mmol/L三羟甲基氨基甲烷-磷酸溶液(含15 mmol/L β-环糊精)为运行缓冲液,分离电压28 kV,毛细管温度16 ℃,检测波长303 nm,佐匹克隆对映体达到最佳分离,分离度为2.7,对映体迁移时间分别为8.4、8.9 min.该方法简单、快速、经济,可适用于佐匹克隆对映体的手性分离. 相似文献
163.
采用水热合成法,以(NH4)2S2O8作氧化剂,以MnSO4·H2O为锰源,制备了自生核壳结构MnO2粉体。利用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、振动样品磁强计和热重分析对产物进行成分、晶型、形貌、磁性能和热稳定性分析,并通过电磁参数的测试对产物的电磁特性以及电磁波损耗机制进行阐述。结果表明:所制得粉体是直径3~5 μm的核壳结构海胆球形MnO2,其复介电常数实部在8.40~5.35,虚部在2.66~2.07;复磁导率实部和虚部都很小,分别在1.04~1.14和0.03~0.21范围内。最后分析了核壳结构MnO2的电磁波损耗机制以及热稳定性能。 相似文献
164.
165.
高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品.结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5;.综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利. 相似文献
166.
本文采用热熔还原法,以聚氯乙烯、氯化铵、氧化铁为原料制备复合超硬相氮化碳(α/β-C3 N4).采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及透射电子显微镜(TEM)对样品进行表征.在此基础上分析了不同温度和原料配比下合成复合相C3 N4的物相组成及形貌变化.结果表明样品形貌随着原料配比的不同在颗粒、棒状、纳米线之间转变.当C、N和Fe之间摩尔比为3:4:0.4时,所制备出的样品呈纳米线状,纳米线的直径约为15 nm,结晶性良好.而在其它配比下,只能获得棒状或颗粒状α/β复合相C3 N4. 相似文献
167.
168.
岷江下游五通桥区土壤的铅污染分布格局 总被引:3,自引:0,他引:3
在岷江下游五通桥区境内采集了93个土壤样品,分析检测其重金属Pb的含量水平.在ARCGIS等地理信息系统软件的支持下,以地统计学原理等空间分析方法,分析数据的空间自相关特征以及变异函数特征,以讨论流域范围内的Pb污染分布格局.结果表明:研究区的土壤Pb含量水平较背景值增加了14.88%,具有大范围低强度的Pb污染特征;城乡结合部和沿岷江两岸是Pb污染的主要发生区;土壤Pb的分布具有一定的空间异质性,其空间自相关性和分布格局与岷江的地理走向关系密切,初步认为Pb元素有沿岷江向下游迁移的趋势;区域范围内的Pb污染来源较为隐蔽且不确定,具有一定的面源污染特征. 相似文献
169.
针对固体介质间隔层的镀膜标准具, 以1 064 nm激光镀膜标准具为例, 首先研究了反射膜堆数对反射带宽、基底厚度以及对自由光谱区的影响:标准具的带宽随着膜层堆数增加而减小, 自由光谱区随着基板厚度的增加而减小;其次研究了基底误差对标准具中心波长定位和透过率的影响, 通过定量数值计算证明了基底误差可通过标准具的使用角度补偿;针对典型的H(LH)m/Substrate/(HL)mH和L(LH)m/Substrate/(HL)mL两个膜系结构, 研究了入射激光发散角对标准具中心波长偏移、通带半宽度、中心波长透过率和最大透过率的影响。随着激光发散角的增加, 中心波长向短波方向移动, 通带半宽度、中心波长透过率和最大透过率呈现下降的趋势, 并且第二个膜系结构的标准具性能优于第一个膜系结构的标准具。 相似文献
170.
大功率窄脉冲半导体激光器主要光电性能参数为:输出峰值光功率、阈值电流、正向电压、上升时间、峰值波长、光谱半宽、半强度角.根据激光制导系统对大功率窄脉冲激光器参数的特殊测试要求,研制一种大功率窄脉冲激光器测试平台,将小型化大功率激励器功放模块、大范围可调DC-DC模块、信号源板、激光器座、光学准直镜集成在一个平台上,与峰值功率计、光谱仪、CCD摄像机等仪器配合,可测出大功率窄脉冲激光器的峰值功率、峰值波长及波长随温度变化的漂移特性、发光芯均匀性等参数.介绍了大功率窄脉冲激光器测试台的特点,并对测试结果作了论述. 相似文献