首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   398543篇
  免费   5414篇
  国内免费   1444篇
化学   218254篇
晶体学   5825篇
力学   16559篇
综合类   12篇
数学   46274篇
物理学   118477篇
  2020年   2462篇
  2019年   2406篇
  2018年   2423篇
  2016年   4759篇
  2015年   3952篇
  2014年   5375篇
  2013年   17290篇
  2012年   12937篇
  2011年   16227篇
  2010年   10063篇
  2009年   9911篇
  2008年   14898篇
  2007年   15160篇
  2006年   14843篇
  2005年   13753篇
  2004年   12313篇
  2003年   10935篇
  2002年   10690篇
  2001年   12167篇
  2000年   9381篇
  1999年   7511篇
  1998年   6154篇
  1997年   5977篇
  1996年   5991篇
  1995年   5559篇
  1994年   5173篇
  1993年   4995篇
  1992年   5599篇
  1991年   5440篇
  1990年   5089篇
  1989年   4934篇
  1988年   5194篇
  1987年   4920篇
  1986年   4727篇
  1985年   6802篇
  1984年   6930篇
  1983年   5676篇
  1982年   6308篇
  1981年   6209篇
  1980年   5980篇
  1979年   6055篇
  1978年   6208篇
  1977年   6121篇
  1976年   6087篇
  1975年   5916篇
  1974年   5653篇
  1973年   5925篇
  1972年   3498篇
  1971年   2627篇
  1968年   2578篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
871.
Utilizing Au4004+ primary ions produces large molecular ion yields, some in excess of unity, with minimal surface damage. A surprising observation is the occurrence of Au-analyte adducts as part of the ejecta desorbed by a single Au-cluster impact. We present data that demonstrate that Au and Au-adducts as secondary ions (e.g., AuCN, AuGly and AuCsI) are the result of the interaction between a single primary ion, Au4004+ and the target atoms.  相似文献   
872.
The dry etching characteristics of transparent and conductive indium-zinc oxide (IZO) films have been investigated using an inductively coupled high-density plasma. While the Cl2-based plasma mixture showed little enhancement over physical sputtering in a pure argon atmosphere, the CH4/H2/Ar chemistry produced an increase of the IZO etch rate. On the other hand, the surface morphology of IZO films after etching in Ar and Ar/Cl2 discharges is smooth, whereas that after etching in CH4/H2/Ar presents particle-like features resulting from the preferential desorption of In- and O-containing products. Etching in CH4/H2/Ar also produces formation of a Zn-rich surface layer, whose thickness (∼40 nm) is well-above the expected range of incident ions in the material (∼1 nm). Such alteration of the IZO layer after etching in CH4/H2/Ar plasmas is expected to have a significant impact on the transparent electrode properties in optoelectronic device fabrication.  相似文献   
873.
874.
[Theg-factor ratio of the first excited 3? and 5? states in40Ca was measured to beg 3/g 5=1.01(10) employing the implantation perturbed angular correlation technique. The static hyperfine fields (SF) in Fe and Gd hosts were used. In addition the lifetime of the 5? state was measured to be τ=426(7)ps. The values of the SF in Gd and Fe hosts were deduced and compared with systematics in this element region.  相似文献   
875.
876.
877.
878.
The authors give a consistent affirmative response to a question of Juhász, Soukup and Szentmiklóssy: If GCH fails, there are (many) extraresolvable, not maximally resolvable Tychonoff spaces. They show also in ZFC that for ω<λ?κ, no maximal λ-independent family of λ-partitions of κ is ω-resolvable. In topological language, that theorem translates to this: A dense, ω-resolvable subset of a space of the form (DI(λ)) is λ-resolvable.  相似文献   
879.
We study linear and nonlinear simultaneous Fourier-Pade approximation for Angelesco systems of functions and give the exact rate of convergence/divergence of the approximants in terms of the solution of associated vector equilibrium potential problems which differ for the linear and nonlinear cases.  相似文献   
880.
We consider queuing systems where customers are not allowed to queue, instead of that they make repeated attempts, or retrials, in order to enter service after some time. We obtain the distribution of the number of retrials produced by a tagged customer, until he finds an available server.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号