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61.
62.
63.
Based on Berreman's 4 × 4 matrix formalism [W. Berreman, J. Opt. Soc. Am. 62, 502 (1972)] we derive simplified expressions for the reflection formulas from the a-c crystal surface for non-normal incidence. The computational effort to apply the formulas was found to be only insignificantly higher than those for normal incidence, but considerably lower than for the general expressions. Consequently, the simplified formulas can be readily applied for dispersion analysis of spectra gained by spectroscopic ellipsometry or attenuated total reflection.  相似文献   
64.
Electron-phonon interaction in the new superconductors La2-x(Ba,Sr)xCuO4   总被引:1,自引:0,他引:1  
Weber W 《Physical review letters》1987,58(13):1371-1374
  相似文献   
65.
The tight-binding method is used to calculate 〈I2〉, the Fermi surface average of the squared electron-phonon coupling constant for 4d b.c.c.—transition metals and alloys. When nonorthogonality effects are properly included, our results for 〈I2〉 agree very well with empirical values. Moreover, the variation of 〈I2〉 can be understood in simple physical terms.  相似文献   
66.
The production of superheavy elements in binary reactions of the type208Pb (136Xe, X) Y was investigated atE c.m.=470 MeV. The experiment was designed to search for delayed fission products from elements withZ between 108 and 116 and fission lifetimes ofΤ?10?12 s. No fission events were observed the upper limit for the formation cross section being 1.2 Μbarn.  相似文献   
67.
68.
69.
Zusammenfassung An Stelle der Podbielniak-Analyse für Gasproben, die neben Inertgasen und leichten Kohlenwasserstoffen auch C5- und höhere Kohlenwasserstoffe enthalten, wird ein neues Verfahren vorgeschlagen. Die Inertgase und leichten Kohlenwasserstoffe werden wie üblich gaschromatographisch bestimmt. Zusätzlich trennt man aus einer zweiten Probe gaschromatographisch die leichten Anteile ab, spült durch Umkehr der Trägergasrichtung die Summe der schweren Kohlenwasserstoffe wieder aus der Säule und bestimmt ihre Menge durch Wägung.  相似文献   
70.
Electrical conductivity, thermal conductivity, and thermoelectric power of single-crystalline silicon are investigated at temperatures between 2 and 300 K. From the measured data we calculate the mean free path of electrons and phonons and separate diffusion part and phonon-drag part of the thermoelectric power. Using a new method, we evaluate the mean free path of those phonons which are responsible for the phonon drag effect.Dedicated to H.-J. Queisser on the occasion of his 60th birthday  相似文献   
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